パワーデバイスアナライザによる特性評価

半導体デバイスや各種電子部品の信頼性試験において、テストサンプルの評価を実施する必要がありますが、電気特性の測定は最も基本的な評価手法です。

パワーデバイスアナライザ/カーブトレーサ B1505A(キーサイト製)

概要

装置本体

装置本体

最大3000Vの電圧と20Aの電流を出力可能なモジュールを備え、半導体パラメータアナライザの機能とカーブトレーサの測定・出力範囲を併せ持った装置です。

小型部品からパワーデバイスまで、幅広く対応します。

装置構成

テストフィクスチャ

テストフィクスチャ

 ・ハイパワー・ソース/モニタ・ユニット(HPSMU)2

    範囲:-200V~+200V、-1A~+1A

 ・大電流ソース/モニタ・ユニット(HCSMU)1

    範囲:-40V~+40V、-1A~+1A

    範囲(パルス):-20V~+20V、-20A+20A

 ・高電圧ソース/モニタ・ユニット(HVSMU)1

    範囲:-3000V+3000V、-4mA~+4mA

測定項目例

 ・ダイオード  I-V ・・・

 ・MOSFET  VGSS、ID、IDSS、IGSS ・・・

 ・IGBT  ICES、IGES、VGES、VCE ・・・

測定例