ダイオード・MOS FET・IGBTといったパワーデバイスの故障箇所を特定し、観察いたします。
あらゆるサイズ・形状のサンプルに対し，裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析に最適な前処理を行います。
解析の前処理 -裏面研磨-
各種サンプル形態に対応します。( Siチップサイズ200um～15mm角)
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故障箇所特定 -裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析-
IR-OBIRCH解析: ～100mA/10V ～100uA/25V まで対応
感度：数十pA、低倍最大視野：6.5mm角
レーザー加熱による電流変化を信号に変換する。
エミッション解析 ： ～2kVまで対応
感度：数nA、 低倍最大視野：6.5mm角
リーク電流に伴う微弱発光を高感度カメラで検出する。
リーク箇所のピンポイント断面観察 -SEM・TEM-
予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し、 不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施することが出来ます。
特定位置精度：±0.3um、試料厚：1.5um～0.1um
ボンディング起因の不良イメージ | 裏面OBIRCH後のFIB-SEM観察 |
FIB-SEMによる拡散層観察（MOS-FET）
- 機械研磨SEM観察 ：
大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察 - 拡散層観察：
TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能。
構造により前処理が必要な場合あり。 - FIB-SEM観察 ：
クラック・形状異常・拡散層観察 (～×50k) - 断面TEM観察 ：
ゲート酸化膜の破壊・転位 (～×400k)