ESD・ラッチアップ | 株式会社アイテス https://www.ites.co.jp Tue, 08 Apr 2025 07:31:11 +0000 ja hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.9.9 ESD(HBM・MM)試験受託サービス https://www.ites.co.jp/guarantee/index/evaluation/esd_hbm-mm.html Tue, 01 Feb 2022 07:32:45 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=guarantee&p=33887 半導体製品およびそれを含む電子部品の信頼性として重要なHuman Body ModelとMachine ModelのESDによる 破壊に対する耐性を評価するESD(HBM・MM)試験サービスを提供いたします。 特徴 ・5...

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半導体製品およびそれを含む電子部品の信頼性として重要なHuman Body ModelとMachine ModelのESDによる

破壊に対する耐性を評価するESD(HBM・MM)試験サービスを提供いたします。

特徴

・512ピンまでのICモジュール、半導体製品、サブシステム等の製品に対応いたします。

・512ピン以上の製品についても一部対応いたします。(要相談)

・ESDA/JEDEC、JEITA、AEC、IEC等の国内外の主要規格に対応した試験を実施いたします。

・お客様のご要望や目的に応じた試験をご提案、実施いたします。

・耐性に問題があった場合、故障解析/原因究明等の問題解決のお手伝いいたします。

装置概要 評価内容

・HBM試験(C=100pF、R=1.5kΩ) ±5V～±4000V(Step:5V)

・MM試験(C=200pF、R=0Ω) ±5V～±2000V(Step:5V)

・単一/ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等の多様な

　印加条件に対応いたします。

・破壊判定方法：保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、

　VoL/VoH特性評価、電源ピンの特性評価の4種類に対応いたします。

・ソケットや専用の変換基板等の手配から試験用DUTボード作製

　から試験まで対応いたします。　

保護ダイオード特性測定事例

保護ダイオード特性測定事例

試験装置

ESD(HBM・MM)試験受託サービス　装置概要/評価内容

ESD・ラッチアップテスター(M7000-512EL)

東京電子交易製

試験ボード・印加ユニット （赤ラベル：HBM、白ラベル：MM)

試験ボード・印加ユニット

（赤ラベル：HBM、白ラベル：MM)

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株式会社アイテス　品質技術部
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正規品又は標準品と調査対象品を比較し、構造などの差異やサイレントチェンジされていないか等を調査します。　(外観観察/開封観察/電気的特性測定/破壊・非破壊観察/信頼性試験/材料調査など。)

外観観察　

目視観察、マイクロスコープを使用した観察を行い、形状や表面状態を確認します。

X線観察

X線装置を用いて内部構造を比較観察します。

電気的測定　　　　　　 　　　

データシートの項目中から 実施可能な 電気的特性測定を実施します。

開封観察

信頼性試験 　　　　　　　　 　　　

データシートに基き、恒温恒湿試験、 恒温試験、温度サイクル試験等の環境 試験（保存/動作）を実施します。

材料調査

各種材料分析にて部材の調査を行います。
  • 正規品又は標準品をご準備ください。
  • 実施項目、納期、費用等のご相談は下記お問い合わせよりお問い合わせください。
  • なお、最終的な部品ご使用のご判断はご依頼者様でお願いいたします。
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The post 真贋調査（比較観察） first appeared on 株式会社アイテス.]]> 高温ラッチアップ試験 https://www.ites.co.jp/guarantee/index/evaluation/ht_latch_up.html Thu, 24 Dec 2020 08:00:18 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=6754 受託試験　ラッチアップ試験のご紹介です。
CMOS　ICおよびそれを含む半導体製品の信頼性として重要な、ラッチアップ破壊に対する耐性を評価します。...

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近年､デバイスの最大使用周囲温度条件下でのラッチアップ試験の需要が増加しています｡
特に車載部品用のAEC規格では､ClassⅡ(最大使用周囲温度)の試験条件のみとなっています｡
高温状態での動作が要求されるデバイスでは、高温でのラッチアップ試験が推奨されています｡

ラッチアップ試験の主要規格

ラッチアップ試験の主要規格

仕様

温度範囲 ： 50℃～150℃

加熱方式 ： 温風による加熱（フィクスチャボード上のソケット･デバイス等を熱風発生器で加温）

制御方法 ： デバイス付近にセンサーを設置し 温度調節器で制御（温度センサ：Pt100）
      　　　　事前確認としてデバイス表面温度を測定し､ヒーターの出力値を調整します

試験装置 ： ESD/ラッチアップテスタ M7000A-512EL

装置仕様 ： VCC電源搭載数 4台（VCC1：100V/0.5A､ VCC2～VCC4：50V/1A）
               ： 電源過電圧印加法のVCC電圧+VTパルス電圧は､最大150Vまで設定可能

試験実施状況

高温ラッチアップ用加熱治具
サンプルの加熱状況
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高温/低温の温度状態でのI－V特性変動評価を行い、不良要因の推定及び次過程の評価・分析解析の選択より不具合メカニズムの解明へ進めます。...

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I-V特性測定結果

  • 測定結果より不良モードの判別を行うことができます。

(28-1)dc_graph

(28-2)dc_data

温度特性評価

  • 高温/低温の温度状態でのI－V特性変動評価
  • 不良要因の推定及び次過程の評価・分析解析の選択より不具合メカニズムの解明へ進めます。
I－V特性変動不良推定要因評価試験・分析解析
有特性劣化／異物　等⇒信頼性試験による劣化加速
無ハードダメージ　等⇒破壊検査(パッケージ開封・チップ物理解析)
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CMOS　ICおよびそれを含む半導体製品の信頼性として重要な、ラッチアップ破壊に対する耐性を評価します。...

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CMOS ICおよびそれを含む半導体製品の信頼性として重要な、ラッチアップ破壊に対する耐性を評価するラッチアップ試験サービスを提供いたします。

特徴

  • 512ピンまでのICモジュール、電子部品、サブシステム等の製品に対応いたします。
  • 512ピン以上の製品についても一部対応いたします。（要相談）
    JEDEC、JEITA、AEC等の国内外の主要規格に対応した試験を提供いたします。
  • お客様のご要望や目的に応じた試験をご提案、実施いたします。
    万一耐性に問題があった場合には、故障解析・原因究明から問題解決までをお手伝いいたします。

サービス内容

  • 電流パルス印加法（JEDEC･JEITA･AEC）
  • 電源過電圧法（JEDEC･JEITA･AEC）
  • 電圧パルス印加法（AEC）
  • ESDパルス印加法（参考試験）
  • ラッチアップ判定法 （JEDEC方式・電流定義方式）
  • 試験前後の保護ダイオード特性測定にも対応いたします。
  • ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応いたします。

2016年12月に装置仕様を変更しました
《主な変更点》

  • VCC電源搭載数　2台⇒4台に増加
    （100V/0.5A：１台、50V/1A：3台）
    多電源デバイスの対応が可能
  • 電圧パルス印加法にも対応可能
  • 電源過電圧法の最大電圧が150Vに対応
    （VCC電圧+VTパルス電圧⇒最大150V）

試験装置

ESD・ラッチアップテスター M7000 / 東京電子交易製
ESD・ラッチアップテスター M7000 / 東京電子交易製
試験ボード・印加ユニット
試験ボード・印加ユニット
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