電子部品の製造には数多くの洗浄工程がありますが、しばしば界面活性剤残渣により
汚染問題が発生します。
これらはTOF-SIMSによるイオンイメージ分析が有効です。
試料の光学顕微鏡観察
Si半導体のウェハプロセスにて観察された異物の元素分析と同時に、その由来を確認するため、TOF-SIMSによるイメージ分析を行います。
左図中の赤枠は分析領域を示します。
TOF-SIMSは無機物・有機物をppmオーダーの感度で検出できるため、多くの情報を得ることができます。
TOF-SIMSによるイオンイメージ分析
TOF-SIMSにより次のような二次イオンが検出されました。
元素イオン：Na Al Fe
有機物イオン：C18H29SO3– (m/z 325)
：C8H7SO3– (m/z 183)
金属異物（アルミ、鉄）の周辺にラウリル・ベンゼン・スルホン酸塩（推定物質）の汚染があることが判明しました。
異物は洗浄工程より発生していることが推定されました。