FIB断面でのLV-SEMとEBIC法による拡散層の観察

FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM / EBICによる拡散層の形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造の解析ができます。

LV-SEM拡散層観察

EBIC解析の原理

  • PN接合の内蔵電位に影響を受けた二次電子(SE2)をInlens検出器で検出します。
  • FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化できます。
LV-SEM拡散層観察
半導体試料に電子ビームを照射すると、ビームのエネルギーにより電子-正孔対が生成され、空乏層の内部電界によって分離され電流が発生します。この電流をEBIC (Electron Beam Induced Current電子ビーム誘起電流)と呼び、2次元のマッピングを取得することで、PN接合部に形成された空乏層を可視化し、軽微な濃度異常でも検出することができます。
EBIC解析の原理

局所的不良箇所に対するEBIC解析の有効性

  • 通常の不良解析では拡散層の可視化は研磨によるSCM解析が必要となる一方、結晶欠陥はFIB加工によるTEM解析が必須になります。従って特定箇所の不具合箇所に対して両方を実施することは出来ません。弊社では極めて高い位置精度で不良箇所を特定し物理解析を行う技術を保有しています。今回、FIBの段階でLV-SEM観察とEBIC解析を行い、さらにTEM解析を行うことが可能になりました。これにより特定の不良箇所について拡散層と結晶構造の両方を解析することができ、不良原因の究明に大きく貢献します。
局所的不良箇所に対するEBIC解析の有効性