透過型電子顕微鏡 TEM (Transmission Electron Microscopy) 微細構造の解析、および局所領域の元素分析を行います。 特徴 原子レベルでの構造解析が可能 ナノスケールでラインプロファイル、元素マッピングが可能 (STEM/EDS/GIF搭載) FIB加工によりサブミクロン精度の試料作製が可能 装置概要 装置仕様(本体) 型式 : Tecnai F20 S-TWIN(FEI製) 加速電圧 : 200kV 電子銃 : FEG 分解能 : 格子像0.10nm 粒子像0.24nm 倍率 : 25~1,100,000倍 STEM装置 FP5300(FEI製)検出器:明視野・暗視野・HAADF、分解能0.20nmプローブ電流0.5na@1nm FEI製: Tecnai F20 S-TWIN EDS XFlash 6T|30(BRUKER製)30mm²SDD(液体窒素レス・シリコンドリフト検出器) エネルギー分解能:126eV at Mn Kα,51 eV at C Kα and 60 eV at F Kα availableエネルギーフィルター GIF2001(GATAN製)元素マッピング1024 x 1024ピクセル、分析範囲Li~U、エネルギー分解能2eV 装置仕様(本体) 型式 : JEOL JEM-4000FX(日本電子製) 加速電圧 : 400kV 電子銃 : LaB6 分解能 : 格子像0.14nm 粒子像0.26nm 倍率 : 60~800,000倍 日本電子製:JEM-4000FX 事例半導体断面TEM観察 ゲートピンホールの断面TEM解析事例である。 エミッション顕微鏡にてCMOSデバイスのリーク箇所を検出した。(図1) FIB法で発光箇所の断面試料を作製し、TEMで観察すると、ゲートとシリコン基板が導通している部分が発見された。(図2赤矢印) 拡大して観察すると、ゲート絶縁膜中に10nm以下のピンホールがあり、そこをシリコンの格子縞が貫通していることが判明した。(図3) 不良部位の元素分析 半導体デバイス配線不良部の断面TEM観察事例である。(図1) 不良部のEELS元素マッピングにより、配線層の下に酸化アルミの異物があることが判明した。(図2) お問い合わせはこちらから 株式会社アイテス 品質技術部 TEL:077-599-5020 メールでのお問い合わせはこちらから