保有装置一覧

信頼性試験/環境試験

信頼性評価試験

液槽式冷熱衝撃試験装置

液槽式冷熱衝撃試験装置(使用液:ガルデンDO2-TS)

熱衝撃試験 (液槽)/ WTS試験 (Wet Thermal Shock)/ TS試験 (Thermal Shock)

仕様台数使用例
試料かご : W320×H240×D320
耐荷重 : 10kg
温度範囲 : -65~0℃ / +60~150℃使用液 : ガルデン
1熱衝撃試験
温度の急速な変化にさらした場合の耐性を評価する強度試験
試料かご : W190×H190×D330
耐荷重 : 8kg
温度範囲 : -65~0℃ / +60~150℃使用液 : ガルデン
1
試料かご : W170×H180×D300
耐荷重 : 5kg
温度範囲 : -65~0℃ / +60~150℃使用液 : ガルデン
1
冷熱衝撃試験装置

冷熱衝撃試験装置
熱衝撃試験 (気槽)/ 温度サイクル試験/ ヒートショック試験/ Temperature Cycling Test

仕様台数使用例
内法 : W970×H460×D670
温度範囲 : -65~0℃ / +60~200℃
かご寸法 : W940×D640
4温度サイクル試験
高温と低温の繰り返し温度変化にさらす場合の耐久性を評価する寿命試験
内法 : W650×H460×D670
温度範囲 : -65~0℃ / +60~200℃
かご寸法 : W630×D640
8
内法 : W650×H460×D370
温度範囲 : -65~0℃ / +60~200℃
かご寸法 : W630×D340
12
恒温恒湿器・低温恒温恒湿器

恒温恒湿器・低温恒温恒湿器
高温高湿バイアス試験/耐湿性試験、高温高湿試験/温湿度サイクル試験/低温試験、低温保存試験

仕様台数使用例
内法 : W960×H1000×D720
温湿範囲 : -70~+100℃ / 20~98%
2高温高湿バイアス試験/高温高湿保存試験
高温高湿雰囲気中で使用/保存した場合の耐久性を評価する寿命試験
内法 : W960×H1000×D720
温湿範囲 : -20,-40~+100℃,+150℃ / 20~98%
7
内法 : W570×H850×D520
温湿範囲 : -70~+150℃ / 20~98%
4
内法 : W570×H850×D720
温湿範囲 : -20,-40~+100℃,+150℃ / 20~98%
9

 

高温試験

高温試験

高温試験、 高温保存試験/ 耐熱性試験

仕様台数使用例
内法 : W1000×H1000×D1000
温湿範囲 : +50~+200℃,+300℃
3高温保存試験/動作寿命試験
長期間にわたって高温で保存した場合/長時間電気的及び熱的ストレスを加えた場合の耐久性を評価する寿命試験
内法 : W800×H800×D800
温湿範囲 : +50~+300℃
3
内法 : W600×H600×D600
温湿範囲 : +50~+200℃,+300℃
5

 

高度加速寿命試験装置

高度加速寿命試験装置
PCT、PCBT/Pressure Cooker Test Autoclave

仕様台数使用例
内法 : φ545×L550
温湿範囲 : +105~162.2℃ / 75~100%
1高度加速寿命試験/高温高湿状態の加圧雰囲気内での使用/保存した場合の耐湿や気密性の耐久性を評価する寿命試験
内法 : φ350×L400
温度範囲 : +105~143℃ / 75~100%
4
ホットオイル試験装置

ホットオイル試験装置
ホットオイル試験/ Hot Oil Test

仕様台数使用例
試料かご : W160×H170×D240
耐荷重 : 2Kg
温度範囲 : +20℃ / +260℃、
JIS規格対応
仕様液 : シリコンオイル
1特殊試験
プリント基板を温度の急激な変化にさらし、受入検査等を短時間で行う特殊試験
In-Situ常時測定装置

In-Situ常時測定装置
In-situ HAST/ In-situ THB/ In-situ TC/ EM Test

仕様使用例
イオンマイグレーション評価
: THB試験用     最大 120チャネル
: HAST試験用    最大 120チャネル
ストレスを印加しながら、絶縁抵抗値や微小抵抗値を連続測定
エレクトロマイグレーション評価
: HT試験用      最大 60チャネル
接続信頼性評価
: TC試験用      最大 120チャネル

ESDラッチアップ試験

ESDテスタ ESD ( HBM / MM )

ESDテスタ ESD ( HBM / MM )

仕様使用例
対応規格 : JEITA、JEDEC、ESDA、IEC等
印加電圧 : 0~4500V  (HBM) / 0~±2000V(MM)
最大ピン数 : 512ピン
ダイオード特性法、DCパラメータ法による自動破壊判定
ESD(HBM/MM)試験 半導体デバイスが受ける人体モデル/機械モデルの静電気放電に対する耐性を評価する強度試験
CDMテスタ CDM

CDMテスタ CDM ( HBM / MM )

仕様使用例
対応規格 : JEDEC、JEITA、EIAJ、ESDA、AEC
印加電圧 : 0~±4000V
最大ピン数 : 1024ピンまで
ソケットを使用しないでパルス印加 直接チャージ法、電界誘導法の両方に対応
ESD(CDM)試験 半導体集積回路が受けるデバイス帯電モデルの静電気放電に対する耐性を評価する強度試験
ラッチアップテスタ

ラッチアップテスタ

仕様使用例
対応規格 : JEDEC、JEITA、EIAJ
DC電源: 4系統 ±100V,0.5A 1系統 ±50V,1A 3系統
最大ピン数 : 512ピンまで、 電流注入法、電源過電圧法、ESD印加法の各試験が可能
ラッチアップ試験 半導体集積回路のラッチアップに対する耐性を評価する強度試験

 

機械的強度試験

万能引張圧縮試験機
万能引張圧縮試験機
仕様 使用例
最大荷重 :5000N (500kgf) 速度 : 0.5~500mm/min 材料試験 剥れや圧縮に対する耐性を評価する強度試験

故障解析/不良解析/製品解析

形態観察

光学顕微鏡 OM

光学顕微鏡 OM

特徴応用例
虫メガネ(数倍)から実体顕微鏡(数10倍)、金属顕微鏡(~1000倍)各種外観観察
デジタルマイクロスコープ

デジタルマイクロスコープ

特徴応用例

色再現性に優れた200万画素×3CMOSモードによる観察撮影

深い被写界深度を持つレンズを利用した観察や計測

各種広範囲観察、二次元連結、三次元合成

実装部品のリード、フィレット、側壁などの観察、ウィスカ観察、マイグレーション観察
超音波顕微鏡 SAM / SAT

超音波顕微鏡 SAM / SAT

仕様使用例
超音波の反射を利用した試料内部の非破壊観察ICパッケージの内部剥離の観察 /鉛フリーはんだ実装等の剥離の観察
透過X線観察装置 X線

透過X線観察装置 X線

仕様使用例
X線による試料内部構造の透過非破壊観察IC内部のワイアボンドやBGAの半田接合の観察
赤外顕微鏡 IR顕微鏡

赤外顕微鏡 IR顕微鏡

仕様使用例
赤外光によるICチップ裏面からの観察配線や拡散層パターンの観察
走査型電子顕微鏡 SEM / FE-SEM

走査型電子顕微鏡 SEM / FE-SEM

仕様使用例
二次電子による表面形状観察 光学顕微鏡に比べ高倍率(数10倍~30万倍程度)で焦点深度が深い各種表面形状観察、微細形状の観察、ICチップ内部や部品実装部分の断面作製後の観察
走査型電子顕微鏡+集束イオンビーム装置 CrossBeam FIB

走査型電子顕微鏡+集束イオンビーム装置 CrossBeam FIB

仕様使用例
超低加速電圧の超高分解能走査型電子顕微鏡 (GEMINIカラム) に集束イオンビーム装置 (FIB) を搭載ICチップの断面作製、構造解析、異物分析、TEM試料作製
分解能SEM1.1nm@20kV、2.5nm@1kV
FIB7nm@30kV

電気特性測定

電子計測機器

電子計測機器

特徴応用例
カーブトレーサや半導体パラメータアナライザ、オシロスコープなど各種電子測定機器

パワーデバイスや受発光デバイス、ICチップ、TFTのデバイスの静特性の測定

 

マニュアルプローバ

マニュアルプローバ

特徴応用例
ICチップのパッドや配線/ビアやLCDパネルの画素に針当て
ICチップ : 約1umの配線/ビアまで
LCDパネル : 最大18inchまで
ICチップの内部デバイスの素子特性測定やLCDパネルの画素の素子特性測定

不良解析/故障解析

エミッション顕微鏡 EMS

エミッション顕微鏡 EMS

特徴応用例
電圧や電流に伴う微弱発光を観察 裏面観察可能
最大視野 : 16mm x 16mm
パワーデバイスや受発光デバイス、ICチップの電流リーク箇所の特定、PN接合リーク箇所やゲート酸化膜破壊箇所の特定

 

IR-OBIRCH解析装置 IR-OBIRCH

IR-OBIRCH解析装置 IR-OBIRCH

仕様使用例
赤外レーザ照射に伴う抵抗の温度変化によって生じる電流変化を観察
裏面観察可能
最大視野 : 13mm x 13mm
パワーデバイスや受発光デバイス、ICチップ内部のショート箇所/リーク箇所や高抵抗箇所の特定
可視光OBIRCH解析装置

可視光OBIRCH解析装置

特徴応用例
可視光レーザー照射に伴う抵抗の温度変化によって生じる電流変化を観察
裏面観察可能(Siデバイスは不可)
最大視野6.5mm×6.5mm
SiC、GaNパワーデバイスやTFTデバイスのショート箇所/リーク箇所や高抵抗箇所の特定
EBIC

EBIC

特徴応用例
電子線照射による起電流を観察パワーデバイスやIC内部素子のPN接合位置や空乏層を可視化
EBAC

EBAC

特徴応用例
電子線照射による吸収電流を観察配線の断線、高抵抗箇所の特定

試料加工

レーザカッタ

レーザカッタ

特徴応用例
エキシマレーザおよびUVレーザによる薄膜除去ポリイミド膜/SiN膜の除去やAl配線のカット マーキング
集束イオンビーム装置 FIB

集束イオンビーム装置 FIB

仕様使用例
Gaイオンビームを利用したエッチング WおよびPtのデポジションICチップ内部の配線加工(回路修正) 断面作製および観察 TEM観察試料作製
走査型電子顕微鏡+集束イオンビーム装置 CrossBeam FIB

走査型電子顕微鏡+集束イオンビーム装置 CrossBeam FIB

仕様使用例
超低加速電圧の超高分解能走査型電子顕微鏡 (GEMINIカラム) に集束イオンビーム装置 (FIB) を搭載ICチップの断面作製、構造解析、異物分析、TEM試料作製
分解能SEM1.1nm@20kV、2.5nm@1kV
FIB7nm@30kV

 

回転式研磨台

回転式研磨台

特徴応用例
研磨紙や研磨剤による研磨断面作製や各種前処理
ドライエッチング装置 RIE

ドライエッチング装置 RIE

特徴応用例
プラズマを利用した異方性エッチング 使用ガス : O2、CF4、CHF3ICチップ内部のSiO2膜/SiN薄膜の除去、各種前処理
ウェットベンチ

ウェットベンチ

特徴応用例
各種の化学薬品を利用したエッチングICパッケージの開封、ICチップ内部の薄膜の除去、各種前処理
ミクロトーム

ミクロトーム

特徴応用例
薄片試料の作成、および研磨やFIBでダメージが入りやすい試料の断面作成TEM試料作製 機能性フィルムの断面作成 ラミネートフィルムの断面作成 複合ポリマー材料の断面作成
イオンポリッシャー

イオンポリッシャー

仕様使用例
機械研磨とFIBの中間エリアでの断面作成が可能
研磨では困難な硬軟材料の断面作成が可能
冷却機能(-150℃~)により軟質材料の加工も可能 また、冷却機能熱によりダメージを軽減 ・ピンポイント精度:約10μm ・最大断面作成エリア:2×4mm(材質による)
半導体製品、実装品、ラミネートフィルム、複合材料などの断面作成
傾斜切削装置

傾斜切削装置

仕様使用例
傾斜角度0.2~10° 理論拡大率286~6倍
切削刃:単結晶ダイヤモンド・超硬バイト
試料寸法:70×70 (mm)以下(厚み10mm以下)
適用材料:樹脂、複合材、プラスチック他
薄膜ラミネートフィルム断面作製: 斜め切削により各層の分析エリアを確保
多機能型ダイヤモンド・ワイヤーソー

多機能型ダイヤモンド・ワイヤーソー

仕様使用例
使用ワイヤー:φ100 μm~φ300μm
ワイヤーテンション間隔サイズ: 60 mm
対応機構 :自重式カウンターバラス機構
ワークテーブル : 粗動調整ワークテブル実装
微動調整マイクロメータ実装 (最小メモリ 10 μm) 終点検知センサー実装(マイクロメータ付)
機械研磨装置で対応不可の材料の加工: 水と反応しやすい材料の㎝オーダーでの加工、断面作製 ・イオンポリッシャー加工前の切削加工処理 ・ポリエステル、エチレンビニルアセテートなど 極性、エステル結合を有する材料の加工 機械研磨では、加工時の水による加水分解変質を引き起こす。

物理解析

走査型電子顕微鏡 SEM / FE-SEM

走査型電子顕微鏡 SEM / FE-SEM

特徴応用例
二次電子による表面形状観察 光学顕微鏡に比べ高倍率(数10倍~30万倍程度)で焦点深度が深い各種表面形状観察、微小形状の観察、ICチップ内部や部品実装部分の断面作製後の観察
低真空走査型電子顕微鏡 LV-SEM

低真空走査型電子顕微鏡 LV-SEM

特徴応用例
導電処理なしにSEM観察可能(1万倍程度まで)各種表面形状の観察(実装部品の半田付け部分など)
エネルギー分散型X線分析装置 SEM+EDX / FE-SEM+EDX / LV-SEM+EDX

エネルギー分散型X線分析装置 SEM+EDX / FE-SEM+EDX / LV-SEM+EDX

特徴応用例
特性X線による元素分析(エネルギー分散検出器)
面方向分解能 : 数um
深さ方向分解能 : 数um
検出下限 : 0.1~1%
異物などの元素分析
電子線マイクロアナライザ EPMA / WDX

電子線マイクロアナライザ EPMA / WDX

特徴応用例
特性X線による微小領域の元素分析(波長分散検出器、定量分析)
面方向分解能 : 数um
深さ方向分解能 : 数um
検出下限 : 0.1~1%
実装部品の半田接合などの金属間化合物の元素分析
走査型電子顕微鏡+集束イオンビーム装置 CrossBeam FIB

走査型電子顕微鏡+集束イオンビーム装置 CrossBeam FIB

仕様使用例
超低加速電圧の超高分解能走査型電子顕微鏡 (GEMINIカラム) に集束イオンビーム装置 (FIB) を搭載ICチップの断面作製、構造解析、異物分析、TEM試料作製
分解能SEM1.1nm@20kV、2.5nm@1kV
FIB7nm@30kV
透過型電子顕微鏡 TEM / FE-TEM

透過型電子顕微鏡 TEM / FE-TEM

仕様使用例
透過電子による形状観察
最大分解能 : 0.10nm (格子像)、0.24nm (粒子像)
ICチップのビアやゲート酸化膜、LCDパネルのTFTなどの微小構造のナノレベルの観察
エネルギー分散型X線分析装置 FE-TEM+EDS

エネルギー分散型X線分析装置 FE-TEM+EDS

特徴応用例
特性X線による元素分析(エネルギー分散検出器)
面方向分解能 : 数10nm
深さ方向分解能 : 0.1um (TEM試料厚)
検出下限 : 0.1~1%
層構造構成元素の分析、異物などの元素分析
電子線エネルギー損失分析装置 FE-TEM+EELS

電子線エネルギー損失分析装置 FE-TEM+EELS

特徴応用例
エネルギーフィルタによる元素分析、EDXに比べ軽元素に有効
面方向分解能 : 数10nm
深さ方向分解能 : 0.1um (TEM試料厚)
検出下限 : 0.1~1%
層構造構成元素の分析、異物などの元素分析
TEM試料加工装置
TEM試料加工装置
特徴 応用例
FIB、リフトアウト用マニピュレータ付光学顕微鏡やミクロトームなどTEM試料作製装置 断面および平面TEM観察用試料作製 リフトアウト法によるTEM試料作製
 
低加速 走査透過型電子顕微鏡 STEM/EDX

低加速 走査透過型電子顕微鏡 STEM/EDX

特徴応用例
無染色による有機物の高分解能観察
加速電圧:15~30kV
EDXマッピング可能
有機物全般の高分解能観察
有機多層膜の観察・分析
生体材料の観察(髪の毛等)

 

ウルトラミクロトーム(クライオミクロトーム)

ウルトラミクロトーム(クライオミクロトーム)

特徴応用例
無機・有機物の断面及び超薄切片(70nm~)の作成
低加速STEM/EDXと組み合わせることで無染色で高分解能観察・分析が可能
各種高分子材料
クライオ機能を用いてPE、PP、ゴム材料の加工、ete.

表面分析/無機分析

表面分析

オージェ電子分光分析装置 AES

オージェ電子分光分析装置 AES

仕様使用例
試料の極表面元素分析 Arスパッタと組み合せて深さ方向分析
面方向分解能 : 1um程度
深さ方向分解能 : 2nm程度
検出下限 : 0.1~1%
ICチップの極表面の元素分析/深さ方向分析、ボンディングパッドの分析、異物分析、金属表面の変色の分析
X線光電子分光分析装置 XPS / ESCA

X線光電子分光分析装置 XPS / ESCA

仕様使用例
試料の表面元素分析/化学結合状態の分析 Arスパッタと組み合せて深さ方向分析
面方向分解能 : 300umφ程度
深さ方向分解能 : 2nm程度
検出下限 : 0.1~1%
試料表面の組成分析/結合状態分析、金属表面の変色の分析
飛行時間型二次イオン質量分析装置 TOF-SIMS

飛行時間型二次イオン質量分析装置 TOF-SIMS

特徴応用例
試料の極最表面の有機物/無機物の定性分析(原子/分子) コールドフィンガと組み合せて低温での分析可能
面方向分解能 : 5um程度
深さ方向分解能 : 1nm程度
検出下限 : ppb~ppm
試料表面汚染物質の同定、Siウエハ上の洗浄剤および有機酸の分析、Siウエハ上の異物の分析、LCDパネルの表面汚染物質の分析
顕微赤外分光分析装置 μFT-IR

顕微赤外分光分析装置 μFT-IR

特徴応用例
有機化合物の定性分析
マイクロサンプリング技術と組み合せて微小付着異物(20um程度まで)の分析が可能
面方向分解能 : 6μm以上
有機化合物の同定/構造解析、付着異物の分析、LCDカラーフィルタ上の異物の分析、LCDセル内の微小異物の分析
原子間力顕微鏡 AFM

原子間力顕微鏡 AFM

特徴応用例
試料表面の微小凹凸形状の観察
深さ方向分解能 :  0.1~0.01nm
面方向分解能 : >1nm
試料表面の微小形状の観察、LCDパネル配向膜の観察、ITO膜の観察
微小ダイナミック硬度計

微小ダイナミック硬度計

特徴応用例
微小な場所や数um程度の膜厚の硬度測定硬度測定

化学分析

イオンクロマトグラフ分析装置 IC

イオンクロマトグラフ分析装置 IC

特徴応用例
水溶液中のイオン性微量不純物の定性や定量分析
検出カチオン : Li、Na、NH4、K、Mg、Caなど
検出アニオン : Cl、NO2、Br、NO3、SO4、PO4、有機酸など
検出下限 : 0.1ppm程度 (溶液濃度)
イオン性微量不純物の分析、環境分析
熱分解ガスクロマトグラフ 質量分析装置 熱分解GC/MS

熱分解ガスクロマトグラフ 質量分析装置 熱分解GC/MS

特徴応用例
難溶解性物質、高分子材料、添加物の定性分析
分解温度:160~1040℃(ダブルショット可)
高分子成分の組成分析
例:エポキシ・アクリル硬化物の組成分析 異物の定性分析
反応熱分解ガスクロマトグラフ 質量分析装置 反応熱分解GC/MS

反応熱分解ガスクロマトグラフ 質量分析装置 反応熱分解GC/MS

特徴応用例
誘導体化試薬により試料を高極性化と同時に熱分解
低極性物質の分析
エポキシ硬化物の組成分析
高分子材料の組成分析
ヘッドスペースガスクロマトグラフ 質量分析装置 HS-GC/MS

ヘッドスペースガスクロマトグラフ 質量分析装置 HS-GC/MS

特徴応用例
液体、固体からの揮発成分の定性/定量分析
気化温度:40~200℃
分子量:600程度まで
電子部品、高分子材料からのアウトガス分析
残留溶媒の定性/定量分析
高速液体クロマトグラフ装置 HPLC

高速液体クロマトグラフ装置 HPLC

特徴応用例
可溶性成分の定性・定量分析
検出器:PDA検出器(UV)
フラクションコレクターを組み合わせて分取対応
高分子添加剤の定性・定量分析
LCD液晶の分取
質量分析装置 MS(ESI)

質量分析装置 MS(ESI)

特徴応用例
可溶性成分の定性・定量分析
測定可能分子量:50-2000
検出下限:数十ppb~
LC/MS及び直接注入のインフュージョン対応
各種洗剤の分析(アニオン系、カチオン系、ノニオン系)
アクリル塗料の分析(オリゴマー、重合開始剤)
高分子添加剤の分析(フタル酸系等)
水分測定計

水分測定計

特徴応用例
液体・固体の微量水分測定
検出下限:数ppm~
加熱気化装置と組み合わせることにより固体の水分測定も可能
高分子材料の水分測定
顔料・染料の水分測定
各フィルムの水分測定
接触角計

接触角計

特徴応用例
各試料に対する各溶媒の接触角測定
基本は純水だが、各種溶媒も対応
必要試料サイズ:□1cm~
フィルムの接触角の測定
剥離面の接触角の測定

 

顕微ラマン分光装置

顕微ラマン分光装置

特徴応用例
無機・有機化合物の定性分析(液体・固体)
微小異物分析(1μm~)
ライン・マッピング分析可能
赤外では検知できない微小異物分析
フィルム内部の埋没異物分析
共鳴ラマン分光法を用いた、顔料の定性
高磁場NMR

高磁場NMR

特徴応用例
微量成分の構造解析
1H:800Mhz 19F:400Mhz
LC分取と組み合わせることにより広く対応
LCD液晶の構造解析
有機物の構造解析