裏面と断面からのエミッション発光解析を組合わせる受託分析です。LEDのようにアクティブ素子がチップ内部に存在するデバイスでも故障箇所特定が可能です。
LED素子の裏面研磨と裏面発光解析
 裏面発光解析の前処理と解析の模式図 | 逆バイアス Ir = 27nA/27Vの裏面発光像と拡大発光像 矢印は今回解析を行った発光点 |
断面研磨と断面からの発光解析
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逆バイアス Ir=15nA時の断面発光像 |
断面発光箇所のTEM観察
リーク箇所の断面TEM観察
解析のまとめ
断面リーク発光像よりTEM観察を行ったところ、発光層を縦断する積層欠陥、及びGaAs基板表面に複数のループ転位が見られた。各層の組成はEDS元素 分析で特定した。結晶の各層を成長させるプロセスにおいて、ループ転位を起点として積層欠陥が造りこまれ、発光層を縦断する部位で不正準位が形成されたこ とが接合リーク発生の原因になっていると考えられる。