アイテスのSiC受託サービスの特徴
- UV照射：通電劣化につながる欠陥拡張を強力なUVレーザー照射で再現
- 高精細なPL画像：BPD、SSFをはじめとした欠陥を確実に捉える
- 豊富な知見・経験による解析・解釈
アイテスではSiCウェハー、チップの受託測定サービスを承っております。 貴社や研究室での研究活動のサポートとして、ぜひ弊社の測定サービスをご利用ください。
サービス内容
uv照射サービスの特徴
欠陥拡張例
照射条件
UV照射強度：最大150W/㎠
ビーム径：最大φ3mm
波長：355nm
※クリーンルーム対応はしておりません
強力なUVレーザー照射で通電劣化につながる欠陥拡張を再現します。ウェハー段階で通電劣化につながる欠陥拡張の検証が可能です。デバイスを作る工程を省けるため、開発サイクルの短縮に貢献いたします。
UV照射による欠陥拡張
4H-SiC MOSFETは、デバイスの使用に伴うON-OFFの繰り返しにより、ON抵抗が増大する現象が報告されています。
この原因は、ドリフト層に存在するBPDがキャリアの再結合点として働き、放出される再結合エネルギによりSSFが拡張するためであると説明されています。BPDからSiコア転位が移動しSSFが拡張する運動は、REDG(Recombination Enhancement Dislocation Glide)と呼ばれています。
また、通電でなくとも紫外線を照射しドリフト層にキャリアを生成させる方法でも、SSFの拡張が確認できます。
Pl観察サービスの特徴
PL観察例
代表的な観察条件
試料 ：4H-SiCエピタキシャルウェハ
励起波長 ：313 nm
PL観察波長：700 nm以上
PL観察 ：1視野 2.66ｍｍ角、分解能 ：2.6 μm/pixel
成果物 ：画像データ（生データｘ視野数、全体画像）
※クリーンルーム対応はしておりません
上記試料は、名古屋工業大学 加藤正史教授との共同研究による
（JST A-step JPMJTM19CPからの補助事業）
BPD 欠陥検出データ
ご依頼いただいたPL観察の画像から、基底面転位（BPD）を検出した欠陥位置データを提供いたします。
- BPDの欠陥位置データ（CSV形式）
- BPD位置をプロットした欠陥マップ画像
- PL観察画像表示時に、欠陥位置をマークして表示
バッファ層のBPDのPL観察
従来のPL観察では検出できなかった、バッファ層のBPDを検出することが可能になりました。
これまでバッファ層ではBPDが非発光となり、観察することができませんでした。新しい観察手法では、バンド端発光を観察し、非発光の暗線をバッファ層のBPDとして捉えます。
観察波長で380 nmを選択していただきますと、こちらのバッファ層のBPD観察をご提供いたします。
観察条件
観察波長
捉えたい欠陥の種類に応じて観察波長をご選択いただけます。
観察視野
2サイズの視野からご選択いただけます。
※観察内容については、事前に打ち合わせにて詳細を決めさせていただきます。
対象サイズ
お客様がお持ちの、観察対象、見つけたい欠陥、観察する目的など、様々なニーズに応じた最適な観察条件を提案いたします。
お気軽にご相談ください。
ウェハー
対象サイズ：8 インチウェハーまで対応
※一部の領域のご指定や、任意の大きさの個片などにも対応いたします。
詳しくはご相談ください。
モジュール
PL観察が可能なように、パッケージ開封、チップ取出し、電極除去後、観察いたします。
ご注文の流れ
1. 測定内容のご相談
照射条件・観察条件をお選びいただき、お打ち合わせ（Web面談、お電話等）にて観察内容の詳細を決定します。
2. お見積とご注文
お打ち合わせにて決定した内容で御見積書を発行します。
弊社の御見積書には【注文書】欄を設けております。必要事項をご記入の上、メールまたはFAXにてご返信ください。
もちろん、貴社フォーマットのご注文書を発行いただいても問題ございません。
3. 測定サンプルのご発送
ご注文後、下記の宛先に測定サンプルをご発送ください。
〒520-2151 滋賀県大津市栗林町1番60号
株式会社アイテス 製品開発部 宛て
4. 測定と納品（納期の目安）
納期は、測定内容、装置の稼働状況に変動いたします。
目安としては、ご発注後２週間前後とお考え下さい。
最短ではサンプル到着の翌日にデータをお渡しいたします。
納品物は基本的に測定データのみとなります。
報告書がご必要の場合、別途、費用を請求させていただきます。