XPSによるバンドギャップの簡易測定

半導体や絶縁物の中で、比較的バンドギャップが広い物質や薄膜のバンドギャップを、XPSを使用して簡易的に測定することが可能です。

Ga2O3のバンドギャップの測定例:O1sを測定

β-Ga2O3のバンドギャップをO1sのピークを使用して測定を行った。 O1sのピーク位置とバンドギャップによるエネルギー損失の端部との差よりこのβ-Ga2O3のバンドギャップは、約4.9eVと測定される。
O1s

バンドギャップの広いSiON等の薄膜の簡易測定も可能です。

SiCのバンドギャップの測定例:Si2pを測定

SiCのバンドギャップをSi2pのピークを使用して測定を行った。

Si2pのピーク位置とバンドギャップによるエネルギー損失の端部との差よりこのSiCのバンドギャップは、約3.2eVと測定される。

Si2p

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