ﾏｲｸﾛﾌﾟﾛｰﾊﾞｰ | 株式会社アイテス https://www.ites.co.jp Tue, 08 Apr 2025 06:59:03 +0000 ja hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.9.9 液晶パネルのTFT特性評価 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/electrical_properties/tft-panel_evaluation.html Tue, 14 Dec 2021 02:30:27 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=structure&p=33266 液晶パネルにおいて特定のTFTに対し、性能確認のための良品特性測定、不良特性測定や、信頼性評価することが出来ます。...

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液晶パネルにおいて特定のTFTに対し、性能確認のための良品特性測定、不良特性測定や、信頼性評価することが出来ます。

TFTの各温度での電気特性測定

表示状態のモニターを解体し、パネル内の画素TFTに
対して、電気特性測定が可能です。

  • 特性測定項目：Vg-Id、Vd-Id

アニール前後, 光照射,加温や冷却下での測定も可能です。
測定結果からIon､Ioff,Vth,移動度の指標を算出し、良品解析での実力値の確認や不良原因の解明を行います。

実パネルでの画素TFT測定例

事例：加温,冷却時のVg-Id測定

BTS試験

Gate-(Source,Drain)間に任意の電圧を印加し、ＴＦＴにストレスを与えたときのＶｔｈシフトを測定し、信頼性確認を行います。加速試験として、加温状態でも測定出来ます。

複数のパネルメーカにて測定を行い、Ｖｔｈシフト量を比較することで、優位判定も可能です。

事例：加熱でのPBTS試験

Stress vs Vth
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The post 液晶パネルのTFT特性評価 first appeared on 株式会社アイテス.]]> パワーデバイスのトータルソリューションサービス https://www.ites.co.jp/analyze/qpd20170628.html Thu, 05 Nov 2020 06:50:34 +0000 http://www.ites.co.jp/?post_type=analyzes&p=18046 パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します...

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A3 パワーデバイス
The post パワーデバイスのトータルソリューションサービス first appeared on 株式会社アイテス.]]> ICの不良解析 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/obirch_photoemission_analysis/ic_failure_analysis.html Tue, 04 Aug 2020 05:30:53 +0000 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/obirch%e7%99%ba%e5%85%89%e8%a7%a3%e6%9e%90/ic_failure_analysis-2.html ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

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ITESではICに対して不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応しております。

裏面研磨

裏面研磨イメージ

裏面研磨を実施し、Si基板面から解析をする事で、表面からはメタルが邪魔をして取得できない微小発光やOBIRCH信号を検出する事が
できます。

発光解析／OBIRCH解析

発光/OBIRCH解析により、リーク箇所や、不具合に関係しているネットを特定します。

  ・Layout Viewerによるレイアウト確認が可能です。
  ・冶具のカスタマイズにより様々な試料形態やバイアス条件に対応できます。

裏面発光イメージと解析結果

裏面IR-OBIRCHイメージと解析結果

サンプル加工／層剥離

チップを一層ずつ平面的に研磨をする事で、光学顕微鏡やSEMによる異常部の観察ができます。

FIB Padを用いた発光解析/OBIRCH解析

層剥離中にFIB Pad作製と配線カットをする事で、特定の経路を独立させて発光解析/OBIRCH解析を実施する事も可能です。

平面からの故障箇所特定

層剥離後のサンプルに対して、以下の様な電気的な平面解析を実施します。

EBAC解析

EBAC像

SEM観察時の電子線の入射により、配線に生じた吸収電流をプローブで検出する事で、配線やビアのオープン箇所及び、ショートを起こしているネットを検出します。

マイクロプローブによるTr特性測定

Tr 特性測定

FIBによるPad作製を行う事で、マイクロプローブでの素子単体の特性を取得する事が可能です。
・0.18umプロセスまで対応（レイアウトによる）

PVC解析

PVC解析

SEMで電位コントラスト（PVC）を観察し、正常部やレイアウト図と照らし合わせる事で、ゲート酸化膜のリーク箇所やオープン箇所を特定する事が可能です。

物理解析（FIB-SEM，TEM）

物理解析　FIB-SEM

弊社独自の高精度の故障箇所特定技術を用いる事で、リーク箇所をピンポイントで物理解析/元素分析
が可能です。

特定位置精度：±0.3um 試料厚：1.5um-0.1um

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The post ICの不良解析 first appeared on 株式会社アイテス.]]> LCDパネルの良品解析 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/others/lcd-non-defective-product-analysis.html Thu, 03 Nov 2016 23:54:56 +0000 http://www.ites.co.jp/?post_type=structure&p=12646 LCD部品/製品の良品解析を行います。弊社の持つLCDの知見から製品の品質状態を確認いたします。...

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LCD部品/製品の良品解析を行います。
弊社の持つLCDの知見から製品の品質状態を確認いたします。

良品分析の流れ　/　考察観点

良品分析の流れ
パネル断面

対象パネル：SEG-LCD, AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT), OLED,車載,モニター,モバイル, etc

液晶パネルの各構造を弊社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施。

良品解析内容

まずは点灯試験、光学観察からご依頼いただき、結果を元に詳細解析の項目をご提案させていただきます。

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分析の流れ / 考察観点

LCDパネル製品（モバイル品含む）の良品解析受託サービスです。海外にて製品として組みあがったもの、或いは部品を海外から調達しているものについて、TFT構造やドライバーICの膜厚および接合箇所など構成部品の詳細な観察を行ない、それらの結果から製品の状態を考察します。 良品解析　分析の流れ

考察視点

考察視点
  • 初期表示品位に対する影響の推定
  • 信頼性故障に対する影響の推定
  • 工程管理及び出荷基準に対する検査提案
  • 生産工程の改善事項の提案
  • 異常部位の発生原因推定
  • 追加観察又は追加解析の提案

良品解析内容（部分的な項目の解析でもOK)

※表をクリックすると拡大して表示されます

The post LCDパネルの良品解析 first appeared on 株式会社アイテス.]]> マイクロプローバー、マニピュレータによる 電気的特性の測定 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/electrical_properties/micropro.html Mon, 28 Jan 2013 02:25:17 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=1762 微細配線、極小パッドへの高精度なプローブが必要となる液晶ディスプレイのTFT測定や半導体デバイスの電気的特性の受託測定が可能です。...

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微細配線、極小パッドへの高精度なプローブが必要となる液晶ディスプレイのTFT測定や半導体デバイスの電気的特性の受託測定が可能です。

マイクロプローバー外観

マイクロプローバー１ マイクロプローバー２

測定器各種(半導体パラメータアナライザー、カーブトレーサー)

半導体パラメータアナライザー写真 半導体パラメータアナライザー写真 カーブトレーサー写真

素子特性測定例

マイクロPADの加工例

マイクロPADを用いたNMOS Vth測定結果

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