表面分析

オージェ電子分光法による接合部分析

オージェ電子分光法は極表面層 数nm領域の元素分析が可能です。
スパッターエッチングと組合せることにより接合部界面の深さ方向分析も可能です。

TOF-SIMSによる表面汚染・界面活性剤残渣の分析

シリコンウェハ、ガラス基板、プリント配線基板など洗浄工程を必要とする、さまざまな基板上の界面活性剤等の残渣あるいは目に見えない微量汚染物質の解析が可能です。

TOF-SIMSによる液晶パネル中の異物分析

TOF-SIMSによる最表面微量汚染分析 特徴 ・最表面に付着した無機・有機汚染の物質の同定が可能 ・PPMレベルの高感度分析が可能 ・最小5μm領域の点分析から5cm角までの広領域面分析が可能 装置/ION TOF TOF-SIMS IV ・分析イオン     Ga, Ar ・スパッターイオン  Cs, Ar ・検出方法 ・飛行時間型質量分析 ・リフレクター型 ・分析領...

X線光電子分光分析器による化学状態分析

XPS(X線光電子分光法,X-ray Photoelectron Spectroscopy)は極表面層 数nm領域の元素分析と化学状態の分析が可能です。