TOF-SIMSによる界面活性剤残渣の分析

電子部品の製造には数多くの洗浄工程がありますが、しばしば界面活性剤残渣により
汚染問題が発生します。

これらはTOF-SIMSによるイオンイメージ分析が有効です。

試料の光学顕微鏡観察

Si半導体のウェハプロセスにて観察された異物の元素分析
と同時に、その由来を確認するため、TOF-SIMSによる
イメージ分析を行う。

左図中の赤枠は分析領域を示す。
TOF-SIMSは無機物・有機物をppmオーダーの感度で検出
できるため、多くの情報を得ることができる。

TOF-SIMSによるイオンイメージ分析

TOF-SIMSにより次のような二次イオンが検出された。

元素イオン:Na Al Fe
有機物イオン:C18H29SO3 (m/z  325)
:C8H7SO3 (m/z  183)

金属異物(アルミ、鉄)の周辺にラウリル・ベンゼン・スルホン酸塩(推定物質)の汚染があることが判明。
異物は洗浄工程より発生していることが推定される。