パワーデバイスのトータルソリューションサービス

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します...

EBSD法による解析例の紹介

EBSD(電子線後方散乱回折:Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法 ...

FIB断面でのLV-SEMとEBIC法による拡散層の観察

FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM / EBICによる拡散層の形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造の解析ができます。...

高温逆バイアス試験 / 高温高湿バイアス試験( パワーデバイス/実装品の信頼性評価 )

高温逆バイアス試験 高温および高電圧(~800V)の逆バイアス印加を行い絶縁劣化・破壊の評価を実施します。 劣化状態はリーク電流を常時測定することにより挙動を把握することができます。 高温高湿バイアス試験 高温高湿状態で...

恒温恒湿下での材料評価試験

製品の構成材料、または開発材料の恒温恒湿試験により、材料の耐湿評価が可能となります。...

GaN HEMT不良部の結晶欠陥解析

GaN HEMT(化合物半導体)にて、電気的な不良箇所を特定後、断面TEMによる結晶解析を行い、リークの原因となる転位の種類を同定し結晶成長の不良を可視化できます。...

銅ワイヤボンディングのX線透過観察

銅ワイヤを、鮮明に観察できるボンディングのX線透過観察事例をご紹介します。...

クロスビームFIBによる断面SEM観察

微細FIB断面加工と高精細なSEM観察...

TEMによる電子部品・材料の解析

TEM(透過型電子顕微鏡)は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。...

パワーデバイスの故障解析

ダイオード・MOS FET・IGBTといったパワーデバイスの不良箇所を特定し観察いたします。 ...

In-Situ常時測定サービス

In-Situ常時測定 信頼性評価試験では、特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。 常時特性を測定しますので、故障発生を見落とすことがありません。...

海外製部品・製品 品質評価サービス

海外製部品・製品に対しての信頼性試験・評価試験のトータルの品質評価サービスを提供します。 ...

発光解析のための半導体の裏面研磨

裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの裏面研磨を行います。...

FIB加工からSEM観察

超低加速電圧で超高分解能の観察が可能な走査型電子顕微鏡(SEM)に集束イオンビーム装置(FIB)を搭載した「リアルタイムイオン電子顕微鏡(CrossBeam FIB、XB-FIB)」により、ナノスケールの試料加工がリアルタイムで観察できます。...

非破壊検査・超音波顕微鏡観察の動画

超音波を利用した超音波顕微鏡での観察により、半導体パッケージ、電子部品及び材料などの内部の構造や界面剥離、ボイド、クラックを観察することが出来ます。 非破壊での観察を行う場合には有効な試験です。...

半導体パッケージ剥離部の非破壊観察( 超音波顕微鏡 )

半導体プラスチックパッケージは保管、実装の条件等によりリードフレームと樹脂間の剥離を起こすことがあり、非破壊での観察が要求されます。...

パワーサイクル試験

パワーモジュールに関する主要な評価項目であるパワーサイクル試験の 受託サービスを始めました。...

裏面IR-OBIRCH解析

ICチップの電流リーク、ショートや高抵抗などの不良箇所を、チップの裏面からサブミクロンの位置精度で特定します。...

アレニウスモデルによる電子部品の寿命予測

一般的に半導体デバイスの劣化の物理、化学的な現象を表すには,アレニウスモデルが用いられます。...

TEMによる結晶材料の解析

TEM(透過型電子顕微鏡)は高分解能での結晶粒観察、電子線回折による結晶構造の解析など、結晶材料解析に最適な手法です。...

イオンマイグレーション試験

イオンマイグレーション発生の要因は技術の進歩によってますます複雑に絡んできています。...

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、 Si半導体とは物理特性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。...

マイクロプローバー、マニピュレータによる 電気的特性の測定

微細配線、極小パッドへの高精度なプローブが必要となる液晶ディスプレイのTFT測定や半導体デバイスの電気的特性測定が可能です。...

短波長レーザーによるOBIRCH解析サービス

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物理特性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 OBIRCH解析の原理 (Optical Bea...