裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの裏面研磨を行います。裏面発光解析を行うため不可欠な前処理です。
裏面エミッション発光のスペクトル分布
デバイス表面の金属配線により 発光解析が困難になる場合があり、裏面発光解析が多用されています。
右図は裏面発光解析のスペクトル分布を表します。Si基板中の光透過率は1000nmから立上がりますが、CCD感度は1200nmで落込んでしまいます。
裏面発光解析はこの部分の発光を捉えるため、Si基板をより薄くする必要があります。
各種試料裏面研磨例
（パッケージ、ICチップ、ウェハ、パワーデバイス、IGBT、DI（ダイオード）に適用可能）
| パッケージ |
| ICチップ |
| ウエハ |