パワーデバイスの故障解析

ダイオード・MOS FET・IGBTといったパワーデバイスの不良箇所を特定し観察いたします。 あらゆるサイズ・形状のサンプルに対し,裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析に最適な前処理を行います。

解析の前処理 -裏面研磨-

各種サンプル形態に対応します。( Siチップサイズ200um~15mm角)

不良箇所特定 -裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析-

IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応 感度:数十pA、低倍最大視野:6.5mm角
レーザー加熱による電流変化を信号に変換する。
IR-OBIRCH解析による不良箇所特定
エミッション解析 : ~2kVまで対応 感度:数nA、 低倍最大視野:6.5mm角
リーク電流に伴う微弱発光を高感度カメラで検出する。
エミッション解析による不良箇所

リーク箇所のピンポイント断面観察 -SEM・TEM-

予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し、 リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施することが出来ます。
特定位置精度:±0.3um、試料厚:1.5um~0.1um

ボンディング起因の不良イメージ

裏面OBIRCH後のFIB-SEM観察

FIB-SEMによる拡散層観察(MOS-FET)

  • 機械研磨SEM観察 :
    大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察
  • 拡散層観察:
    TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能。
    構造により前処理が必要な場合あり。
  • FIB-SEM観察 :
    クラック・形状異常・拡散層観察 (~×50k)
  • 断面TEM観察 :
    ゲート酸化膜の破壊・転位 (~×400k)