イオンマイグレーション試験

製品の軽小短への推移によって事前評価としてますます重要な試験となってきています。
ただ一方でイオンマイグレーション発生の要因は技術の進歩によってますます複雑に絡んできています。
評価の概略及び試験実施の内容及び使用している常時測定(In-Situ)装置の有用性について紹介します。

イオンマイグレーション

  • 電界印加と水分が存在すれば金属のイオン化がおこり金属イオンの移動が発生します。
    この金属イオンの移動により金属が析出していき絶縁劣化を起こし最終的には短絡します。
  • 湿度の状態によってマイグレーションの発生状況は異なってきます。

評価方法

  • 環境試験(恒温恒湿試験)
    温度及び湿度環境下に評価サンプルを置き直流電圧(電界)を印加
  • 電気測定
    ・常時測定(In-Situ)による個々の素子の絶縁抵抗値の測定
  • 観察/解析
    ・光学顕微鏡による観察
    評価サンプルの外観観察
    ・走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)による観察
    マイグレーション発生状況の確認
    ・エネルギー分散型X線分析装置(EDX:Energy Dispersive X-ray spectroscopy)による解析
    マイグレーション発生部の元素の同定を行う

常時絶縁抵抗測定データ

  • 時系列測定を行なうことによリークタッチ現象などの不良復帰現象を正確に捉えることが出来ます。
    In-Situ測定による抵抗値測定結果 In-Situ THB試験システム 装置写真

観察・分析(光学観察・SEM観察・EDX解析)

  • 評価試験での不良部の観察・分析によりマイグレーションの発生を確認できます。
    光学観察によりイオンマイグレーションの発生を確認 SEM観察によりイオンマイグレーションの発生を確認 EDX解析によりイオンマイグレーションの発生を確認