貫通電極(TSV)の信頼性評価

貫通電極(TSV:Through Silicon Via)は、半導体チップ等を垂直に貫通する電極で、3次元実装を行うのに重要な要素です。
貫通電極(TSV)を使用した実装品の信頼性試験では、常時測定(In-Situ)を行うことにより不良発生の検出・故障時間の把握が可能です。
さらに、物理解析により不良モードを特定することもできます。

TSVの信頼性試験

信頼性試験と評価対象例

  • In-Situ TC
      熱ストレスによるTSVへの機械的な破壊評価
  • In-Situ THB
      TSV間の絶縁性を評価
      TSV周辺配線の剥離・絶縁性評価
  • プリコンディショニング
      TSVへの機械的な破壊
      TSV周辺配線の剥離・絶縁性評価
  • In-Situ EM
  • 高温保存試験

TSVの信頼性試験 (In-Situ TC)

物理解析例

信頼性試験後の断面観察により、TSV下部において、TSVとランドの界面部が破断していることが観察された例。

機械研磨後の断面SEM観察