パワーデバイスの故障解析 ダイオード・MOS FET・IGBTといったパワーデバイスの故障箇所を特定し、観察いたします。あらゆるサイズ・形状のサンプルに対し,裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析に最適な前処理を行います。 解析の前処理 -裏面研磨- 各種サンプル形態に対応します。( Siチップサイズ200um~15mm角) 故障箇所特定 -裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析- IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応 感度:数十pA、低倍最大視野:6.5mm角 レーザー加熱による電流変化を信号に変換する。 エミッション解析 : ~2kVまで対応 感度:数nA、 低倍最大視野:6.5mm角 リーク電流に伴う微弱発光を高感度カメラで検出する。 リーク箇所のピンポイント断面観察 -SEM・TEM- 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し、 不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施することが出来ます。 特定位置精度:±0.3um、試料厚:1.5um~0.1umボンディング起因の不良イメージ裏面OBIRCH後のFIB-SEM観察 FIB-SEMによる拡散層観察(MOS-FET) 機械研磨SEM観察 : 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察拡散層観察: TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能。 構造により前処理が必要な場合あり。FIB-SEM観察 : クラック・形状異常・拡散層観察 (~×50k)断面TEM観察 : ゲート酸化膜の破壊・転位 (~×400k)