EBAC(吸収電流)法による不良箇所の絞込み

ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線のオープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。

EBAC法(Electron Beam Absorbed Current)の原理

・LSI等の金属配線に電子線が入射すると、配線中に吸収電流が生じます。この吸収電流をナノプローバ
 で針当て
してセンスし、アンプで増幅して表示することで、等電位の接続配線に沿ってコントラストが
 でます。

 断線箇所が存在すると、それより先のコントラストが出ないため断線箇所を特定できます。

・隣接する配線との間にショート不良がある場合は、そのネットもハイライトされるため、ショートして
 いる
ネットが特定できます。

・吸収電流を電圧センスすることで、配線内の抵抗分圧に基づいたコントラストが得られるため、ビア
 チェーン
などのTEGで高抵抗不良箇所を検出することもできます。

EBAC法による解析事例

SEM像

1um設計ルールのLSI。
TOPメタルをドライエッチングで露出し針当てしている。

吸収電流像 (電流センス)

等電位のネットに沿ったコントラストが得られている

重ね合わせ画像

SEM像

ビアチェーンTEG。
PAD間に3.3kΩの抵抗を持つ

吸収電流像 (電流センス)

ビアの個数に比例して抵抗値が増えていくため、白から黒へ徐々に変化するグラデーションのコントラストが得られている。