FIB(Focused Ion Beam)

FIB(集束イオンビーム)はGaイオンを数μm以下に絞り、ビームを走査させて試料表面の原子を弾き飛ばしながら微小領域を加工する装置です。半導体、MEMS、液晶ガラス、ビルドアップ基板など、微小領域の断面加工やTEM試料の作製が可能です。

装置紹介

クロスビームFIBは、FIBで断面加工しながらリアルタイムでSEM観察が出来るため、ピンポイントで精度よく断面を出すことができます。またSEM/SIMの観察が可能です。

Single Beam FIB

シングルビームFIBは、TEM試料作製やSIM観察断面の作製、微細加工などの加工が出来ます。

微細加工例

FIB加工による断面をSEM及びSIMで観察

SEM:Secondary Electron Microscope image

ビルドアップ基板

ビルドアップ基板

太陽電池

太陽電池

MEMS

MEMS

半導体 IC

半導体IC

SIM:Secondary Ion Microscope image

CMOS

CMOS

ワイヤーボンド

ワイヤーボンド

はんだ/銅 接合部

はんだ/銅 接合部

液晶ガラス TFT部

液晶ガラス TFT部
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株式会社アイテス 品質技術部
TEL:077-599-5020
FIB (Forcused Ion Beam) 断面作製、TEM試料作製および各種表面分析の前処理加工等の微小領域の加工を行い、解析精度及びスループットの向上に威力を発揮します。
写真

SMI-2200

特徴
  • ねらった場所を早く確実に加工
  • 機械的ダメージのない加工
  • SIM像の観察
  • 集積回路の修正(配線の切断・接続)
  • アイデア次第で種々の用途に適用可能
所有装置
SMI-2200(セイコー社製) 装置概要
  • イオン種: Ga液体金属
  • デポジション: C(カーボン)、W(タングステン)
  • 試料: 8インチウェハーまで対応
事例
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