発熱解析による電子部品の故障箇所特定

ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事が出来ます。更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察も可能です。 発熱解析原理, 装…

短波長レーザーによるOBIRCH解析サービス

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物理特性が異なるため、故障箇所特定も新たな手法が必要となります。 詳しくはこちら(外部サイ…

ICの不良解析

ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。…

液晶パネルの不良解析

液晶パネルの受託分析です。
不良現象の確認から原因の解明、詳細な不良解析まで!
液晶パネルの不良診断メニューをご提供いたします。…

試料加工

顕微鏡観察に先立ち何らかの加工・前処理が必要になる場合がほとんどです。

GaN HEMT不良部の結晶欠陥解析

GaN HEMT(化合物半導体)にて、電気的な不良箇所を特定後、断面TEMによる結晶解析を行い、リークの原因となる転位の種類を同定し結晶成長の不良を可視化する受託分析です。…

FIB(Focused Ion Beam)

FIB(集束イオンビーム)はGaイオンを数μm以下に絞り、ビームを走査させて試料表面の原子を弾き飛ばしながら微小領域を加工する装置です。半導体、MEMS、液晶ガラス、ビルドアップ基板など、微小領域の断面加工やTEM試料の作製が可能です。…

裏面IR-OBIRCH解析

ICチップの電流リーク、ショートや高抵抗などの不良箇所を、チップの裏面からサブミクロンの位置精度で特定する受託分析です。…

故障解析・構造解析

故障の把握 / 確認から始まり、電気的な測定、故障箇所の絞込みを経て、故障箇所の物理解析を行い原因を明らかにして、工程にフィードバックする受託分析サービスです。

LEDの不良解析

高度な試料作製技術と半導体用の故障解析装置を応用し、LEDの故障解析を行い不点灯や輝度劣化の原因を調査します。…

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、 Si半導体とは物理特性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。…