この度、弊社はSiCに対する、PL（Photo Luminescence）観察の受託サービスを開始いたしました。
SiCの欠陥観察についてPL手法はおなじみのものですが、今回のサービスご提供のポイントは以下の通りです。
・BPD（基底面転位）を確実に捉えて、画像を取得
・ご依頼しやすいリーズナブルな価格、かつ、短納期でご提供可能
・オプションとして、バッファ層のBPDの画像もご提供可能
貴社、貴研究室での研究活動の補助としてお気軽にご利用ください。
代表的な観察条件
PL観察例
試料 ：4H-SiCエピタキシャルウェハ
励起波長 ：313 nm
PL観察波長：700 nm以上
PL観察 ：1視野 2.66ｍｍ角、分解能 ：2.6 μm/pixel
成果物 ：画像データ（生データｘ視野数、全体画像）
価格 ：5万円/枚
納期 ：最短2日
＊クリーンルーム対応はしておりません
上記試料は、名古屋工業大学 加藤正史准教授との共同研究による
（JST A-step JPMJTM19CPからの補助事業）
限定特典：BPD 欠陥検出データ
ご依頼いただいたPL観察の画像から、基底面転位（BPD）を検出した欠陥位置データを無償で提供いたします。
・BPDの欠陥位置データ（CSV形式）
・BPD位置をプロットした欠陥マップ画像
・PL観察画像表示時に、欠陥位置をマークして表示
ご注文の流れ
バッファ層のBPDのPL観察（オプション）
従来のPL観察では検出できなかった、バッファ層のBPDを検出することが可能になりました。
これまでバッファ層ではBPDが非発光となり、観察することができませんでした。新しい観察手法では、バンド端発光を観察し、非発光の暗線をバッファ層のBPDとして捉えます。
観察波長で380 nmを選択していただきますと、こちらのバッファ層のBPD観察をご提供いたします。
PL観察内容のバリエーション
お客様がお持ちの、観察対象、見つけたい欠陥、観察する目的など、様々なニーズに応じた最適な観察条件を提案いたします。
お気軽にご相談ください。
観察対象
●ウェハ
対象サイズ：2～6 インチ
※一部の領域のご指定や、任意の大きさの個片などにも対応いたします。
●モジュール
PL観察が可能なように、パッケージ開封、チップ取出し、電極除去後、観察いたします。
観察波長
捉えたい欠陥の種類に応じて観察波長をご選択いただけます。
観察視野
2サイズの視野からご選択いただけます。
※観察内容については、事前に打ち合わせにて詳細を決めさせていただきます。