OBIRCH/発光解析

パワーデバイスの故障解析

ダイオード・MOS FET・IGBTといったパワーデバイスの不良箇所を特定し観察いたします。

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、 Si半導体とは物理特性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。

短波長レーザーによるOBIRCH解析サービス

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物理特性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 OBIRCH解析の原理 (Optical Beam Induced Resistance CHange) 半導体回路に定電流を流して、OBIRCHアンプで電流の変化をモニターしながら、レーザーを走査しますレーザ...

断面発光解析による橙色LEDのリーク不良解析

裏面と断面からのエミッション発光解析を組合わせることにより、LEDのようにアクティブ素子がチップ内部に存在するデバイスでも不良解析が可能です。

選択波長におけるLED発光解析

Green Deviceとして普及しつつある白色LEDの光源に使用されている青色LEDチップの順バイアス、逆バイアス時のリーク不良箇所を特定します。 発光解析の検出系 LSI故障解析用の可視光用超高感度SI-CCD、および近赤外光用超硬感度InGaAsカメラを装備。近赤外カメラと各種フィルタを組合せ、順バイアス点灯状態におけるリーク箇所の検出が可能です。可視光...

裏面IR-OBIRCH解析

ICチップの電流リーク、ショートや高抵抗などの不良箇所を、チップの裏面からサブミクロンの位置精度で特定します。