選択波長におけるLED発光解析

Green Deviceとして普及しつつある白色LEDの光源に使用されている青色LEDチップの順バイアス、逆バイアス時のリーク不良箇所を特定します。

発光解析の検出系

  • LSI故障解析用の可視光用超高感度SI-CCD、および近赤外光用超硬感度InGaAsカメラを装備。
  • 近赤外カメラと各種フィルタを組合せ、順バイアス点灯状態におけるリーク箇所の検出が可能です。
  • 可視光カメラはワイドギャップ半導体の逆バイアス時のリーク箇所の検出に最適です。

順・逆バイアスにおけるリーク発光検出事例

InGaAsカメラ 全波長発光像

解析事例 :
試料は白色LEDパッケージを解体し
蛍光体を除去した、
光源用の発光波長465nm、
サファイア基板上InGaN青色LEDチップを
用いた。

順バイアス、逆バイアスでのリーク不良は、それぞれのメカニズムが異なり、リーク発光の波長も異なるため、別のカメラ、検出方法で解析しその場所を特定する必要があります。

順バイアスリークは非発光中心でのキャリアの再結合の際のエネルギー、逆バイアスリークは強電解中で生成されたホットキャリアが制動輻射の際放出されるブロードな波長の光を検出していると考えられる。

順バイアス リーク発光像
InGaAsカメラ+ 1330nmフィルタ
順バイアス リーク発光像
高倍率 IF=1mA/2.67V
逆バイアス リーク発光像
IF=1mA/2.67V SI-CCDカメラ
逆バイアス リーク発光像
高倍率 IR=5nA/5.5V