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液晶化合物のNMR分析
NMRは、分子を構成する原子どうしのつながりが分かる分析手法であり、質量分析や赤外分光法などと共に、化合物の構造決定に用いられます。今回は、液晶成分として使用される4-ブトキシ-4’-シアノビフェニル（CAS番号 527…
パワーデバイス故障箇所・Slice＆View 三次元再構築
電力変換素子として広く活用されているパワーデバイスのEOSによる故障箇所をOBIRCH解析で特定した後、FIB-SEMのSlice＆View機能を用いて故障箇所の三次元像を再構築する事により、破壊された構造の全貌を観察し…
機械研磨による半導体の観察例
半導体の構造観察や不良解析における断面作製方法には、CPやFIB、機械研磨が挙げられますが それぞれ一長一短あり、どの方法で作製するのか検討が必要です。近年ではCPやFIBが一般的になってきており技術を要する機械研磨は減…
スイッチ接点不良の解析事例
身の回りにある様々な電気機器には、多種多様な電子部品が使われています。その内の1つが故障するだけでも正常に動作しなくなる場合があります。今回は電源が入らなくなった家電のスイッチ部にて故障が推測されたことから、解析事例を作…
酸化物系全固体電池の故障解析事例
全固体電池は高い安全性を持ち、様々な環境下で使用できることから、次世代電池として期待されています。アイテスでは信頼性試験によって破壊した酸化物系全固体電池に対して、故障箇所特定～断面観察までの一連の解析を実施いたしました…
海外製 液晶ディスプレイの良品解析
～台湾製、韓国製、中国製など各国海外製のLCDの新規導入を御検討されているお客様へ～ 導入後の不具合発生を防ぐために、パネルの構造を事前確認されるユーザー様が増えております。 しかし、どんな着目点で、LCDのどの部分を確…
海外製ディスプレイの不良解析
～台湾製、韓国製、中国製など各国海外製のディスプレイをご使用されているお客様へ～ 弊社では、海外製ディスプレイの不良解析の実績が多数ございます。 不良発生でお困りの際は、是非お気軽にお声掛けください！！ 各種ディスプレイ…
FIB-SEM Helios 5 UC 導入のお知らせ
パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスやMLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の断面観察・分析を高スループットで実現。 FIB-SEM複合装置概要 ・垂直方向にS…
液晶パネルのTFT特性評価
液晶パネルにおいて特定のTFTに対し、性能確認のための良品特性測定、不良特性測定や、信頼性評価することが出来ます。…
静電破壊した橙色LEDの不良解析
ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光とIR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。
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発熱解析による電子部品の故障箇所特定
ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事ができます。更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察も可能です。 発熱解析原理, 装置概要 発熱解析は、…
sMIMによる半導体拡散層の解析
マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に線形な相関を持つ信号が特徴です。SuperJunction型MOSFETの拡散層断面解析事例を紹介します。…
パワー半導体の解析サービス
ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。…
短波長レーザーによるOBIRCH解析サービス
SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物理特性が異なるため、故障箇所特定も新たな手法が必要となります。 詳しくはこちら（外部サイト） お問い合わ…
EBAC(吸収電流）法による不良箇所の絞込み
ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線のオープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 EBAC法（Electron Beam Absorbed Current)の原理 ・LSI等の金属配線に電子線が入射する…
ICの不良解析
ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。…
液晶パネルの不良解析
液晶パネルの受託分析です。
不良現象の確認から原因の解明、詳細な不良解析まで！
液晶パネルの不良診断メニューをご提供いたします。…
EELS分析手法による膜質評価
EELS分析とEDS分析はTEM試料に加速した電子を照射することで元素同定を行う分析手法です。EELS分析とEDS分析の違い、分析事例をご紹介します。
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LCDパネルの良品解析
LCD部品/製品の良品解析を行います。弊社の持つLCDの知見から製品の品質状態を確認いたします。…
その他
ＳｉＣウェハ欠陥検査 受託測定 アイテスではSiCウェハー、チップの受託測定サービスを承っております。 貴社や研究室での研究活動のサポートとして、ぜひ弊社の測定サービスをご利用ください。 詳細はこちら
拡散層観察
FIBSEM/TEM
OBIRCH/発光解析
試料加工
顕微鏡観察に先立ち何らかの加工・前処理が必要になる場合がほとんどです。
電気特性測定
FIB断面でのLV-SEMとEBIC法による拡散層の観察
FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM / EBICによる拡散層の形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造の受託解析を行います。…
GaN HEMT不良部の結晶欠陥解析
GaN HEMT（化合物半導体）にて、電気的な不良箇所を特定後、断面TEMによる結晶解析を行い、リークの原因となる転位の種類を同定し結晶成長の不良を可視化する受託分析です。…
クロスビームFIBによる断面SEM観察
微細FIB断面加工と高精細なSEM観察の受託サービスです。…
TEMによる電子部品・材料の解析
TEM（透過型電子顕微鏡）観察は、電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えする受託分析です。…
FIB（集束イオンビーム装置）を使用したTEM試料作製
リフトアウト法を用いたTEM試料作製は、短時間で近接する個所での試料作製が可能です。…
FIB（Focused Ion Beam)
FIB（集束イオンビーム）はGaイオンを数μｍ以下に絞り、ビームを走査させて試料表面の原子を弾き飛ばしながら微小領域を加工する装置です。半導体、MEMS、液晶ガラス、ビルドアップ基板など、微小領域の断面加工やTEM試料の作製が可能です。…
パワーデバイスの故障解析
ダイオード・MOS FET・IGBTといったパワーデバイスの不良箇所を特定し観察する受託分析サービスです。 …
断面発光解析による橙色LEDのリーク不良解析
裏面と断面からのエミッション発光解析を組合わせる受託分析です。LEDのようにアクティブ素子がチップ内部に存在するデバイスでも不良解析が可能です。…
発光解析のための半導体の裏面研磨
裏面ＯＢＩＲＣＨ/発光解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの裏面研磨を行います。裏面から解析を行うため不可欠な前処理です。…
選択波長におけるLED発光解析
Green Deviceとして普及しつつある白色LEDの光源に使用されている青色LEDチップの順バイアス、逆バイアス時のリーク不良箇所を特定する受託分析サービスです。…
裏面IR-OBIRCH解析
ICチップの電流リーク、ショートや高抵抗などの不良箇所を、チップの裏面からサブミクロンの位置精度で特定する受託分析です。…
故障解析・構造解析
故障の把握 / 確認から始まり、電気的な測定、故障箇所の絞込みを経て、故障箇所の物理解析を行い原因を明らかにして、工程にフィードバックする受託分析サービスです。
TEMによる結晶材料の解析
TEM（透過型電子顕微鏡）は高分解能での結晶粒観察、電子線回折による結晶構造の解析など、結晶材料解析に最適な手法です。…
LEDの不良解析
高度な試料作製技術と半導体用の故障解析装置を応用し、LEDの故障解析を行い不点灯や輝度劣化の原因を調査します。…
SiCデバイスの裏面発光解析
SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、 Si半導体とは物理特性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。…
マイクロプローバー、マニピュレータによる 電気的特性の測定
微細配線、極小パッドへの高精度なプローブが必要となる液晶ディスプレイのTFT測定や半導体デバイスの電気的特性の受託測定が可能です。…