裏面研磨 | 株式会社アイテス https://www.ites.co.jp Wed, 10 Jul 2024 08:11:42 +0000 ja hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.9.4 パワー半導体の解析サービス https://www.ites.co.jp/structure/furyo/obirch_photoemission_analysis/power_semiconductor_analysis.html Mon, 30 Nov 2020 06:50:53 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=6837 ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

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Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応しております。
故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応いたします。

裏面発光／OBIRCH解析による故障箇所特定

裏面発行、OBIRCH解析

SiC MOSFET
裏面532nm-OBIRCH解析

SiC MOSFET
裏面発光解析(SI-CCD)

OBIRCH解析では1300nm・532nmレーザーを、発光解析ではInGaAs・SI-CCDの超高感度カメラにより、Siだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応します。　　

故障箇所への高精度位置特定、FIB加工

故障箇所の位置特定

・故障箇所の位置情報取得。
・信号箇所や電気特性から、FIBのアプローチ検討。　　　
・マーキングによる高精度な位置だし。　　　　

素子表面側からFIB加工

裏面の基板側からFIB加工　

表裏どちらからでもFIB加工可能です。

不良箇所のFIB／LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価

LV-SEMによる拡散層の観察

PN接合の内蔵電位に影響を受けた二次電子(SE2)をIn-Lens検出器で検出します。

EBICによる空乏層の観察

電子ビーム照射により、空乏層の内部電界で誘起された電流を2次元のマッピングを取得
することで、PN接合部に形成された空乏層を可視化します。

TEM観察による結晶構造観察、元素分析

高精度な位置だしと400kVのTEMにより試料厚が厚めでも鮮明な像が得られ、不良を
可視化する確率が上がります。

EDS、EELS分析といった元素分析も対応いたします。　　　　　

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析・化学分析までスルー対応いたします！

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株式会社アイテス　品質技術部
TEL:077-599-5020
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A3 パワーデバイス
The post パワーデバイスのトータルソリューションサービス first appeared on 株式会社アイテス.]]> 発光解析のための半導体の裏面研磨 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/sample_processing/jirei_kenma001.html Tue, 12 Aug 2014 01:42:24 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=6778 裏面ＯＢＩＲＣＨ/発光解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの裏面研磨を行います。裏面から解析を行うため不可欠な前処理です。...

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裏面ＯＢＩＲＣＨ/発光解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの裏面研磨を行います。裏面から解析を行うため不可欠な前処理です。

裏面研磨の必要性

裏面解析は、電極による遮光や高濃度基板による光の減衰により透過しないため、裏面研磨が必要です。

裏面研磨とは

裏面から解析することで、不良を保持したまま発光を検出できるだけでなく、形状異常の有無も観察できます。

各種試料裏面研磨例

例１：パッケージ

パッケージ

例２：開封済みチップ

例３：ウエハー

ウエハー

例４：DIP

DIP

パッケージ、開封済みチップ、ウエハー等様々な形態の半導体で裏面研磨ができます。
さらに、リード端子を生かした状態の裏面研磨も可能です。

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裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの裏面研磨を行います。裏面発光解析を行うため不可欠な前処理です。

裏面エミッション発光のスペクトル分布

デバイス表面の金属配線により　発光解析が困難になる場合があり、裏面発光解析が多用されています。

右図は裏面発光解析のスペクトル分布を表します。Si基板中の光透過率は1000nmから立上がりますが、CCD感度は1200nmで落込んでしまいます。

裏面発光解析はこの部分の発光を捉えるため、Si基板をより薄くする必要があります。

各種試料裏面研磨例

（パッケージ、ICチップ、ウェハ、パワーデバイス、IGBT、DI（ダイオード）に適用可能）

パッケージ
30V，24A(10V)，0.04Ω
低抵抗,中耐圧,高濃度Si基板。（200μm厚)		Sｉ研磨(Sｉ厚50um)後のIR像。
配線パターンが見えている
ICチップ
ウエハ
裏面研磨後の光学像実際の解析では50um程度の薄膜化で解析可能

 

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