EBAC(吸収電流)法による不良箇所の絞込み ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線のオープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 EBAC法(Electron Beam Absorbed Current)の原理 ・LSI等の金属配線に電子線が入射すると、配線中に吸収電流が生じます。この吸収電流をナノプローバ で針当てしてセンスし、アンプで増幅して表示することで、等電位の接続配線に沿ってコントラストが でます。 断線箇所が存在すると、それより先のコントラストが出ないため断線箇所を特定できます。・隣接する配線との間にショート不良がある場合は、そのネットもハイライトされるため、ショートして いるネットが特定できます。・吸収電流を電圧センスすることで、配線内の抵抗分圧に基づいたコントラストが得られるため、ビア チェーンなどのTEGで高抵抗不良箇所を検出することもできます。 EBAC法による解析事例 SEM像 1um設計ルールのLSI。TOPメタルをドライエッチングで露出し針当てしている。 吸収電流像 (電流センス) 等電位のネットに沿ったコントラストが得られている。 重ね合わせ画像 SEM像 ビアチェーンTEG。PAD間に3.3kΩの抵抗を持つ。 吸収電流像 (電流センス) ビアの個数に比例して抵抗値が増えていくため、白から黒へ徐々に変化するグラデーションのコントラストが得られている。 お問い合わせはこちらから 株式会社アイテス 品質技術部 TEL:077-599-5020 メールでのお問い合わせはこちらから