FIB-SEMによる半導体の拡散層観察

FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、形状評価を行います。

SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化

SEMのInlens検出器

内蔵電位によってN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。
それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。

<特徴>

・ FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施することが可能。
・ 他手法より短納期で対応。
・ 濃度は10E16まで検出可能。
・ PN界面が可視化されるが、N+/N-,及びP+/P-の濃度差は検出不可。
(レイアウト等の制約有り。上層膜除去等、ある程度の前処理を必要とする場合があります。)

拡散層の観察事例

1㎛ルール NMOSロジックデバイス

1マイクロメートルルール NMOSロジックデバイス

600V耐圧 PowerMOSFET

600V耐圧 PowerMOSFET