ULTRA55によるワイヤボンディング部観察 Alワイヤボンド部結晶粒SEM観察 ZEISS FE-SEM ULTRA55 特徴 高輝度電子銃による緻密なSEM画像極低加速電圧による極表面分析表面情報に敏感なインレンズSE検出器を装備2種類の反射電子検出器による組成情報の把握低加速電圧でも高分解能なEDX分析無蒸着による観察 適用対象ICパッケージ、実装・接合部品、実装基板、LSIデバイス、LCD薄膜金属表面状態、結晶粒の観察・分析適用例:MOS-FET Alワイヤボンド部の結晶粒観察ボンダー圧痕部:ボンダーで押された箇所は結晶粒が細かく変形しているボンディングの影響の少ない箇所:応力の加わりが少ない箇所は結晶粒が大きいワイヤ接合箇所(低倍像)ワイヤ接合箇所(高倍像):接合界面には細かな結晶粒が見られる お問い合わせはこちらから 株式会社アイテス 品質技術部 TEL:077-599-5020 メールでのお問い合わせはこちらから PDFダウンロード(290KB)