走査型電子顕微鏡+集束イオンビーム装置 CrossBeam FIB

ZEISS CrosBeam 1540XB

超低加速電圧で超高分解能の観察が可能な走査型電子顕微鏡(SEM)に集束イオンビーム装置(FIB)を搭載。目的箇所の断面をFIBで加工しながらSEM観察が行えます(リアルタイム観察)。

 

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株式会社アイテス 品質技術
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特徴

  • FE-SEM観察条件下でのミリング加工(リアルタイム観察)
  • 2つの二次電子検出器(In-lens SE検出器/チャンバーSE検出器)による超高分解能SEM観察(GEMINIカラム)
  • エッチングガスによるミリング加工、デポジションガスによる金属膜/絶縁膜の成膜(ガスインジェクションシステム)
  • STEM機能によるTEM試料観察
  • Roentec QuanTaX with XFlash検出器によるEDS分析

 

装置概要

形式

  • 1540XB CrossBeam (ZEISS製)装置写真

SEM

  • GEMINIカラム
  • ショットキーFET
  • In-lens SE検出器/チャンバーSE検出器
  • 分解能: 1.1nm@20kV / 2.5nm@1kV
  • 倍率: 12倍~900,000倍
  • 加速電圧: 100V~30kV

FIB

  • Canionカラム
  • ガリウムLMIS
  • 分解能: 7nm@30kV
  • 倍率: 131倍~640,000倍
  • 加速電圧: 3kV~30kV

ガスインジェクションシステム

  • エッチングガス: H20 (水), XeF2 (フッ化キセノン)
  • デポジションガス: Si02(絶縁膜), Pt (プラチナ), W (タングステン)
  • 試料ステージ: 最大6インチ
    注)試料加工可能範囲には場合により制限があります。
  • STEM: 0.8nm@30kV
  • EDS: 取出角 35°/WD5mm

事例

LSI断面、SEM観察