アイテス
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◆ 新サービス:SiCウェハ欠陥検査 受託測定

この度、弊社はSiCに対する、PL(Photo Luminescence)観察の受託サービスを開始いたしました。
SiCの欠陥観察についてPL手法はおなじみのものですが、今回のサービスご提供のポイントは以下の通りです。

・BPD(基底面転位)を確実に捉えて、画像を取得
・ご依頼しやすいリーズナブルな価格、かつ、短納期でご提供可能
・オプションとして、バッファ層のBPDの画像もご提供可能

貴社、貴研究室での研究活動の補助としてお気軽にご利用ください。

代表的な観察条件

PL観察例

試料    :4H-SiCエピタキシャルウェハ
励起波長  :313 nm
PL観察波長:700 nm以上
PL観察       :1視野 2.66mm角、分解能 :2.6 μm/pixel
成果物        :画像データ(生データx視野数、全体画像)
価格            :5万円/枚
納期            :最短2日

*クリーンルーム対応はしておりません

上記試料は、名古屋工業大学 加藤正史准教授との共同研究による
(JST A-step JPMJTM19CPからの補助事業)

限定特典:BPD 欠陥検出データ

ご依頼いただいたPL観察の画像から、基底面転位(BPD)を検出した欠陥位置データを無償で提供いたします。
・BPDの欠陥位置データ(CSV形式)
・BPD位置をプロットした欠陥マップ画像
・PL観察画像表示時に、欠陥位置をマークして表示

 ご注文の流れ

バッファ層のBPDのPL観察(オプション)

従来のPL観察では検出できなかった、バッファ層のBPDを検出することが可能になりました。
これまでバッファ層ではBPDが非発光となり、観察することができませんでした。新しい観察手法では、バンド端発光を観察し、非発光の暗線をバッファ層のBPDとして捉えます。
観察波長で380 nmを選択していただきますと、こちらのバッファ層のBPD観察をご提供いたします。

PL観察内容のバリエーション

お客様がお持ちの、観察対象、見つけたい欠陥、観察する目的など、様々なニーズに応じた最適な観察条件を提案いたします。
お気軽にご相談ください。

観察対象
●ウェハ
対象サイズ:2~6 インチ

※一部の領域のご指定や、任意の大きさの個片などにも対応いたします。

●モジュール
PL観察が可能なように、パッケージ開封、チップ取出し、電極除去後、観察いたします。

観察波長
捉えたい欠陥の種類に応じて観察波長をご選択いただけます。

観察視野
2サイズの視野からご選択いただけます。

※観察内容については、事前に打ち合わせにて詳細を決めさせていただきます。

アイテス各サービスについてのお問い合わせ
分析解析・信頼性評価(品質技術 営業)TEL:077-599-5020 TEL:077-599-5020  パネル検査装置(製品開発 営業)TEL:077-599-5040 TEL:077-599-5040  電子機器修理(テクニカルサポートセンター)TEL:077-599-5031 TEL:077-599-5031 
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