『お客様の“時間”を大切にします』
現在、世の中でもっとも価値のあるものは“時間”です。 私たちは日々の仕事において自らの“時間”を切り売りし、またあらゆる技術革新は“時間の短縮”を目的としています。アイテスのウェハーサービスは最初の応答からお見積り回答、調達加工納期、納入時の物流に至るまで1秒でも早く対応することを常に心がけています。
実績例
８インチ加工内容一覧
| 膜種 | 装置 | 膜厚(Å) | 膜厚公差 | 均一性 | 備考欄 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 熱酸化 | 熱酸化膜（V/F） | 拡散炉 | 500 – 5000 | ±10%以内 | 5%以内 | 150枚バッチ式処理 |
| 熱酸化膜（RTO） | 18 – 200 | ±10%以内 | 5%以内 | 両面成膜 | ||
| ポリシリコン | LP-POLY | 減圧CVD | 1000 – 5000 | ±10%以内 | 5%以内 | Non-doped Poly-Si |
| 絶縁膜 | LP-SIN | 700 – 2000 | ±10%以内 | 5%以内 | 両面成膜 | |
| LP-TEOS | 3000 – 10000 | ±10%以内 | 5%以内 | アニールで収縮 | ||
| P-SIN | プラズマCVD | 500 – 10000 | ±10% | 10%以内 | プラズマナイトライド | |
| P-TEOS | 500 – 30000 | ±10%以内 | 5%以内 | プラズマTEOS | ||
| P-SiO2 | 500 – 10000 | ±10%以内 | 10%以内 | SiH4-Oxide(モノシラン） | ||
| O3-TEOS | 340 – 4000 | ±10%以内 | 10%以内 | オゾンTEOS | ||
| HDP | 2000 – 10000 | ±10%以内 | 10%以内 | High-Density Plasma CVD 酸化膜 | ||
| P-SION | 200 – 1000 | ±10%以内 | 10%以内 | 反射防止膜 | ||
| メタル膜 | AL-CU | スパッタリング装置 | 1000 – 10000 | ±10%以内 | 10%以内 | Cu 0.5% 下地不要 |
| Ti | 100 – 3000 | ±10%以内 | 10%以内 | 密着膜 | ||
| TiN | 140 – 500 | ±10%以内 | 10%以内 | 厚膜不可 | ||
| W（SPUTTER） | 500 – 1000 | ±10%以内 | 15%以内 | 下地不要 | ||
| W（CVD） | W-CVD | 3500 – 9000 | ±10%以内 | 10%以内 | 下地にTiNが必要 | |
| レジスト膜 | RESIST | スピンコータ― | 5000 – 68000 | ±10%以内 | 5%以内 | I 線/ Krf |
| エッチング | Wet Etch | MUV | 等方性 | |||
| Dry Etch | MUV/DUV | 0.25um | 異方性 | |||
| Deep RIE | MUV | AR40 | ボッシュ式 | |||
| 膜種 | 装置 | |
|---|---|---|
| 熱酸化 | 熱酸化膜（V/F） | 拡散炉 |
| 熱酸化膜（RTO） | ||
| ポリシリコン | LP-POLY | 減圧CVD |
| 絶縁膜 | LP-SIN | |
| LP-TEOS | ||
| P-SIN | プラズマCVD | |
| P-TEOS | ||
| P-SiO2 | ||
| O3-TEOS | ||
| HDP | ||
| P-SION | ||
| メタル膜 | AL-CU | スパッタリング装置 |
| Ti | ||
| TiN | ||
| W（SPUTTER） | ||
| W（CVD） | W-CVD | |
| レジスト膜 | RESIST | スピンコータ― |
| エッチング | Wet Etch | MUV |
| Dry Etch | MUV/DUV | |
| Deep RIE | MUV | |
シリコンダミーウェハー 標準規格品一覧
| サイズ | 直径（mm） | 導電型 | 面方位 | 厚み（μm） | 抵抗率（Ω・cm） | ノッチ（方位）/OF（mm） | 表面 | 裏面 | パーティクル |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2 | 50±0.5 | P | 100 | 280±25 | 1～100 | 17.5±2.5 | 鏡面 | エッチド | 0.3um≦10個 |
| 3 | 76±0.5 | P | 100 | 380±25 | 1～100 | 22.0±2.5 | 鏡面 | エッチド | 0.3um≦10個 |
| 4 | 100±0.5 | P | 100 | 525±25 | 1～100 | 32.5±2.5 | 鏡面 | エッチド | 0.3um≦10個 |
| 5 | 125±0.5 | P | 100 | 625±25 | 1～100 | 42.5±2.5 | 鏡面 | エッチド | 0.2um≦30個 |
| 6 | 150±0.5 | P | 100 | 625±25 | 1～100 | 47.5±2.5 | 鏡面 | エッチド | 0.2um≦30個 |
| 8 | 200±0.5 | P | 100 | 725±25 | 1～100 | 110 | 鏡面 | エッチド | 0.2um≦30個 |
| 12 | 300±0.2 | P | 100 | 775±25 | 1～100 | 110 | 鏡面 | 鏡面 | 0.2um≦50個 |
| サイズ | 直径（mm） | 導電型 | 面方位 | 厚み（μm） |
|---|---|---|---|---|
| 2 | 50±0.5 | P | 100 | 280±25 |
| 3 | 76±0.5 | P | 100 | 380±25 |
| 4 | 100±0.5 | P | 100 | 525±25 |
| 5 | 125±0.5 | P | 100 | 625±25 |
| 6 | 150±0.5 | P | 100 | 625±25 |
| 8 | 200±0.5 | P | 100 | 725±25 |
| 12 | 300±0.2 | P | 100 | 775±25 |