AES | 株式会社アイテス https://www.ites.co.jp Thu, 09 Apr 2026 01:25:24 +0000 ja hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.9.7 オージェ電子分光法による金めっき変色部の分析 https://www.ites.co.jp/chemistry/index/surface_analysis/analysis_discolored_areas.html Tue, 07 Apr 2026 08:48:23 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=chemistry&p=49374 パッドの変色は、外観不良のみならず、ボンディング不良、はんだ濡れ不良、接点の導電不良などの原因となります。オージェ電子分光法(AES)による金メッキパッド変色部の分析事例を紹介します。 オージェ電子分光分析装置（AES）...

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パッドの変色は、外観不良のみならず、ボンディング不良、はんだ濡れ不良、接点の導電不良などの原因となります。オージェ電子分光法(AES)による金メッキパッド変色部の分析事例を紹介します。

オージェ電子分光分析装置（AES）概要

特徴

  • 最表面(約5nm)の分析
  • 深さ方向分析
  • 微小領域(＞1μm□)の分析

適用例

  • 金属パッドの変色分析
  • 酸化膜厚測定
  • ボンディング不良解析

日本電子製　JAMP-7100E

分析事例

金メッキ変色部の元素分析の結果、変色部はニッケルと酸素が検出され、金は検出下限以下でした。
正常部は金と酸素が検出され、ニッケルは検出下限以下でした。

金めっき変色部

NiとOが検出され、Auは検出下限以下

Niは検出下限以下

金メッキの深さ方向分析の結果、変色部は最表面にニッケルと酸素からなる層が確認されました。
下層のニッケルがピンホールなどを通じ金メッキ表面に拡散し、酸化されたものと推測されます。

ピンホールなどを通じ、下層のNiが表面に拡散し酸化

表面にNiとOを含む層が確認されている

最表面にNi層は確認されていない

オージェ電子分光法は下地の影響を受けることなく、ごく最表面の元素情報を得ることができます。
Arスパッタリングを併用することにより、深さ方向の元素濃度プロファイルの取得が可能です。

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The post オージェ電子分光法による金めっき変色部の分析 first appeared on 株式会社アイテス.]]> 不具合の原因を化学の視点で解決します。 https://www.ites.co.jp/chemistry/index/component_analysis/chemical-bug_solution.html Mon, 04 Oct 2021 04:30:07 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=chemistry&p=31379 クラック、変色、剥離、変形、物性強度低下など、製品、部材などに発生する不具合は様々です。その多くは、製品を構成する材料に原因がある場合が多く、その材料を分析調査することで解決することがあります。何が起きているのかを化学、および反応機構でアプローチする方法をご紹介します。...

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クラック、変色、剥離、変形、物性強度低下など、製品、部材などに発生する不具合は様々です。
その多くは、製品を構成する材料に原因がある場合が多く、その材料を分析調査することで解決することがあります。何が起きているのかを化学、および反応機構でアプローチする方法をご紹介します。

クラック（割れ）、剥離

打痕、応力、溶剤の接触、汚染などで材料に割れ、剥離が生じることがあります。プラスチックは特にこういった負荷には弱いものが多く、同じ製造プロセスであっても、少しの条件の違いで特性が低下します。また経年劣化でも特性低下を招きます。

  • 分子量の低下
  • 伸び特性の限界（降伏点）
  • 膨潤
  • 汚染
  • 極性基皆無（水酸基など）
割れ

変色、変形

応力、紫外線、熱、薬品との接触などで変色、変形することがあります。

  • 樹脂ネッキング
  • 結合開裂
  • 熱/光劣化
  • 錆
  • 変質
  • 構成元素の欠損
変色・変形

化学反応機構（エポキシ樹脂硬化例）

化学反応機構とは、化学反応を電子の動きで把握することで、より深くその変化を理解することが可能となります。以下にエポキシ樹脂の硬化機構を示します。

一級アミン
三級アミン
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The post 不具合の原因を化学の視点で解決します。 first appeared on 株式会社アイテス.]]> 表面分析ガイド https://www.ites.co.jp/chemistry/index/surface_analysis/surface-analysis-guide.html Wed, 18 Aug 2021 02:15:43 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=chemistry&p=29461 様々な表面分析手法を用いて、異物、変色、汚染などのお困りごとの解決に向けてお役立て致します。...

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様々な表面分析手法を用いて、異物、変色、汚染などのお困りごとの解決に向けてお役立ていたします。

EDX（EDS）（エネルギー分散型X線分析）

電子線を照射し特性X線を検出します。微小領域からバルク試料まで幅広い分析が可能です。

EDX（EDS）

特徴

  • 微小領域の元素分析
  • バルク試料の分析
  • SEMとの併用が可能
  • 元素マッピング

適用例

  • 微小異物分析
  • マイグレーション観察
PP（アクリル添加品）の元素マッピング（SEM）

PP（アクリル添加品）の元素マッピング

AES（オージェ電子分光分析）

電子線を照射しオージェ電子を検出します。酸化状態など金属表面の分析に有効です。

AES（オージェ電子分光分析）

特徴

  • 最表面(約5nm)の分析
  • 深さ方向分析
  • 微小領域の元素分析

適用例

  • パッドの変色分析
  • 酸化膜厚測定
  • ボンディング不良解析
Alパッド（不良部）
Alパッド（正常部）

ボンディング不良パッドの深さ方向分析

XPS（ESCA）（X線光電子分光分析）

X線を照射し光電子を検出します。絶縁物の分析や化学結合状態の分析が可能です。

XPS（X線光電子分光分析）

特徴

  • 最表面(約5nm)の分析
  • 深さ方向分析
  • 結合状態の比較評価
  • 絶縁物の分析

適用例

  • 基板表面の汚染分析
  • 表面酸化の評価
元素分析結果

元素分析結果

炭素の状態分析結果

炭素の状態分析結果

TFAによるPVAの化学修飾 （定性分析、状態分析）

TOF－SIMS（飛行時間型二次イオン質量分析）

一次イオンを照射し二次イオンを検出します。表面汚染などの有機物・無機物分析に有効です。

特徴

  • 最表面(1~2nm)の分析
  • 微量元素の検出(数ppm)
  • 有機物・無機物のイメージング
  • 元素の深さ方向分析

適用例

  • 有機物・無機物汚染の分析
  • 膜はじき異物の分析

Si ウエハの残渣分析（有機物・無機物のイメージング）

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The post 表面分析ガイド first appeared on 株式会社アイテス.]]> 化学分析の流れ https://www.ites.co.jp/chemistry/index/component_analysis/chemical-analysis_flow.html Fri, 16 Jul 2021 00:50:09 +0000 https://www.ites.co.jp/?post_type=chemistry&p=28613 アイテスでは様々な化学分析サービスを承っております。化学分析の手法や進め方をご紹介します。...

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アイテスでは様々な化学分析サービスを承っております。化学分析の手法や進め方をご紹介します。

アイテスの化学分析サービス

パネル製品、半導体製品、樹脂成型品等の様々な工業製品・材料を分子、原子レベルのミクロな構造、働きに着目し、様々な分析装置を用いて分析することでそれらの機能、特性、状態を明らかにして、お客様の問題解決に役立てます。

製品・材料の以下のような問題の解決に化学分析は有効です

  • 製品内の異物
  • 使用材料の材質・状態
  • 材料の変質
  • 材料に含まれる微量成分・元素
  • 材料・製品の熱による物理特性

化学分析装置の種類

各分析装置はそれぞれ測定できる対象が異なり、目的に合った装置を選ぶ必要があります。

分析手法の選び方

分析の対象、知りたい内容によって装置を使い分け、必要に応じて装置を組合わせて分析を行います。

分析手法の選び方

分析したい物の材質、分析の目的を詳細にお聞きし、最適な分析手法をご提案いたします。

化学分析サービスで、お客様の問題解決に貢献いたします。

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極表面層 数nm領域の元素分析を行います。スパッターエッチングと組合せることにより接合部界面の深さ方向分析も可能です。...

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オージェ電子分光法は極表面層 数nm領域の元素分析が可能です。
スパッターエッチングと組合せることにより接合部界面の深さ方向分析も可能です。

Al／ITO TEGコンタクト不良の分析

予めFIB加工を施すことにより、イオンミキシング効果を低減させ、界面酸化膜の存在を明瞭に捉えることができます。

TEGコンタクト光学像
(a)
(b)

半導体デバイスのボンディングパッド部深さ方向分析

半導体素子のワイヤボンディング不良の発生したAlパッド部に対して、深さ方向分析を行った結果、
不良部パッドは正常部と比較して酸化膜が厚いことが判明しました。
また、不良パッド部には表面に炭素が検出されており、有機物汚染の可能性も考えられます。

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