発光解析のための半導体の裏面研磨

裏面OBIRCH/発光解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの裏面研磨を行います。裏面から解析を行うため不可欠な前処理です。

裏面研磨の必要性

裏面解析は、電極による遮光や高濃度基板による光の減衰により透過しないため、裏面研磨が必要です。

裏面研磨とは

裏面から解析することで、不良を保持したまま発光を検出できるだけでなく、形状異常の有無も観察できます。

各種試料裏面研磨例

例1:パッケージ

パッケージ

例2:開封済みチップ

例3:ウエハー

ウエハー

例4:DIP

DIP

パッケージ、開封済みチップ、ウエハー等様々な形態の半導体で裏面研磨ができます。
さらに、リード端子を生かした状態の裏面研磨も可能です。

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株式会社アイテス 品質技術部
TEL:077-599-5020
裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの裏面研磨を行います。裏面発光解析を行うため不可欠な前処理です。

裏面エミッション発光のスペクトル分布

デバイス表面の金属配線により 発光解析が困難になる場合があり、裏面発光解析が多用されています。

右図は裏面発光解析のスペクトル分布を表します。Si基板中の光透過率は1000nmから立上がりますが、CCD感度は1200nmで落込んでしまいます。

裏面発光解析はこの部分の発光を捉えるため、Si基板をより薄くする必要があります。

各種試料裏面研磨例

(パッケージ、ICチップ、ウェハ、パワーデバイス、IGBT、DI(ダイオード)に適用可能)

パッケージ
30V,24A(10V),0.04Ω
低抵抗,中耐圧,高濃度Si基板。(200μm厚)
Si研磨(Si厚50um)後のIR像。
配線パターンが見えている
ICチップ
ウエハ
裏面研磨後の光学像実際の解析では50um程度の薄膜化で解析可能