研磨機 | 株式会社アイテス https://www.ites.co.jp Fri, 06 Mar 2026 01:05:12 +0000 ja hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.9.9 機械研磨によるチップレットパッケージ構造確認 https://www.ites.co.jp/section/index/processing_technologies/chiplet-package-structure-inspection.html Thu, 05 Mar 2026 07:26:52 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=section&p=49128 A社製VRゴーグルのメイン基板に実装されているチップについて、外観観察を行ったところ、複数のチップが集積しているチップレット構造と推測されました。より詳細に構造を確認するため、X線CT観察及び機械研磨にて断面を作製し、構...

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A社製VRゴーグルのメイン基板に実装されているチップについて、外観観察を行ったところ、複数のチップが集積しているチップレット構造と推測されました。より詳細に構造を確認するため、X線CT観察及び機械研磨にて断面を作製し、構造確認を行ったので紹介します。

メイン基板外観写真及びX線透視像

メイン基板を光学及びX線で非破壊観察した後、メイン基板外観写真にある赤枠のチップを切り出しました。

チップには11個のチップが集積されているように見え、チップレット集積構造と推測されました。

X線CT観察

切り出したチップを弊社所有のX線装置にてCT観察を行いました。

なお集積された各チップの推定配置図を下図左側に赤、青、黄で示します。右側にはSoCとHBMの境界付近を拡大したX線CT像を示します。この箇所では、大小2種類のはんだボールが確認できます。

またSoC下にCu Viaが微かに確認できることから、インターポーザを介してパッケージ基板に接続されていることが推測されます。

黄：SoC（System on Chip）
青：HBM（High Bandwidth Memory）
赤：ダミーチップ

機械研磨による断面観察

上図の緑破線位置にて機械研磨による断面を作製し光学顕微鏡観察を行いました。

メイン基板から切り出したことで応力が開放された影響もあり、基板の反りが顕著ですが、実装応力が加わっていた様子が伺えます。

弊社のX線CT像では映っていませんでしたが、各チップはRDLインターポーザーにCu Viaで接続されている様子が確認されました。

（広範囲の観察には機械研磨が有効ですね。）

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エポキシ樹脂は透明度が高く、耐久性に優れ、硬化時の収縮率も低いため、断面作製によく使われる包埋樹脂です。従来使用していたエポキシ樹脂は、毒劇法の改定によって劇物指定となったアミン系硬化剤が含まれていて、健康リスクが高いこと、管理や取り扱い、廃棄処理が難しいことが問題視されるようになりました。そのため、弊社では劇物フリーのエポキシ樹脂に変更しています。変更に伴って、硬化時に発熱する温度についても再確認するため、測定を行いました。

温度プロファイルの取得 – 多量の樹脂(大型容器)で発熱防止処理なしの場合

多量に樹脂を使用する場合、アイテスでは、発熱防止処理を施して樹脂包埋をしていますが、発熱防止処理を施さないと、硬化中に138℃まで発熱しました。

※樹脂量が多いと、急激に発熱することで試料に多大なストレスが掛かる場合があります。

温度プロファイルの取得 - 多量の樹脂(大型容器)で発熱防止処理ありの場合

多量の樹脂でも発熱防止処理を施せば、硬化中の発熱を30℃以内に抑えることができました。

※大きめの試料でも、埋める前の切断なしでストレスを掛けずに樹脂包埋することが可能です。

包埋樹脂の選択について

早く解析を進めたい時や試料に負担を掛けたくない時など、包埋樹脂は状況に合わせて選択することができます。ポリエステル樹脂は収縮率が大きいためひび割れやボイドが発生しますが、短時間で硬化できます。アクリル樹脂は高い透明度があり加工しやすく、短時間で硬化も可能です。弊社使用の劇物フリーエポキシ樹脂は硬化時間は10時間前後と長いですが、耐熱性や耐久性に優れ、試料へのストレスも抑えられるため、包埋樹脂として最も適した樹脂と言えます。アイテスでは、サンプルの前処理方法等も、ご相談に乗ります。お気軽にお問い合わせください。

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半導体の構造観察や不良解析における断面作製方法には、CPやFIB、機械研磨が挙げられますが
それぞれ一長一短あり、どの方法で作製するのか検討が必要です。近年ではCPやFIBが一般的になってきており技術を要する機械研磨は減りつつあるように感じます。しかし、まだまだ捨てたものではございません。下記に機械研磨による各種半導体の断面観察例をご紹介します。
（各手法のメリット、デメリットについては、販促資料「断面作製方法」を参照ください。）

半導体_Si

半導体_Si

Siチップの観察例です。ほぼ平行に約1cm幅の断面が作製できており、広範囲での観察が可能です。
断面研磨の位置だし精度は約1µm～となります。

化合物半導体_GaN

GaN組成のLEDの観察例です。2素子あるLEDの両方が1断面で観察可能です。
Auワイヤ、Auパッドの結晶粒も明瞭で研磨ダメージの少ない仕上がりです。

化合物半導体_GaP

GaP組成のLEDの観察例です。ワイヤーボンディング部から素子下のAgペースト接続部はもちろんのこと、砲弾型LED全体を広範囲で観察することができます。

化合物半導体_GaAs

化合物半導体_GaAs

GaAs組成のLEDの観察例です。セラミックパッケージ内に複数個のLEDが実装されていますが、1断面で複数のLED観察が可能です。素子表層の拡散層も明瞭に観察されます。

機械研磨での断面作製はいかがでしょうか。メリット、デメリットはありますが、FIBやCPに劣らぬ断面作製が機械研磨でも可能です。アイテスでは長年、蓄積されたノウハウを元に、観察目的や試料の組成、構造に応じてより適切な処理方法をご提案致します。お困りごとなど御座いましたら下記までお気軽にお問い合わせ下さい。

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機械研磨は最も一般的で歴史の長い断面作製手法であり、断面作製領域が最大で数cmから10cm程度と広範囲で断面を作製することができます。

しかし、加工に伴う変質層や段差、延び（ダレ）、刺さりなどのダメージが生じ「有るはずのものが無い」、「無いはずのものが有る」といった問題が発生することがあります。

アイテスでは、長年培った技術と経験により、信頼度の高い断面作製を行っています。

機械研磨法における主な加工ダメージ　

加工ダメージ

材質特性に合わせた研磨仕上げの重要性　

はんだ等の柔らかい金属では、機械研磨で研磨ダレ（研磨により材質が延びる現象）を生じやすく、微小な亀裂や隙間などが埋まり、見えなくなっている可能性があります。

アイテスでは様々な材質での研磨経験を活かし、対象の特性に合わせた条件で仕上げを施す事で、研磨によるダメージが極力残らない、信頼度の高い断面を作製いたします。

その研磨、仕上げがうまく出来ていない可能性が考えられます。
研磨の仕上がりにご不満、疑問をお持ちの際は、弊社にご相談下さい。

はんだ（BGA）での事例　　　*レーザー加工で微小クラック（Good文字）を再現

研磨ダレが残った仕上がり

研磨ダレを除去した仕上がり

研磨ダレを除去した仕上がり

一見同じような仕上がりに見えますが、研磨ダレの残る仕上げではクラックが埋まり見えません（赤枠内）。
ダレを除去する事で本来存在したクラックを捉えることが可能です。

材質の特性に合わせた仕上げを行わない研磨では、本来の姿を捉えられていないかもしれません。
弊社では豊富な経験を活かし、最適な仕上げで断面作製いたします。

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CCDカメラモジュールは小さな筐体の中にセンサや制御素子、AF駆動機構など電子技術と機械技術を融合した複雑な構造で構成されています。また材料も金属、ガラス、樹脂など多数使用されており断面作製は困難な部類となります。弊社では高い技術で、このような難易度の高い試料の断面も作製できます。

CCDカメラモジュール断面

カメラモジュール外観
カメラモジュール外観

カメラモジュール外観

カメラモジュールは、小さな筐体の中に複数のレンズやフィルターが内蔵されています。また、AF機能を有するものでは、焦点調整の機構や制御素子なども内蔵されており、複雑な構造をしています。

CCDカメラモジュール断面

小さな筐体には複数の部材や複雑な構造・機構が内蔵されています。

暗視野像

暗視野像

AF制御素子

AF制御素子

サスペンションコイル

サスペンションコイル

フレキ配線基板

イメージセンサ

イメージセンサ拡大
素子配線

イメージセンサ拡大素子配線

複数の部材、機構を有するカメラモジュールも高精度、高品質な機械研磨により明瞭な断面像が得られています。

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The post CCDカメラモジュールの断面加工観察 first appeared on 株式会社アイテス.]]> 断面観察によるはんだのクラック率測定 https://www.ites.co.jp/section/index/measuring_technologies/crack_size.html Tue, 26 Oct 2021 03:00:03 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=section&p=32382 はんだ耐久性試験後の基板において、はんだ接合部にクラックが発生した場合、クラックが許容基準内であるかを確認するためクラック率を算出します。はんだ耐久性試験後の評価標準は、製品環境仕様に応じて評価項目や判定基準などを個別に定めることができるため、お客様ごとに規格をお持ちの場合がほとんどです。測定方法も部品の形状にあわせて様々ですが、ご依頼いただいた際は、お客様のご要望に合わせた仕様で実施させて頂きます。
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はんだ耐久性試験後の基板において、はんだ接合部にクラックが発生した場合、クラックが許容基準内であるかを確認するためクラック率を算出します。

はんだ耐久性試験後の評価標準は、製品環境仕様に応じて評価項目や判定基準などを個別に定めることができるため、お客様ごとに規格をお持ちの場合がほとんどです。

測定方法も部品の形状にあわせて様々ですが、ご依頼いただいた際は、お客様のご要望に合わせた仕様で実施させて頂きます。

BGAのはんだ接合部 – ボールジョイントのクラック率算出例

BGA

測定仕様

クラック率（%）=クラック長（c+d+e）/接続長（a+b）× 100

＊クラックと接するボイドはクラック長に含む

測定結果

接続長

644.42 μm

クラック長

332.08 μm

クラック率

51.5 %

判定例 : ロケット部品の標準としてBGACGA実装工程標準 JAXA-JERG-0-054があります。厳しい基準ですがそれに準拠すると、『 (クラックが発見された場合は) その断面部位における導体部分の幅 (又は径) の累積25%を超える場合は不良』とされますので、この例では不良の判定となります。

チップ抵抗器のはんだ接合部 - 正方形・長方形の両端子のクラック率算出例

測定仕様 1

チップ抵抗器1

測定仕様

（接続部の合計を接続長とする場合）
クラック率（%）=クラック長（c+d）/接続長（a+b）× 100

＊クラックと接するボイドはクラック長に含む

測定仕様 2

チップ抵抗器1

測定仕様

（クラック想定線を接続長とする場合）
クラック率（%）=クラック長（b+c）/クラック想定線（a）×100

＊クラックと接するボイドはクラック長に含む

測定結果

＊測定仕様 2で算出

クラック想定線

582.17 μm

クラック長

424.94 μm

クラック率

73.0 %

コイル部品のはんだ接合部 - リボンリードやQFPリードのクラック率算出例

コイル

測定仕様

（フィレット最大高さのリード幅を接続長として測定する場合）
クラック率（%）=クラック長（b+c）/接続長（a）× 100

＊クラックと接するボイドはクラック長に含む
＊上記測定仕様2での測定方法もあり

測定結果

接続長

2076.9 μm

クラック長

836.28 μm

クラック率

40.3 %

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MEMS部品の構造を非破壊・破壊的手法を組み合わせ、総合的に解析します。

加速度センサーの非破壊観察

X線透視観察にて、パッケージ内部の構造を観察します。

X線透過像

X線透過像

赤外線顕微鏡にて、シリコン裏面より表層パターンを確認します。

裏面IR像（低倍）

裏面IR像（低倍）

裏面IR像（高倍）

裏面IR像（高倍）

加速度センサーの機械研磨後、光学顕微鏡・SEM観察

平面及び断面研磨で観察試料を作製することで、広範囲でMEMS構造を確認することができます。

平面研磨 光学顕微鏡低倍像

平面研磨 光学顕微鏡低倍像

断面研磨 光学顕微鏡高倍像

断面研磨 光学顕微鏡高倍像

断面研磨 光学顕微鏡低倍像

断面研磨 光学顕微鏡低倍像

断面研磨 SEM像

断面研磨 SEM像

マイクロフォンの断面観察（CROSS BEAM FIB/SEM）

Cross Beam FIB/SEMでFIB加工しながらSEM観察することでピンポイントの断面観察が可能です。

光学顕微鏡

光学顕微鏡像

a）部断面SEM像

a ）部断面SEM像

b ）部断面拡大SEM像

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The post MEMS部品の構造解析 first appeared on 株式会社アイテス.]]> 試料包埋時のエポキシ樹脂硬化温度について https://www.ites.co.jp/section/index/processing_technologies/epoxy_resins_hardening.html Wed, 23 Jun 2021 08:03:47 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=section&p=28293 エポキシ樹脂は透明度があり、収縮率も低く断面作製等を行う際によく使われる樹脂ですが、熱硬化型の樹脂であるため、硬化の際には発熱が伴います。発熱温度は使用量や主剤と硬化剤の混合比率等により変化しますが、実装基板やタッチパネル等の大型試料を包埋するとエポキシ樹脂が発熱し試料基板が変形するほど発熱することもあります。そこで、実際にどの程度、硬化の際に発熱しているのか確認してみました。...

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エポキシ樹脂は透明度があり、収縮率も低く断面作製等を行う際によく使われる樹脂ですが、熱硬化型の樹脂であるため、硬化の際には発熱が伴います。

発熱温度は使用量や主剤と硬化剤の混合比率等により変化しますが、実装基板やタッチパネル等の大型試料を包埋するとエポキシ樹脂が発熱し試料基板が変形するほど発熱することもあります。そこで、実際にどの程度、硬化の際に発熱しているのか確認してみました。

温度プロファイルの取得 - 多量の樹脂(大型容器)で発熱防止処理なしの場合

多量の樹脂(大型容器)の場合、発熱防止処理を施さないと 硬化中に106℃まで発熱しました。

発熱防止処理なし

※主剤と硬化剤の配合比率を誤った場合や多量の樹脂を発熱防止処理を行わないで硬化させた場合、ものの数分で一気に発熱し硬化する場合もあるので、注意が必要です。

温度プロファイルの取得 - 多量の樹脂(大型容器)で発熱防止処理ありの場合

多量の樹脂(大型容器)でも発熱防止処理を施せば、硬化中の最高温度を40℃以下に抑えることができます。＊発熱防止処理はノウハウなので内緒です。すいません✋。

発熱防止処理あり

少量の樹脂(小型容器)では、発熱防止処理なしでも、温度はほとんど上昇しませんでした。

大きめの実装基板でも、埋める前の切断なしで樹脂包埋が可能

基盤

大き目の実装基板から部品はんだ付け部の断面観察を行う場合、先に基板を切断すると切断時の振動によりクラックや割れが発生しないか不安になりませんか？

そんな不安も基板丸ごと先に埋めてしまえば問題ありません。しかし・・・基板丸ごと埋めると大量に樹脂を使う必要があり、発熱の恐れが。

 

そんな心配も発熱防止処理を施せば大丈夫です。アイテスでは長年の経験より、最適な配合比と発熱防止処理で大型基板の樹脂包埋に対応できます。

サンプルの前処理方法等、ご相談に乗ります。お気軽にお問い合わせください。

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The post 試料包埋時のエポキシ樹脂硬化温度について first appeared on 株式会社アイテス.]]> 形状測定レーザマイクロスコープ（VK-X200) https://www.ites.co.jp/section/index/bservation_technologies/vk200.html Thu, 30 Jul 2020 04:00:27 +0000 http://www.ites.co.jp/?post_type=section&p=12666 形状測定レーザマイクロスコープ（VK-X200)を用いた受託分析です。
408nmレーザーを用いて観察、計測を行います。測定結果は国家基準につながるトレーザビリティ体系に基づいており、測定機器として非破壊測定に活用できます。...

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形状測定レーザマイクロスコープ（VK-X200)を用いた受託分析です。
408nmレーザーを用いて観察、計測を行います。測定結果は国家基準につながるトレーザビリティ体系に基づいており、測定機器として非破壊測定に活用できます。

高精度3D測定＆カラー観察例

装置：KEYENCE　VK-X200

レーザー顕微鏡では、試料表面の凹凸形状の3D測定が可能です。
また、透明体の膜厚形状や透明体越しの表面形状測定が可能です。

レーザー顕微鏡　透明レジスト表面の形状観察と断面形状表示

(上) 透明レジスト表面の形状観察
(下) 断面形状表示

レーザー顕微鏡　成型樹脂とその上のクリアコート層の同時観察と断面形状表示

(上) 成型樹脂とその上のクリアコート層の同時観察
(下)断面形状表示

応用例

機能

詳細説明

観察対象

評価パラメータ

外観・光沢

W 600 ⅹ H 850 x D 750 mm

メッキ面、鏡面、鋼板

 Rq、Ra、Rku

肌ざわり

W 600 ⅹ H 850 x D 750 mm

シート、梨地面、 シボ面評価

Rz、Rq、R⊿q、Rpc

密着性・接着性

W 600 ⅹ H 850 x D 750 mm

プリント基板、接着面、メッキ下地

Rzjis、Rz、R⊿q、Rir

印刷品位

W 600 ⅹ H 850 x D 750 mm

印刷用紙

Ra、Rv、Rvk、Rpc

レーザー顕微鏡観察＆測定

レーザー顕微鏡は、平面計測、幅測定、高さ測定、膜厚測定等の各種測定が可能です。
対象のサイズや求める精度により、適した対物レンズを選択し、観察や測定を行います。
範囲はレンズに応じて異なりますが、連結機能を有しているため、広範囲での観察、計測も可能です。

金パッド部の観察、計測

レーザー顕微鏡 観察例 金pad

　線粗さ計測

　　高さ像

　　３Ｄ像

レーザー顕微鏡　線粗さ計測　高さ像
レーザー顕微鏡　線粗さ計測　3D像
レーザー顕微鏡　線粗さ計測
レーザー顕微鏡　線粗さ計測

　面粗さ計測

面粗さ計測
レーザー顕微鏡　面粗さ計測　表

　レーザー像

20倍対物レンズ視野　レーザー像
50倍対物レンズ視野　レーザー像
150倍対物レンズ視野　レーザー像
対物レンズ倍率10 x20 x50 x150 x
観察測定範囲(横)：μm135067527090
観察測定範囲(縦)：μm101250620267
高さ測定測定範囲7 mm
表示分解能0.0005 μｍ
幅測定表示分解能0.001 μｍ

通常

W 600 ⅹ H 850 x D 750 mm

-20 ,-40 ～ 100 ℃

20 ～ 98 %RH

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プリント基板やフレキシブル基板・電子部品の破壊・非破壊観察サービスをご提供致します。 信頼性試験結果と併せた研磨による平面・断面観察、各種測定などにもご利用下さい。

観察データを元にした各種測定

破壊・非破壊観察から得られたデータを元に、画像解析ソフトを使用し、各種測定が行えます。平面研磨によるサーキットピッチ測定や断面研磨後のCuめっきや樹脂厚測定、非破壊検査によるクラック率算出など、様々な事例に対応致します。

受託信頼性試験を併用したトータルな観察が可能

受託信頼性試験と併用することにより、サンプルの経時変化観察を行うことが可能です。
試験でFailしたサンプルの故障解析も致しますので、お気軽にご相談下さい。

＜研磨台＞
12-1(kenma_1)		＜光学顕微鏡+画像解析ソフト＞12-2(kenma_2)

研磨を併用した解析事例

積層基板の内部構造調査 – 断面研磨＋平面研磨+測長

断面イメージ

12-3(kenma_jirei1_1)

平面イメージ

12-4(kenma_jirei1_2)

積層基板を研磨し、各層毎に内層パターンを測定
詳細な内部構造が調査可能になります。

  • 平面研磨・・・ライン/スペース幅・ランド径・ビア径等
  • 断面研磨・・・Cuめっき厚・絶縁層厚・ビア等

信頼性試験によるチップ接合はんだ部のクラック面積経時変化解析例
– 超音波顕微鏡(SAT)＋断面研磨+面積率算出

12-5(kenma_jirei2_1)信頼性試験を行い、一定のサイクル毎に取り出し、チップ下はんだ層を超音波顕微鏡で観察する。
非破壊なので、観察後試験に戻すことが出来る為、同一サンプルの経時変化の観察が可能になります。

 

SATイメージ

12-6(kenma_jirei2_2)

  • SATで得られた像を元に、画像解析ソフトの測定機能を使用し、クラック面積率を算出する事が出来ます。ストレスによるクラック進行の経時変化が分かります。
  • ボイド等の不必要部分は、取り除けます。
 
断面イメージ

12-7(kenma_jirei2_3)

  • 断面観察を行う事により、実際のクラックの状態が詳細に観察可能になります。
  • 画像解析ソフトを使用し、クラック長さやはんだ厚の測定も出来ます。

信頼性試験後 導通不良（OPEN Fail） 解析例 – X線観察+断面研磨

X線イメージ

12-8(kenma_jirei3_1)

信頼性試験 特性測定において、導通不良が確認された。

サンプルの故障解析。X線観察を行ったところ、パッドに異常が確認された。

断面研磨を行ったところ、Cu部分にクラックが確認された。

 
断面イメージ

12-9(kenma_jirei3_2)

  • 非破壊なので、観察後試験に戻すことが出来る為、同一サンプルの経時変化の観察が可能になります。
  • 断面観察を行う事により、実際の状態が詳細に観察可能。
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冷熱衝撃試験を行なった太陽電池モジュールの断面観察を行なったところ、インタコネクタ半田付け部が破断していることが確認されました。...

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冷熱衝撃試験を行なった太陽電池モジュールを検査し、異常が特定された箇所の断面観察を行なったところ、インタコネクタはんだ付け部が破断していることが確認されました。
（発電量が低下した太陽電池モジュールでは断線が発生しているかもしれませんね。）

破断部の断面観察

破断部の元素マップ

作製した断面からEDXやEPMAによる元素分析、マップ分析等が行えます。
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The post 太陽電池モジュールの断面観察 first appeared on 株式会社アイテス.]]> 表面実装電子部品の断面研磨サービス https://www.ites.co.jp/section/index/bservation_technologies/jirei_hyomen.html Tue, 12 Aug 2014 03:31:13 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=6889 電子部品の受託断面観察サービスです。
機械研磨後、断面観察により、実装基板上の電子部品の半田接合状態（クラックやボイド有無）、あるいは部品の内部構造を詳細に観察することができます。...

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機械研磨後、断面観察により、実装基板上の電子部品のはんだ接合状態（クラックやボイド有無）、あるいは部品の内部構造を詳細に観察することができます。

SOP (Small Outline Package) 部品

SOP部品の断面全体像からはんだ接続部まで、詳細な観察が可能です。

セラミックコンデンサ

基板に実装された、セラミックコンデンサの全体から部分まで詳細に観察できます。

アルミ電解コンデンサ

コンデンサ部品の内部構造から基板への接続状態の観察まで可能です。
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The post 表面実装電子部品の断面研磨サービス first appeared on 株式会社アイテス.]]> BGA・CSP はんだの評価 https://www.ites.co.jp/section/index/processing_technologies/jirei_bgahanda.html Tue, 12 Aug 2014 03:22:42 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=6886 透過X線画像データから、はんだ内ボイドの面積率を測定することができます。さらに機械研磨を組み合わせることで総合的な評価を行うことができます。...

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透過X線画像データから、はんだ内ボイドの面積率を測定することができます。
さらに機械研磨を組み合わせることで総合的な評価を行うことができます。

BGA（Ball Grid Array）はんだの非破壊評価

X線透過観察から得た画像より、非破壊ではんだ内ボイドの面積率(%)が測定できます。

BGAのX線透過観察像

BGAのX線透過観察像

チップ断面
BGAはんだボールの非破壊観察による ボイド面積率測定　

BGAはんだボールの非破壊観察によるボイド面積率測定　（緑：ボイド）

ボイド面積率

CSP（Chip Size Package）、BGA（Ball Grid Array）断面観察

機械研磨による断面観察では、X線観察では見難い引け巣などの観察も可能です。

CSP はんだ接合部の断面観察

CSP はんだ接合部の断面観察

BGA はんだ接合部の断面観察

BGA はんだ接合部の断面観察

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The post BGA・CSP はんだの評価 first appeared on 株式会社アイテス.]]> 機械加工による半導体/パッケージの部分加工 https://www.ites.co.jp/section/index/processing_technologies/jirei_icpkenma.html Tue, 12 Aug 2014 01:39:43 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=6772 裏面発光解析などのSi裏面露出前処理として、また積層基板の解析の前処理として、電気的に生かしたまた部分的な平面研磨を行います。...

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半導体パッケージの部分研磨事例 (故障解析のための選択的平面研磨加工)

裏面発光解析などのSi裏面露出前処理として、また積層基板の解析の前処理として、電気的に生かしたまた部分的な平面研磨を受託いたします。

DIP (Dual inline package) の部分的裏面研磨例

チップを動作可能な状態で保持し、 リード端子を残し部分的に裏面研磨を行います。

リード端子から信号を印加した状態で
裏面からの発光解析が可能です。

プリント配線基板の部分研磨による観察例

周囲の構造を保持したまま、 部分的に窓開け加工
リード端子から信号を印加した状態で 裏面からの発光解析が可能です。
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