TEM | 株式会社アイテス https://www.ites.co.jp Fri, 19 Jun 2026 02:23:22 +0000 ja hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.9.9 SiCにおけるPL発光箇所のTEM観察 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/fib-sem_tem/tem-of-pl-sites-in-sic.html Mon, 13 Apr 2026 01:09:18 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=structure&p=49509 SiC基板中に存在する基底面転位(BPD)は、順バイアス時に欠陥を拡大させ、デバイス特性を劣化させることで知られています。今回、微小なBPDをPL(フォトルミネッセンス)にて特定し、発光部をTEMにて観察しました。 装置...

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SiC基板中に存在する基底面転位(BPD)は、順バイアス時に欠陥を拡大させ、デバイス特性を劣化させることで知られています。今回、微小なBPDをPL(フォトルミネッセンス)にて特定し、発光部をTEMにて観察しました。

装置概要

PL(フォトルミネッセンス)

使用装置：
自社製PLイメージング装置励起光：超高圧水銀ランプUV光源 (285～350nm)

 

捉えたい欠陥の種類によって観察波長を選択できます

TEM(透過型電子顕微鏡)

使用装置：
JEOL JEM-4000FX
加速電圧：400kV

 

高電圧で加速された電子線を試料に照射し、透過してきた電子を結像させ拡大像を得ます。

独自の位置出し技術を駆使する事で、光学像では認識できない極微小なものでも、高い確率SEM,TEMで可視化する事が可能となります。

SiC基板を用いたPL～TEM観察事例

PL(フォトルミネッセンス)

サンプル：SiC Wafer片(10×5mm角、エピ11um/Buffer0.5um) UV照射や通電は未実施。

観察波長700nm以上にてPL観察を実施しました。

x5レンズPL連結像

x10レンズPL像

約x100レンズPL像

PL観察によって

[0-110]から　

[11-20]へ途中で転換するBPDが確認されました。

TEM(透過型電子顕微鏡)

PL発光像左端部を断面TEM、転換部の平面TEMを実施しました。

TEM観察にて、PL発光像では捉えきれない深さ方向の情報や欠陥の詳細な変位などの情報が得られます。

PLによる欠陥箇所特定・全体像把握から、TEMによる欠陥部の詳細な観察が可能です。

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The post SiCにおけるPL発光箇所のTEM観察 first appeared on 株式会社アイテス.]]> 信頼性試験によるスペック確認と故障解析 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/fib-sem_tem/reliability_spec_breakdown.html Wed, 09 Jul 2025 07:06:06 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=structure&p=47806 信頼性試験から、故障解析までの一貫した解析をする事で、サンプルが規格を満たしているか確認すると共に、Failしたサンプルの不良箇所の特定及び観察をする事が可能となります。 信頼性試験による半導体素子のスペック確認 試験機...

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信頼性試験から、故障解析までの一貫した解析をする事で、サンプルが規格を満たしているか確認すると共に、Failしたサンプルの不良箇所の特定及び観察をする事が可能となります。

信頼性試験による半導体素子のスペック確認

試験機：ESD・ラッチアップテスター

M7000/東京電子交易製

対象サンプル：SiC MOSFET PKG

印加規格：HBM（100pF/1.5kΩ）

GS間で1uA/11Vのリークが発生

ESD試験でサンプルが本来の規格を満たしているか確認したところ、ゲート-ソース間でリークが確認されました。

ESD試験装置
ESD試験後のI-V

・サービス内容

HBM試験（C=100pF, R=1.5kΩ）+5～±4500V

MM試験（C=200pF, R=0Ω）+5～2000V

512ピンまでのICモジュール、電子部品等様々な製品に対して、国内外の主要規格に対応した試験を提供しております。

不良箇所特定～TEMによる故障箇所の観察

EMS/OBIRCH解析による不良箇所特定　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

ESD試験により発生したリーク箇所を特定するため、EMS/OBIRCH解析を実施致しました。この解析により、半導体の不良箇所をサブミクロンレベルで特定する事が可能です。また、独自の前処理加工技術により様々な状態のサンプルに対して解析を実施できます。

EMS/OBIRCH解析装置

TEMによる故障箇所の観察

使用装置：

JEOL JEM-4000FX

加速電圧：400kV

特定したリーク箇所に対し、独自の位置出し技術を駆使する事で、光学像では認識できない極微小な不良でも、高い確率でSEM, TEMで可視化する事が可能となります。

TEM装置
TEM像1

お客様のご要望、目的に応じた試験や解析をご提案, 実施し、原因究明～問題解決までのお手伝いを致します。

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The post 信頼性試験によるスペック確認と故障解析 first appeared on 株式会社アイテス.]]> Talos F200E導入のお知らせ https://www.ites.co.jp/structure/furyo/fib-sem_tem/talos-f200e-notice.html Wed, 11 Jun 2025 08:01:11 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=structure&p=47619 最先端の透過型電子顕微鏡システム FEI製Talos F200Eを導入します。従来機と比べTEM・STEMの分解能が向上し、4本の検出器でEDS分析が可能になるなど性能が大幅に強化されます。 ドリフト補正フレーム積算（D...

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最先端の透過型電子顕微鏡システム FEI製Talos F200Eを導入します。従来機と比べTEM・STEMの分解能が向上し、4本の検出器でEDS分析が可能になるなど性能が大幅に強化されます。

ドリフト補正フレーム積算（DCFI）による観察とEDS Super-Xシステムによる分析の事例を紹介します。

2025年12月 サービス開始しました！

フルデジタル分析電子顕微鏡システム Talos F200Eの紹介

仕様

超高輝度冷陰極電界放出電子銃(X-CFEG)

輝度 2.4×109A/cm2 srad(＠200kV)

加速電圧

200kV、80kV

TEMインフォメーションリミット

≦0.11nm

STEM分解能

≦0.14nm

ドリフト補正フレーム積算(DCFI)

ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算

EDS　Super-Xシステム

4本の検出器(SDD)を搭載、検出面積30mm2/本

エネルギー分解能

≤ 136eV : Mn-Kα、10kcps( アウトプット )

Talos F200E
Talos F200E

ドリフト補正フレーム積算(DCFI)：TEM-BF像観察事例

TEM-BF像観察事例

EDS Super-Xシステム：EDSマッピングおよびライン分析事例

マッピング分析では、Super-Xを用いてわずか5分間で取得したデータが、従来のシングル検出器で20分間取得した結果以上の鮮明さで、狭い領域のAlを検出できました（赤矢印箇所）。

HAADF像に示した黄色の位置でライン分析を行うことで、狭いAl領域を鮮明に可視化できました（赤矢印箇所）。
また、Super-Xではマッピングデータ上の任意の位置にラインを引くことで、その箇所のスペクトルを簡単に確認できます。

Super-Xシステム

Talos F200Eを用いて、高スループットで高精度かつ定量的な特性評価結果を提供します。

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The post Talos F200E導入のお知らせ first appeared on 株式会社アイテス.]]> 不具合の原因を化学の視点で解決します。 https://www.ites.co.jp/chemistry/index/component_analysis/chemical-bug_solution.html Mon, 04 Oct 2021 04:30:07 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=chemistry&p=31379 クラック、変色、剥離、変形、物性強度低下など、製品、部材などに発生する不具合は様々です。その多くは、製品を構成する材料に原因がある場合が多く、その材料を分析調査することで解決することがあります。何が起きているのかを化学、および反応機構でアプローチする方法をご紹介します。...

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クラック、変色、剥離、変形、物性強度低下など、製品、部材などに発生する不具合は様々です。
その多くは、製品を構成する材料に原因がある場合が多く、その材料を分析調査することで解決することがあります。何が起きているのかを化学、および反応機構でアプローチする方法をご紹介します。

クラック（割れ）、剥離

打痕、応力、溶剤の接触、汚染などで材料に割れ、剥離が生じることがあります。プラスチックは特にこういった負荷には弱いものが多く、同じ製造プロセスであっても、少しの条件の違いで特性が低下します。また経年劣化でも特性低下を招きます。

  • 分子量の低下
  • 伸び特性の限界（降伏点）
  • 膨潤
  • 汚染
  • 極性基皆無（水酸基など）
割れ

変色、変形

応力、紫外線、熱、薬品との接触などで変色、変形することがあります。

  • 樹脂ネッキング
  • 結合開裂
  • 熱/光劣化
  • 錆
  • 変質
  • 構成元素の欠損
変色・変形

化学反応機構（エポキシ樹脂硬化例）

化学反応機構とは、化学反応を電子の動きで把握することで、より深くその変化を理解することが可能となります。以下にエポキシ樹脂の硬化機構を示します。

一級アミン
三級アミン
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The post 不具合の原因を化学の視点で解決します。 first appeared on 株式会社アイテス.]]> パワー半導体の解析サービス https://www.ites.co.jp/structure/furyo/obirch_photoemission_analysis/power_semiconductor_analysis.html Mon, 30 Nov 2020 06:50:53 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=6837 ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

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Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応しております。
故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応いたします。

裏面発光／OBIRCH解析による故障箇所特定

裏面発行、OBIRCH解析

SiC MOSFET
裏面532nm-OBIRCH解析

SiC MOSFET
裏面発光解析(SI-CCD)

OBIRCH解析では1300nm・532nmレーザーを、発光解析ではInGaAs・SI-CCDの超高感度カメラにより、Siだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応します。　　

故障箇所への高精度位置特定、FIB加工

故障箇所の位置特定

・故障箇所の位置情報取得。
・信号箇所や電気特性から、FIBのアプローチ検討。　　　
・マーキングによる高精度な位置だし。　　　　

素子表面側からFIB加工

裏面の基板側からFIB加工　

表裏どちらからでもFIB加工可能です。

不良箇所のFIB／LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価

LV-SEMによる拡散層の観察

PN接合の内蔵電位に影響を受けた二次電子(SE2)をIn-Lens検出器で検出します。

EBICによる空乏層の観察

電子ビーム照射により、空乏層の内部電界で誘起された電流を2次元のマッピングを取得
することで、PN接合部に形成された空乏層を可視化します。

TEM観察による結晶構造観察、元素分析

高精度な位置だしと400kVのTEMにより試料厚が厚めでも鮮明な像が得られ、不良を
可視化する確率が上がります。

EDS、EELS分析といった元素分析も対応いたします。　　　　　

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析・化学分析まで一気通貫で対応いたします！

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A3 パワーデバイス
The post パワーデバイスのトータルソリューションサービス first appeared on 株式会社アイテス.]]> ICの不良解析 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/obirch_photoemission_analysis/ic_failure_analysis.html Tue, 04 Aug 2020 05:30:53 +0000 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/obirch%e7%99%ba%e5%85%89%e8%a7%a3%e6%9e%90/ic_failure_analysis-2.html ICの不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析まで一貫して対応致します。...

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ITESではICに対して不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応しております。

裏面研磨

裏面研磨イメージ

裏面研磨を実施し、Si基板面から解析をする事で、表面からはメタルが邪魔をして取得できない微小発光やOBIRCH信号を検出する事が
できます。

発光解析／OBIRCH解析

発光/OBIRCH解析により、リーク箇所や、不具合に関係しているネットを特定します。

  ・Layout Viewerによるレイアウト確認が可能です。
  ・冶具のカスタマイズにより様々な試料形態やバイアス条件に対応できます。

裏面発光イメージと解析結果

裏面IR-OBIRCHイメージと解析結果

サンプル加工／層剥離

チップを一層ずつ平面的に研磨をする事で、光学顕微鏡やSEMによる異常部の観察ができます。

FIB Padを用いた発光解析/OBIRCH解析

層剥離中にFIB Pad作製と配線カットをする事で、特定の経路を独立させて発光解析/OBIRCH解析を実施する事も可能です。

平面からの故障箇所特定

層剥離後のサンプルに対して、以下の様な電気的な平面解析を実施します。

EBAC解析

EBAC像

SEM観察時の電子線の入射により、配線に生じた吸収電流をプローブで検出する事で、配線やビアのオープン箇所及び、ショートを起こしているネットを検出します。

マイクロプローブによるTr特性測定

Tr 特性測定

FIBによるPad作製を行う事で、マイクロプローブでの素子単体の特性を取得する事が可能です。
・0.18umプロセスまで対応（レイアウトによる）

PVC解析

PVC解析

SEMで電位コントラスト（PVC）を観察し、正常部やレイアウト図と照らし合わせる事で、ゲート酸化膜のリーク箇所やオープン箇所を特定する事が可能です。

物理解析（FIB-SEM，TEM）

物理解析　FIB-SEM

弊社独自の高精度の故障箇所特定技術を用いる事で、リーク箇所をピンポイントで物理解析/元素分析
が可能です。

特定位置精度：±0.3um 試料厚：1.5um-0.1um

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The post ICの不良解析 first appeared on 株式会社アイテス.]]> EELS分析手法による膜質評価 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/fib-sem_tem/eels.html Fri, 16 Mar 2018 07:33:09 +0000 http://www.ites.co.jp/?post_type=structure&p=19858 EELS分析とEDS分析はTEM試料に加速した電子を照射することで元素同定を行う分析手法です。EELS分析とEDS分析の違い、分析事例をご紹介します。
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EELS分析とEDS分析はTEM試料に加速した電子を照射することで元素同定を行う分析手法です。
EELS分析とEDS分析の違い、分析事例をご紹介します。

EELS分析とEDS分析との比較

EELS

EDS

分析に使用する
パラメータ

エネルギー損失電子

特性X線

エネルギー分解能

1eV以下

100eV前後

長所

状態分析
軽元素分析（Li,B）

全元素についての分析

短所

広範囲の元素を
同時分析が困難

近接するエネルギーを持つ元素のピーク分離が困難

測定時間

5s

30s

TEM試料厚

約50nm以下

約300nm以下

EELS,EDS

EELS分析事例：異なるカーボン膜

状態分析が特徴であるEELS分析手法を用いてナノ領域での膜質評価を行う。

ELLS
EDS
２種類の組成図

2種類の組成図

EDS分析

スペクトルの比較からBottom膜のみN,Oを微量に検出。

EELS分析

2つのSpectrumのショルダー形状が違うことから有機膜に配合されているN,OとCの結合状態を比較することが可能。

ＥＥＬＳ分析により物質の結合状態の比較が可能となります。

EELS分析とEDS分析は、TEM試料に加速した電子を照射することで元素同定を行う分析手法です。
EELS分析とEDS分析の違いをご紹介します。

EELS分析とEDS分析との比較

 

EELS分析事例：異なるカーボン膜

　状態分析が特徴であるEELS分析手法を用いてナノ領域での膜質評価を行う。

EELS分析により物質の結合状態の比較が可能となります。

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LCD部品/製品の良品解析を行います。
弊社の持つLCDの知見から製品の品質状態を確認いたします。

良品分析の流れ　/　考察観点

良品分析の流れ
パネル断面

対象パネル：SEG-LCD, AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT), OLED,車載,モニター,モバイル, etc

液晶パネルの各構造を弊社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施。

良品解析内容

まずは点灯試験、光学観察からご依頼いただき、結果を元に詳細解析の項目をご提案させていただきます。

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分析の流れ / 考察観点

LCDパネル製品（モバイル品含む）の良品解析受託サービスです。海外にて製品として組みあがったもの、或いは部品を海外から調達しているものについて、TFT構造やドライバーICの膜厚および接合箇所など構成部品の詳細な観察を行ない、それらの結果から製品の状態を考察します。 良品解析　分析の流れ

考察視点

考察視点
  • 初期表示品位に対する影響の推定
  • 信頼性故障に対する影響の推定
  • 工程管理及び出荷基準に対する検査提案
  • 生産工程の改善事項の提案
  • 異常部位の発生原因推定
  • 追加観察又は追加解析の提案

良品解析内容（部分的な項目の解析でもOK)

※表をクリックすると拡大して表示されます

The post LCDパネルの良品解析 first appeared on 株式会社アイテス.]]> GaN HEMT不良部の結晶欠陥解析 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/fib-sem_tem/ganhemt.html Sat, 08 Nov 2014 07:57:11 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=8040 GaN HEMT（化合物半導体）にて、電気的な不良箇所を特定後、断面TEMによる結晶解析を行い、リークの原因となる転位の種類を同定し結晶成長の不良を可視化する受託分析です。...

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GaN HEMT（化合物半導体）にて、電気的な不良箇所を特定後、断面TEMによる結晶解析を行い、リークの原因となる転位の種類を同定し結晶成長の不良を可視化する受託分析です。

不良箇所の特定

EM発光像

EM発光像拡大

発光箇所ピンポイント断面TEM像

  • Drain-Gate間裏面発光解析を実施し、リークを示す発光を多数検出した。
  • リーク箇所における断面TEM観察の結果、多数の転位線が見られ、発光箇所の活性層にリークの原因となる転位を捕らえた。
 

2波励起による不良箇所の転位の同定

GaN電子線回折像

  • z=[0110]方向からの観察で g=0002 ・ g=2110のgベクトルを用いた2波励起によるTEM観察を行った。発光箇所の活性層にある転位、黄丸部はg=2110ベクトルのみに確認できることから、刃状転位であると考えられる。また、 g=0002のみで確認できるものは螺旋転位と同定でき、何れのgベクトルで確認できるものは混合転位と判断できる。
  • このようにリーク箇所を特定し、その箇所をピンポイントで観察することにより、更に明確な不良原因の特定が行えます。
 

多波干渉像

g=0002

g=2110

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The post GaN HEMT不良部の結晶欠陥解析 first appeared on 株式会社アイテス.]]> TEMによる電子部品・材料の解析 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/fib-sem_tem/jirei_001.html Tue, 12 Aug 2014 04:47:07 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=7004 TEM（透過型電子顕微鏡）観察は、電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えする受託分析です。...

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TEM（透過型電子顕微鏡）観察は、電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。

特定部位のTEM観察（故障解析への応用）

エミッション解析にて特定した故障部位は、サブミクロンオーダーの加工精度を誇る独自のマーキング技術用い、薄片化しながら観察します。

電子の透過力の大きい加速電圧４００ｋＶのＴＥＭにて故障部位を試料厚内に閉じ込めた状態での透過観察とＦＩＢ加工を繰返し、最適な像を得ることが可能です。

FIB加工の様子

故障部位TEM像

TEM拡大像

元素分析、電子線回折

TEMは高倍率観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、あるいは電子線回折による結晶

構造、面方位、格子定数等の解析を行う事ができます。

ＴＥＭのブロック図

ＳｉＯ２のＥＤＳスペクトル

 

Siの電子線回折像

電子線入射方向[112]

TiNのEELSスペクトル

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The post TEMによる電子部品・材料の解析 first appeared on 株式会社アイテス.]]> FIB（集束イオンビーム装置）を使用したTEM試料作製 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/sample_processing/temshiryo.html Tue, 12 Aug 2014 04:02:21 +0000 http://www.ites.co.jp/analyze/souchi-2/fib/%e9%9b%86%e6%9d%9f%e3%82%a4%e3%82%aa%e3%83%b3%e3%83%93%e3%83%bc%e3%83%a0%e8%a3%85%e7%bd%ae%e3%80%80%e5%88%86%e6%9e%90%e4%ba%8b%e4%be%8b%ef%bc%92.html リフトアウト法を用いたTEM試料作製は、短時間で近接する個所での試料作製が可能です。...

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リフトアウト法

特徴

・通常の手法と比べ短時間（約１/２）で試料作製が可能
・近接する個所でも試料作製可能
・試料の前処理に水を使わない（ダイシングソー、機械研磨不要）

リフトアウト法を用いた試料作成の概要

ＦＩＢでＴＥＭ観察個所を薄片化した後
ガラスプローブで静電吸着して取り出す

マイクロマニュピレーター外観図
薄片化試料をガラスプローブで
取り出したところ
tem4
薄片化試料を支持膜付きのメッシュ
グリッドに固定する
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The post FIB（集束イオンビーム装置）を使用したTEM試料作製 first appeared on 株式会社アイテス.]]> FIB（Focused Ion Beam) https://www.ites.co.jp/structure/furyo/sample_processing/fib.html Tue, 12 Aug 2014 03:59:48 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=6935 FIB（集束イオンビーム）はGaイオンを数μｍ以下に絞り、ビームを走査させて試料表面の原子を弾き飛ばしながら微小領域を加工する装置です。半導体、MEMS、液晶ガラス、ビルドアップ基板など、微小領域の断面加工やTEM試料の作製が可能です。...

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FIB（集束イオンビーム）はGaイオンを数μｍ以下に絞り、ビームを走査させて試料表面の原子を弾き飛ばしながら微小領域を加工する装置です。半導体、MEMS、液晶ガラス、ビルドアップ基板など、微小領域の断面加工やTEM試料の作製が可能です。

装置紹介

クロスビームFIBは、FIBで断面加工しながらリアルタイムでSEM観察ができるため、ピンポイントで精度よく断面を出すことができます。またSEM/SIMの観察が可能です。

Single Beam FIB

シングルビームFIBは、TEM試料作製やSIM観察断面の作製、微細加工などの加工ができます。

微細加工例

FIB加工による断面をSEM及びSIMで観察

SEM：Secondary Electron Microscope image

ビルドアップ基板

ビルドアップ基板

太陽電池

太陽電池

MEMS

MEMS

半導体 IC

半導体IC

SIM：Secondary Ion Microscope image

CMOS

CMOS

ワイヤーボンド

ワイヤーボンド

はんだ/銅 接合部

はんだ/銅 接合部

液晶ガラス TFT部

液晶ガラス TFT部
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FIB (Forcused Ion Beam) 断面作製、ＴＥＭ試料作製および各種表面分析の前処理加工等の微小領域の加工を行い、解析精度及びスループットの向上に威力を発揮します。
写真

ＳＭＩ－２２００

特徴
  • ねらった場所を早く確実に加工
  • 機械的ダメージのない加工
  • ＳＩＭ像の観察
  • 集積回路の修正（配線の切断・接続）
  • アイデア次第で種々の用途に適用可能
所有装置
ＳＭＩ－２２００（セイコー社製） 装置概要
  • イオン種： Ga液体金属
  • デポジション： C(カーボン)、W(タングステン)
  • 試料： ８インチウェハーまで対応
事例
<!--
  • Ａｕ（金）ワイヤーの断面観察
  • はんだ接合部の断面観察
    • -->
    電子部品の受託評価・解析についてのご依頼/お問い合せ
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    裏面と断面からのエミッション発光解析を組合わせる受託分析です。LEDのようにアクティブ素子がチップ内部に存在するデバイスでも故障箇所特定が可能です。

    LED素子の裏面研磨と裏面発光解析

    断面研磨と断面からの発光解析

    断面発光箇所のTEM観察

    解析のまとめ
    断面リーク発光像よりTEM観察を行ったところ、発光層を縦断する積層欠陥、及びGaAs基板表面に複数のループ転位が見られた。各層の組成はEDS元素 分析で特定した。結晶の各層を成長させるプロセスにおいて、ループ転位を起点として積層欠陥が造りこまれ、発光層を縦断する部位で不正準位が形成されたこ とが接合リーク発生の原因になっていると考えられる。

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    The post 断面発光解析による橙色LEDのリーク不良解析 first appeared on 株式会社アイテス.]]>         TEMによる結晶材料の解析 https://www.ites.co.jp/structure/furyo/fib-sem_tem/temjirei_002.html Wed, 04 Sep 2013 08:44:11 +0000 http://www.ites.co.jp/?page_id=3481 TEM（透過型電子顕微鏡）は高分解能での結晶粒観察、電子線回折による結晶構造の解析など、結晶材料解析に最適な手法です。...

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    TEM（透過型電子顕微鏡）は高分解能での結晶粒観察、電子線回折による結晶構造の解析など、結晶材料解析に最適な手法です。

    結晶材料の高分解能観察

     

    (a) Si/SiO2/poly-Si海面部分の拡大鏡

                 (b)Poly-Siの結晶粒　アニール前

                 (c)Poly-Siの結晶粒　アニール後

    電子線回折

    (d)AIの電子線回折像
    (e)Siの電子線回折像

    電子線回折はX線回折と相補的に用いられ、X線回折では解析できない、微小領域の結晶の種類、格子定数、面方位、配向性を確認することができ、結晶材料の評価に不可欠の手法となっています。

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