◆ 新サービス:SiCウェハ欠陥検査 受託測定 この度、弊社はSiCに対する、PL(Photo Luminescence)観察の受託サービスを開始いたしました。SiCの欠陥観察についてPL手法はおなじみのものですが、今回のサービスご提供のポイントは以下の通りです。・BPD(基底面転位)を確実に捉えて、画像を取得・ご依頼しやすいリーズナブルな価格、かつ、短納期でご提供可能・オプションとして、バッファ層のBPDの画像もご提供可能貴社、貴研究室での研究活動の補助としてお気軽にご利用ください。 代表的な観察条件 PL観察例 試料 :4H-SiCエピタキシャルウェハ励起波長 :313 nmPL観察波長:700 nm以上PL観察 :1視野 2.66mm角、分解能 :2.6 μm/pixel成果物 :画像データ(生データx視野数、全体画像)価格 :5万円/枚納期 :最短2日*クリーンルーム対応はしておりません 上記試料は、名古屋工業大学 加藤正史准教授との共同研究による(JST A-step JPMJTM19CPからの補助事業) 限定特典:BPD 欠陥検出データ ご依頼いただいたPL観察の画像から、基底面転位(BPD)を検出した欠陥位置データを無償で提供いたします。・BPDの欠陥位置データ(CSV形式)・BPD位置をプロットした欠陥マップ画像・PL観察画像表示時に、欠陥位置をマークして表示 ご注文の流れ バッファ層のBPDのPL観察(オプション) 従来のPL観察では検出できなかった、バッファ層のBPDを検出することが可能になりました。これまでバッファ層ではBPDが非発光となり、観察することができませんでした。新しい観察手法では、バンド端発光を観察し、非発光の暗線をバッファ層のBPDとして捉えます。観察波長で380 nmを選択していただきますと、こちらのバッファ層のBPD観察をご提供いたします。 PL観察内容のバリエーション お客様がお持ちの、観察対象、見つけたい欠陥、観察する目的など、様々なニーズに応じた最適な観察条件を提案いたします。お気軽にご相談ください。 観察対象●ウェハ対象サイズ:2~6 インチ※一部の領域のご指定や、任意の大きさの個片などにも対応いたします。 ●モジュールPL観察が可能なように、パッケージ開封、チップ取出し、電極除去後、観察いたします。 観察波長捉えたい欠陥の種類に応じて観察波長をご選択いただけます。 観察視野2サイズの視野からご選択いただけます。 ※観察内容については、事前に打ち合わせにて詳細を決めさせていただきます。