装置スペック

YXLON製 マルチフォーカス Cheetah EVO導入! 電子部品、樹脂部品、ゴム部品、金属部品など、様々な用途に活用できます。 装置外観と主なスペック X線観察は非破壊検査の1手法であり、解析・分析を行う上ではじめ…

透過観察と画像処理技術の併用事例

透過観察と画像処理技術の併用事例 基板配線のパターン異常などでは広範囲の視野から不良箇所の特定は困難であるが、 画像処理ソフトと併用する事で異常部の発見が可能となります。 正常基板の透過X線像 不良基板の透過X線像 配線…

表面実装LED

表面実装型のLEDが過負荷で損傷する瞬間をX線透視観察で捉えた事例 表面実装LED 表面実装型のLEDを通電した状態で、電圧、電流を定格値から徐々に上昇させ、過負荷により不点灯となった過程を撮影した事例です。 X線 観察…

チップ抵抗の観察事例

YXLON製 マルチフォーカス Cheetah EVO導入! 電子部品、樹脂部品、ゴム部品、金属部品など、様々な用途に活用できます。 チップ抵抗の観察事例 チップ抵抗はセラミックスの表面に薄膜状の金属膜(抵抗体)が形成さ…

IC型コイル観察事例

IC型コイルの観察事例 X線による観察では、目的に応じた手法を用いる事で内部の構造を明確に捉える事ができます。 透過観察では金属異物などを素早く捉える事ができ、CT観察では立体的に任意の断面の像が得られる為、位置情報や形…

リフローシミュレーター

YXLON製 マルチフォーカス Cheetah EVO導入! 電子部品、樹脂部品、ゴム部品、金属部品など、様々な用途に活用できます。 リフローシミュレータ リフローシミュレータでは、はんだ付け時のボイドの挙動など、リアル…

MLCCクラック X線観察

実装基板に反り、たわみ、捻じれ等の応力が加わると、MLCC(Multilayer Ceramic Chip Capacitor:積層セラミックチップコンデンサ)内部にクラックが生じることがあります。内部で発生したクラックは電極に隠れている場合が多く、外観からではクラックを確認することが出来ない場合があります。そんな時はX線で確認してみてはいかがでしょうか?…

トグルスイッチのX線観察

実装前のトグルスイッチ部品において、操作レバーが切り換わらない不具合品が見つかりました。X線で透視観察を行ったところ、内部の金属板がズレている様子が観察され、不具合の原因が判明しました。…

ACアダプターのX線観察

出力が安定しないACアダプターをX線観察装置(YXLON社製 Cheetah EVO)により観察したところ、断線部位が発見されました。非破壊で行えるX線観察は初期観察に有効です。…

積層基板の斜めCT観察

斜めCTの最大のメリットは非破壊でCT観察できることです。直行CTが得意とする断層像の観察には不向きですが、平面情報を取得することに適しており、積層基板では各層毎の情報を得ることが可能です。…

品質技術サービス TOP

先進的な独自の提案力で”ものづくり”の真実をとらえ、新しい価値を追求します。  アイテスの品質技術サービスは、日本IBM株式会社の品質保証部門を母体として誕生しました。自動車関連の半導体をはじめと…

故障解析/構造解析

仮ページ:本島さんとすり合わせ必要   故障の把握 / 確認から始まり、電気的な測定、故障箇所の絞込みを経て、故障箇所の物理解析を行い原因を明らかにして、工程にフィードバックする受託分析サービスです。 1.電気特性測定 …

ご依頼の流れ

1.お問合せ・ご相談  まずはお電話やお問合せフォームにてお気軽にご相談ください。 ※お問合せフォームからご相談の場合は、営業担当から3営業日以内にご連絡いたします。     ☎ 077-599-5020 …

化学反応機構研究所

「いったい、どうなってんねん?」にお答えします!  製品の製造過程、および使用時において、いろんな不具合が発生します。 その中でも材料特性に関わるような課題で、「おそらく材料が原因なんだろうけど、何をどうすればよいのかな…

EBSDパターン(菊池パターン)

EBSD(電子線後方散乱回折:Electron Back Scattered Diffraction Pattern)法は、電子線照射により得られた反射電子回折パターンから、材料組織状態を調べる受託分析です。

技術資料

技術資料のダウンロード 技術サービス資料 New! 差分画像を用いた不良部検出   New! 液晶材料とその分析技術 半導体パッケージにおけるCuワイヤボンディングの接合界面について ポリイミド分子構造由来の物性比較 分…

透過型電子顕微鏡

TEM (Transmission Electron Microscopy) 微細構造の解析、および局所領域の元素分析を行います。 特徴 原子レベルでの構造解析が可能 ナノスケールでラインプロファイル、元素マッピングが可…

IR-OBIRCH 解析装置 解析事例紹介

■ 配線TEGのショート不良の解析事例 ■ コンタクトチェーンTEGの高抵抗不良の解析事例■ パワーMOSFETの裏面解析事例→ 原理紹介のページへ 配線TEGのショート不良の解析事例  櫛状の大規模配線TEG(Test…

IR-OBIRCH 解析装置 原理紹介

  ■ IR-OBIRCH の基本原理■ IR-OBIRCH 解析の原理■ SEI 解析の原理 → 解析事例紹介のページへ IR-OBIRCH の基本原理 図1-1のような、絶縁された2本の金属配線①と②がある…

IR-OBIRCH 解析装置

赤外レーザを照射し配線の温度を変化させることにより生じる電流の変化を捉え、ICチップ内部のショート、リークや高抵抗などの不良箇所を特定します。 特徴 パワーデバイス、受発光デバイス、ICチップなどのショート、リーク、高抵…

オージェ電子分光分析

表面および深さ方向の元素分析を行います。 特徴 微小物およびバルク試料の最表面(数nm程度)の元素分析が可能 指定元素に対しての深さ方向分析が可能 装置概要 最高空間分解能 : 1um 最高深さ方向分解能 : 5nm 深…

装置一覧

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