発光解析のための半導体の裏面研磨加工

裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの裏面研磨を行います。裏面発光解析を行うため不可欠な前処理です。

裏面エミッション発光のスペクトル分布

デバイス表面の金属配線により 発光解析が困難になる場合があり、裏面発光解析が多用されています。 右図は裏面発光解析のスペクトル分布を表します。Si基板中の光透過率は1000nmから立上がりますが、CCD感度は1200nmで落込んでしまいます。 裏面発光解析はこの部分の発光を捉えるため、Si基板をより薄くする必要があります。

各種試料裏面研磨例

(パッケージ、ICチップ、ウェハ、パワーデバイス、IGBT、DI(ダイオード)に適用可能)

パッケージ
30V,24A(10V),0.04Ω 低抵抗,中耐圧,高濃度Si基板。(200μm厚)
Si研磨(Si厚50um)後のIR像。 配線パターンが見えている
ICチップ
ウエハ
裏面研磨後の光学像
実際の解析では50um程度の薄膜化で解析可能