ULTRA55によるワイヤボンディング部観察

Alワイヤボンド部結晶粒SEM観察

ZEISS FE-SEM ULTRA55

特徴

  • 高輝度電子銃による緻密なSEM画像
  • 極低加速電圧による極表面分析
  • 表面情報に敏感なインレンズSE検出器を装備
  • 2種類の反射電子検出器による組成情報の把握
  • 低加速電圧でも高分解能なEDX分析
  • 無蒸着による観察

SEM観察装置ULTRA55

適用対象

  • ICパッケージ、実装・接合部品、実装基板、LSIデバイス、LCD薄膜
  • 金属表面状態、結晶粒の観察・分析

適用例:MOS-FET Alワイヤボンド部の結晶粒観察

ab
ボンダー圧痕部:ボンダーで押された箇所は結晶粒が細かく変形しているボンディングの影響の少ない箇所:応力の加わりが少ない箇所は結晶粒が大きい
ab
ワイヤ接合箇所(低倍像)ワイヤ接合箇所(高倍像):接合界面には細かな結晶粒が見られる