半導体や絶縁物の中で、比較的バンドギャップが広い物質や薄膜のバンドギャップを、XPSを使用して簡易的に測定することが可能です。
Ga2O3のバンドギャップの測定例：O1sを測定
β-Ga2O3のバンドギャップをO1sのピークを使用して測定を行いました。
O1sのピーク位置とバンドギャップによるエネルギー損失の端部との差よりこのβ-Ga2O3のバンドギャップは、約4.9eVと測定されます。
バンドギャップの広いSiON等の薄膜の簡易測定も可能です。
SiCのバンドギャップの測定例：Si2pを測定
SiCのバンドギャップをSi2pのピークを使用して測定を行いました。
Si2pのピーク位置とバンドギャップによるエネルギー損失の端部との差よりこのSiCのバンドギャップは、約3.２eVと測定されます。
酸化物系以外の半導体もお問い合わせください。