拡散層観察

FIB-SEMによる半導体の拡散層観察

FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、形状評価を行います。 SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化 内蔵電位によってN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。 それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。 <特徴> ・ FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施することが可能。 ・ 他手...

sMIMによる半導体拡散層の解析

マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に線形な相関を持つ信号が特徴です。SuperJunction型MOSFETの拡散層断面解析事例を紹介します。

FIB断面でのLV-SEMとEBIC法による拡散層の観察

FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM / EBICによる拡散層の形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造の受託解析を行います。