ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事ができます。更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察も可能です。
発熱解析原理, 装置概要
発熱解析は、電圧印加によってリーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで検出する事で不良箇所を特定する手法です。
サンプルを非破壊の状態で解析したり、OBIRCHやエミッションでは解析が難しい電子部品を解析する事も可能です。
また、ロックイン機能を使用し、位相情報を取得する事で、高精度な発熱箇所の特定が可能となります。
＊本手法は協力会社様で実施して頂くサービスとなります。
装置仕様
- 観察視野サイズ：9.5×7.5mm～1.2×0.96mm
- 検出波長領域：3.7um～5.1um
- 最大印加電圧、電流：1.5kV/120mA 3kV/20mA
- ロックイン周波数：0.1Hz～83Hz
