ダイオード・MOS FET・IGBTといったパワーデバイスの故障箇所を特定し、観察いたします。
あらゆるサイズ・形状のサンプルに対し,裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析に最適な前処理を行います。
解析の前処理 -裏面研磨-
各種サンプル形態に対応します。( Siチップサイズ200um~15mm角)
故障箇所特定 -裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析-
IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応
感度:数十pA、低倍最大視野:6.5mm角
レーザー加熱による電流変化を信号に変換する。
エミッション解析 : ~2kVまで対応
感度:数nA、 低倍最大視野:6.5mm角
リーク電流に伴う微弱発光を高感度カメラで検出する。
リーク箇所のピンポイント断面観察 -SEM・TEM-
予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し、 不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施することができます。
特定位置精度:±0.3um、試料厚:1.5um~0.1um
- 機械研磨SEM観察 :
大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察 - 拡散層観察:
TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能。
構造により前処理が必要な場合あり。 - FIB-SEM観察 :
クラック・形状異常・拡散層観察 (~×50k) - 断面TEM観察 :
ゲート酸化膜の破壊・転位 (~×400k)