裏面と断面からのエミッション発光解析を組合わせる受託分析です。LEDのようにアクティブ素子がチップ内部に存在するデバイスでも故障箇所特定が可能です。
LED素子の裏面研磨と裏面発光解析
断面研磨と断面からの発光解析
断面発光箇所のTEM観察
解析のまとめ
断面リーク発光像よりTEM観察を行ったところ、発光層を縦断する積層欠陥、及びGaAs基板表面に複数のループ転位が見られた。各層の組成はEDS元素 分析で特定した。結晶の各層を成長させるプロセスにおいて、ループ転位を起点として積層欠陥が造りこまれ、発光層を縦断する部位で不正準位が形成されたこ とが接合リーク発生の原因になっていると考えられる。