In-Situ | 株式会社アイテス https://www.ites.co.jp Tue, 22 Oct 2024 06:08:20 +0000 ja hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.9.9 積層セラミックコンデンサ連続通電試験 https://www.ites.co.jp/guarantee/index/reliability/condenser_power_supply_test.html Tue, 25 Jul 2023 06:15:56 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=guarantee&p=41158 故障モードをショート(短絡)と仮定して高温・高温高湿の環境下で直流電圧を連続通電しながら漏れ電流の変化を常時測定で把握する高温・高温高湿連続通電試験が可能です。 メーカー別、ロット別等の複数の製品の実力を比較する有効な手...

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故障モードをショート(短絡)と仮定して高温・高温高湿の環境下で直流電圧を連続通電しながら漏れ電流の変化を常時測定で把握する高温・高温高湿連続通電試験が可能です。 メーカー別、ロット別等の複数の製品の実力を比較する有効な手法の一つと考えます。試験基板の設計や作製から対応いたします。

連続通電試験の流れ(基板設計・作製～サンプル実装～通電試験～データ報告)

サンプル仕様

試験条件等の確認

在庫基板の使用

使用可

arrow2

使用不可

回路図作成・基板設計

ガーバーデータ作成

必要に応じて、デバイス実装用基板の設計から実施します

メタルマスク作製
（実装メーカー等）

基板製造

（基板メーカー）

試験基板の例 (3225Mサイズ)

その他のサイズ（0603・1005等）にも対応可

試験デバイス実装

（実装メーカー）

リフローはんだ付けプロファイル

（デバイスによって、物温調整を行います）

試験デバイス実装

（実装メーカー）

試験デバイス実装

リフローはんだ付けプロファイル

（デバイスによって、物温調整を行います）

試験デバイス実装後基板

からの配線引き出し

試験前

LCRメータでの容量測定

試験槽・モニタリング装置

への接続・設置

モニタリング装置は抵抗ボード経由で

サンプルと接続しリーク電流値換算を行う

試験槽・モニタリング装置

への接続・設置

モニタリング装置は抵抗ボード経由で

サンプルと接続しリーク電流値換算を行う

連続通電試験の実施

リーク電流モニタリング

装置外観

環境試験槽(右) ・ モニタリング装置(左)

連続通電試験の実施

リーク電流モニタリング

装置外観

環境試験槽(右) ・ モニタリング装置(左)

試験後

LCRメータでの容量測定

試験後には容量測定を実施し

容量劣化の程度を確認することも可能

試験後

LCRメータでの容量測定

試験後には容量測定を実施し

容量劣化の程度を確認することも可能

モニタリングデータおよび

容量測定データまとめ

モニタリングデータの例

(リーク電流の推移)

モニタリングデータおよび

容量測定データまとめ

モニタリングデータの例

(リーク電流の推移)

試験終了・報告書作成

＊一部の工程は､協力会社様にて実施致します

お問い合わせはこちらから
株式会社アイテス　品質技術部
TEL:077-599-5020
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The post 積層セラミックコンデンサ連続通電試験 first appeared on 株式会社アイテス.]]> パワーデバイスの逆バイアス試験（最大2000V） https://www.ites.co.jp/guarantee/index/reliability/power_device_testing.html Fri, 31 Mar 2023 06:45:54 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=guarantee&p=40057 パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の高温逆バイアス試験(HTRB)が最大2000Vまで印加可能です。リーク電流のモニタリングを行い､デバイスの劣化状況の推移が確認できます｡ 特徴 ・ 最大2000Vを印加してパワーデバ...

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パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の高温逆バイアス試験(HTRB)が最大2000Vまで印加可能です。リーク電流のモニタリングを行い､デバイスの劣化状況の推移が確認できます｡

特徴

・ 最大2000Vを印加してパワーデバイスの高温逆バイアス試験が可能です。

・ 高温及び高電圧通電によりデバイス劣化及び特性等の評価が可能です｡

・ 試験中のリーク電流のモニタリングにより､リアルタイムでデバイスの劣化状況が把握できます｡

・ 電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼしません。

・不良基準（電流値）の設定が可能で不良判定デバイスの電源を不良判定時に遮断することができます。

仕様･サービス内容

試験電圧 ：最大DC2000Vまで印加可能

印加電流 ：最大14mA

試験数量 ：最大8個（電源独立）

対応モジュール ：TO-247､TO-220 等 (その他のパッケージは接続方法など要相談) 

測定内容 ：リーク電流のモニタリング 

温度範囲 ：最大 200℃ （高温高湿の場合  85℃ / 85％）

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The post パワーデバイスの逆バイアス試験（最大2000V） first appeared on 株式会社アイテス.]]> 真贋調査（比較観察） https://www.ites.co.jp/guarantee/index/evaluation/authenticity.html Tue, 21 Sep 2021 03:00:18 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=guarantee&p=31222 正規品又は標準品と調査対象品を比較し、構造などの差異やサイレントチェンジされていないか等を調査します。(外観観察/開封観察/電気的特性測定/破壊・非破壊観察/信頼性試験/材料調査など。)...

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正規品又は標準品と調査対象品を比較し、構造などの差異やサイレントチェンジされていないか等を調査します。　(外観観察/開封観察/電気的特性測定/破壊・非破壊観察/信頼性試験/材料調査など。)

外観観察　

目視観察、マイクロスコープを使用した観察を行い、形状や表面状態を確認します。

X線観察

X線装置を用いて内部構造を比較観察します。

電気的測定　　　　　　 　　　

データシートの項目中から 実施可能な 電気的特性測定を実施します。

開封観察

信頼性試験 　　　　　　　　 　　　

データシートに基き、恒温恒湿試験、 恒温試験、温度サイクル試験等の環境 試験（保存/動作）を実施します。

材料調査

各種材料分析にて部材の調査を行います。
  • 正規品又は標準品をご準備ください。
  • 実施項目、納期、費用等のご相談は下記お問い合わせよりお問い合わせください。
  • なお、最終的な部品ご使用のご判断はご依頼者様でお願いいたします。
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The post 真贋調査（比較観察） first appeared on 株式会社アイテス.]]> パワーデバイスのHAST試験 https://www.ites.co.jp/guarantee/index/reliability/hast_pd.html Fri, 30 Oct 2020 08:00:30 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=1529 MOSFET･IGBT等のパワーデバイスに対して高温･高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能です｡漏れ電流をモニタリングを行い､デバイスの劣化状況の推移が確認できます｡ 特徴 ・最大1000Vを印加してパワーデバイスの...

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MOSFET･IGBT等のパワーデバイスに対して高温･高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能です｡
漏れ電流をモニタリングを行い､デバイスの劣化状況の推移が確認できます｡

特徴

・最大1000Vを印加してパワーデバイスの不飽和蒸気加圧試験が可能です。
・高温高湿下での通電により金属配線の腐食やマイグレーション等の評価が可能です｡
・試験中にモニタリングを行うので､リアルタイムで試料の劣化状況が把握できます｡

仕様･サービス内容

試験電圧  ：最大DC1000Vまで印加可能 (正極コモン･保護抵抗110kΩ)
試験数量  ：最大30個 (正極側)
対応モジュール  ：TO-247､TO-220 等 (その他のパッケージは要相談：ソケット調達可)
測定内容  ：漏れ電流のモニタリング
試験装置  ：温度制御範囲 105.0℃～142.9℃  湿度制御範囲 75%RH～100%RH
　　　　　  圧力範囲  0.020～0.196MPa（ゲージ圧）

【HASTチャンバー】
EHS-221M  (エスペック製)

【参考モニターデータ】
試験条件：130℃/85%RH/DC1000V印加

試験条件例：JESD22-A110E､ JEITA ED-4701-100A(試験方法302A)等

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The post パワーデバイスのHAST試験 first appeared on 株式会社アイテス.]]> コンデンサ高温負荷(直流連続)試験 https://www.ites.co.jp/guarantee/index/evaluation/condensare.html Tue, 12 Aug 2014 02:29:00 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=6871 受託試験　コンデンサ高温負荷(直流連続)試験のご紹介です。
タンタルコンデンサや積層セラミックコンデンサに高い温度・電圧を与えて信頼性評価を実施します。様々な温度・電圧条件に対応した高温負荷試験をご提案します。...

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タンタルコンデンサや積層セラミックコンデンサの信頼性評価はより高い温度・電圧を与えて実施いたします。様々な温度・電圧条件に対応した高温負荷試験をご提案いたします。

高温負荷試験(規格準拠～様々な試験条件に対応可)

色々な温度･電圧条件で加速試験が可能

規格(JIS等)に沿った試験をはじめ､御希望の温度･電圧条件での加速試験が可能です｡ 

メーカー別･ロット別の製品実力比較に有効な評価の一つと考えられます｡

また､耐湿負荷試験の評価も可能です｡

 高温負荷試験装置

常時測定により劣化発生を把握可能

In-Situ常時測定を実施することにより、製品の劣化状態及び劣化時間を確認できます。

常時測定試験回路図

1005サイズの形状から試験が可能

SMDパッケージ1005～6032サイズに対応した試験専用基板を準備しています｡

専用基板への実装も対応いたします｡

試験項目例

  • 高温負荷試験（直流電圧）､高温放置試験
  • 耐湿負荷試験(直流電圧)､耐湿放置試験
  • 温度サイクル試験､はんだ耐熱性試験
  • 絶縁抵抗劣化試験（自社製の抵抗連続モニター試験装置使用）
  • 他､過電圧印加･逆電圧印加　等､

必要に応じて対応致します｡

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特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。
常時特性を測定しますので、故障発生を見落とすことがありません。...

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IIn-Situ 常時測定 信頼性評価試験では、特性を測定しながらストレスを印加し、試験を行います。

常時特性を測定しますので、故障発生を見落とすことがありません。

特徴

  • 信頼性試験の実施中、常時測定を行うため、正確な故障時間の把握が可能です。
  • 市場にて重大問題を引起す可能性のある、回復性不良を検出することが可能です。
  • 試料へのストレス印加状況、測定データがリアルタイムで確認できます。
 

サービスメニュー

In-Situ HAST/THB試験

高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニターを実施します。

プリント基板、半導体パッケージ製品などのイオンマイグレーションなどの不良モードの検出が可能です。

最大120チャネル測定

In-Situ THB試験システム

ＴＨＢ 抵抗値測定結果

In-Situ TC試験

温度サイクル環境下の微小抵抗値の連続モニターを実施。プリント基板、半導体パッケージ製品などの半田接合部評価が可能。

最大120チャネル測定

In-Situ TC試験システム

ＴC 抵抗値測定結果

In-Situ EM試験

高温環境下にて電流印加しながら導通抵抗値の連続モニターを実施。

プリント基板、半導体パッケージ製品などのEM（エレクトロマイグレーション）の検出が可能。

最大60チャネル測定

In-Situ EM試験システム

EM 抵抗値測定結果

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The post In-Situ 常時測定 信頼性評価試験サービス first appeared on 株式会社アイテス.]]> 低抵抗In-Situ常時測定試験 https://www.ites.co.jp/guarantee/index/reliability/insitu_low.html Fri, 08 Aug 2014 04:07:56 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=6660 受託試験　低抵抗In-Situ常時測定試験のご紹介です。
信頼性試験環境下においてのストレスを印加しながら導通(低抵抗値)の変化を常時測定することが出来ます。多層基板や微細配線基板等の評価を行なうことがあります。...

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多層基板や微細配線基板等の評価において、低抵抗値での測定を行なうことがあります。

In-Situ常時測定試験は、信頼性試験環境下においてのストレスを印加しながら導通(低抵抗値)の変化を常時測定することが出来ます。

低抵抗測定システム仕様

測定項目抵抗値／温度
抵抗測定チャネル数最大　120ch
抵抗測定チャネル数最大　10ch
抵抗測定法４端子法
温度測定熱伝対（T型）
測定間隔標準　60sec
測定範囲10mΩ　～　10KΩ
確度±１mΩ
測定データ記録毎測定時

In-Situ TC試験装置　/　低抵抗測定結果

25-1(insitu_diagram)
低抵抗In-Situ TC試験装置[/one-half]

低抵抗値によりストレス中の時間経過変動を測定することが今までの装置では困難であった試料に対しても劣化推移を捉えることが可能です。

 

25-2(insitu_low)低抵抗測定結果（各サイクル最大値）
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The post 低抵抗In-Situ常時測定試験 first appeared on 株式会社アイテス.]]> イオンマイグレーション試験 https://www.ites.co.jp/guarantee/index/reliability/ionic_migration.html Wed, 31 Jul 2013 09:56:31 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=3191 受託試験　イオンマイグレーション試験のご紹介です。
製品の軽小短への推移によって事前評価としてますます重要な試験となってきています。評価の概略及び試験実施の内容及び使用している常時測定(In-Situ)装置の有用性について紹介します。...

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製品の軽小短への推移によって事前評価としてますます重要な試験となってきています。
ただ一方でイオンマイグレーション発生の要因は技術の進歩によってますます複雑に絡んできています。
評価の概略及び試験実施の内容及び使用している常時測定(In-Situ)装置の有用性について紹介します。

イオンマイグレーション

  • 電界印加と水分が存在すれば金属のイオン化がおこり金属イオンの移動が発生します。
    この金属イオンの移動により金属が析出していき絶縁劣化を起こし最終的には短絡します。
  • 湿度の状態によってマイグレーションの発生状況は異なってきます。

評価方法

  • 環境試験（恒温恒湿試験）
    温度及び湿度環境下に評価サンプルを置き直流電圧（電界）を印加
  • 電気測定
    ・常時測定(In-Situ)による個々の素子の絶縁抵抗値の測定
  • 観察/解析
    ・光学顕微鏡による観察
    評価サンプルの外観観察
    ・走査型電子顕微鏡（SEM：Scanning Electron Microscope）による観察
    マイグレーション発生状況の確認
    ・エネルギー分散型X線分析装置（EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy）による解析
    マイグレーション発生部の元素の同定を行う

常時絶縁抵抗測定データ

  • 時系列測定を行なうことによリークタッチ現象などの不良復帰現象を正確に捉えることができます。
    In-Situ測定による抵抗値測定結果　23-1(thb)

観察・分析（光学観察・SEM観察・EDX解析）

  • 評価試験での不良部の観察・分析によりマイグレーションの発生を確認できます。
    光学観察によりイオンマイグレーションの発生を確認　SEM観察によりイオンマイグレーションの発生を確認　EDX解析によりイオンマイグレーションの発生を確認
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