走査型電子顕微鏡+集束イオンビーム装置 CrossBeam FIB

ZEISS CrosBeam 1540XB

特徴

• FE-SEM観察条件下でのミリング加工（リアルタイム観察）
• 2つの二次電子検出器（In-lens SE検出器／チャンバーSE検出器）による超高分解能SEM観察（GEMINIカラム）
• エッチングガスによるミリング加工、デポジションガスによる金属膜/絶縁膜の成膜（ガスインジェクションシステム）
• STEM機能によるTEM試料観察
• Roentec QuanTaX with XFlash検出器によるEDS分析

装置概要

形式

• 1540XB　CrossBeam (ZEISS製)

SEM

• GEMINIカラム
• ショットキーFET
• In-lens SE検出器/チャンバーSE検出器
• 分解能：　1.1nm@20kV / 2.5nm@1kV
• 倍率：　12倍～900,000倍
• 加速電圧：　100V～30ｋV

FIB

• Canionカラム
• ガリウムLMIS
• 分解能：　7nm@30kV
• 倍率：　131倍～640,000倍
• 加速電圧：　3ｋV～30ｋV

ガスインジェクションシステム

• エッチングガス：　H₂0 （水）, XｅF₂ （フッ化キセノン）
• デポジションガス：　Si0₂（絶縁膜）, Pt （プラチナ）, W （タングステン）
• 試料ステージ：　最大6インチ
  注）試料加工可能範囲には場合により制限があります。
• STEM：　0.8nm@30kＶ
• EDS：　取出角　35°/WD5mm

事例

LSI断面、SEM観察