GaN HEMT不良部の結晶欠陥解析

GaN HEMT(化合物半導体)にて、電気的な不良箇所を特定後、断面TEMによる結晶解析を行い、リークの原因となる転位の種類を同定し結晶成長の不良を可視化できます。...

TEMによる電子部品・材料の解析

TEM(透過型電子顕微鏡)は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。...

断面発光解析による橙色LEDのリーク不良解析

裏面と断面からのエミッション発光解析を組合わせることにより、LEDのようにアクティブ素子がチップ内部に存在するデバイスでも不良解析が可能です。...

TEMによる結晶材料の解析

TEM(透過型電子顕微鏡)は高分解能での結晶粒観察、電子線回折による結晶構造の解析など、結晶材料解析に最適な手法です。...