ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光とIR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。
良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性比較
良品 光学像
[IF=20ｍA]
ESD破壊品 光学像
[IF=20ｍA]
逆方向特性
順方向特性
砲弾型LEDのレンズ部を研磨にて平坦化し、輝度比較を行ったところ、ダークエリアが観察されました。
エミッション顕微鏡による発光解析
砲弾型LEDのレンズ部分を平面研磨で除去したものを解析に用いた。
エミッション解析
[順方向（VF以下）]
エミッション解析
[逆方向]
ESD破壊品は順バイアスでダークエリアが観察され、逆バイアスで破壊箇所のみが発光しました。
IR-OBIRCHおよびSEI解析
IR-OBIRCH解析*¹
[逆方向]
SEI解析*²
[ノン・バイアス]
*¹ IR-OBIRCH解析
近赤外レーザーの加熱による電流の微小変化を高感度電流アンプで検出する。
*² SEI解析
近赤外レーザーでの加熱による熱起電力電流を高感度電流アンプで検出するものである。
ESD破壊品のIR-OBIRCH解析により詳細な破壊箇所が特定できました。同じ試料についてSEI解析を行うと、ESD破壊が結晶方位に沿って発生している事が分かりました。