TOF-SIMSによる界面活性剤残渣の分析 電子部品の製造には数多くの洗浄工程がありますが、しばしば界面活性剤残渣により汚染問題が発生します。これらはTOF-SIMSによるイオンイメージ分析が有効です。 試料の光学顕微鏡観察 Si半導体のウェハプロセスにて観察された異物の元素分析と同時に、その由来を確認するため、TOF-SIMSによるイメージ分析を行います。左図中の赤枠は分析領域を示します。TOF-SIMSは無機物・有機物をppmオーダーの感度で検出できるため、多くの情報を得ることができます。 TOF-SIMSによるイオンイメージ分析 TOF-SIMSにより次のような二次イオンが検出されました。元素イオン:Na Al Fe有機物イオン:C18H29SO3– (m/z 325):C8H7SO3– (m/z 183)金属異物(アルミ、鉄)の周辺にラウリル・ベンゼン・スルホン酸塩(推定物質)の汚染があることが判明しました。異物は洗浄工程より発生していることが推定されました。 お問い合わせはこちらから 株式会社アイテス 品質技術部 TEL:077-599-5020 メールでのお問い合わせはこちらから