短波長レーザーによるOBIRCH解析サービス SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物理特性が異なるため、故障箇所特定も新たな手法が必要となります。 詳しくはこちら(外部サイト) お問い合わせはこちら OBIRCH解析の原理 (Optical Beam Induced Resistance CHange) ・半導体回路に定電流を流して、OBIRCHアンプで 電流の変化をモニターしながら、レーザーを走査 します。・レーザー加熱による電流の変動を2次元の画像と して表示させ、リーク不良箇所を特定します。・より詳細な原理紹介のページへ 結合エネルギー(eV)原子間距離(nm)熱伝導度(W/cmK)SiC4.500.1884.9Si1.120.2351.5 SiCはSiと比べ結合エネルギーが大きく、熱伝導度も高いため局所的な加熱が難しい。 波長(nm)エネルギー密度短波長レーザ(GL)532高近赤外レーザ(IR)1300低 短波長レーザはエネルギー密度が高く、SiC構造を効率良く加熱できる。また、基板を透過するため高感度のOBIRCH解析が可能である。(GL-OBIRCH)