短波長レーザーによるOBIRCH解析サービス

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物理特性が異なるため、故障箇所特定も新たな手法が必要となります。

OBIRCH解析の原理 (Optical Beam Induced Resistance CHange)

・半導体回路に定電流を流して、OBIRCHアンプで
 電流の変化をモニターしながら、レーザーを走査
 します。

・レーザー加熱による電流の変動を2次元の画像と
 して表示させ、リーク不良箇所を特定します。

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 結合エネルギー
(eV)
原子間距離
(nm)
熱伝導度
(W/cmK)
SiC4.500.1884.9
Si1.120.2351.5

SiCはSiと比べ結合エネルギーが大きく、
熱伝導度も高いため局所的な加熱が難しい。

 波長(nm)エネルギー密度
短波長レーザ(GL)532
近赤外レーザ(IR)1300

短波長レーザはエネルギー密度が高く、SiC構造を効率良く加熱できる。
また、基板を透過するため高感度のOBIRCH解析が可能である。(GL-OBIRCH)