画像の膜厚
正面から見た色味(蛍光灯下)
熱酸化膜
(SiO2)

4.500Å
紫
半導体の熱酸化膜は、主にシリコン基板の表面を酸化させて形成される絶縁膜です。シリコンウェハを酸素または水蒸気雰囲気で高温処理(約800~1200℃)することで生成され、二酸化シリコン(SiO₂)で構成されます。この膜は、MOSトランジスタやキャパシタの絶縁層として利用され、優れた電気絶縁性や化学的安定性を持っています。また、ウェハの表面を保護する役割や拡散バリアとしても機能します。加工精度が高く、微細プロセスでの重要な材料です。

500Å
透明(シリコンよりも暗い)
また、薄膜熱酸化膜(Rapid Thermal Oxide: RTO)は、半導体製造プロセスにおいて迅速に形成される酸化シリコン膜です。RTOは、高温短時間のプロセスで形成されるため、膜質が均一で、界面特性が良好なことが特長です。この薄膜は、主にゲート酸化膜やトンネル酸化膜として用いられ、デバイスの高性能化や信頼性向上に寄与します。また、膜厚が薄いため、電気的特性を精密に制御する必要がある用途に適しています。
P-SiO2(SiH4-OX)
(PECVD SiO2)
NoImage
プラズマCVDによるSiO₂(SiH₄-OX)は、シラン(SiH₄)と酸素を反応させて形成される酸化シリコン膜で、低温プロセスが可能なことが特長です。プラズマの助けにより堆積温度を抑えられるため、低耐熱基板や層間絶縁膜の形成に適しています。この膜は高い絶縁性と化学的安定性を持ち、半導体デバイスの層間絶縁や保護膜、平坦化膜として広く使用されます。また、膜厚や特性の制御が容易で、多層配線構造に対応可能です。成膜プロセスが比較的簡便で、生産効率が高いことも利点です。
P-TEOS
(PECVD TEOS)

3,000Å
青
プラズマCVDによるTEOS膜は、四エトキシシラン(TEOS: Tetraethyl Orthosilicate)を原料とする酸化シリコン膜で、高い膜均一性と密着性が特長です。プラズマを用いることで低温で成膜可能なため、熱に弱い基板や複雑な形状の表面にも適用できます。この膜は、半導体製造における層間絶縁膜やキャップ層、バリア層として使用され、高い絶縁性と機械的安定性を提供します。また、微細構造の充填性が優れているため、デバイスの高密度化や多層配線構造に適しています。プロセスの汎用性が高く、幅広い用途に対応可能です。
O3-TEOS
(オゾンTEOS)

2,500Å
赤紫
O₃(オゾン)TEOS膜は、四エトキシシラン(TEOS)とオゾン(O₃)を反応させて形成される酸化シリコン膜で、優れた膜質と均一性が特長です。オゾンの強い酸化力により、高密度で低欠陥な膜が得られ、特に微細構造への優れた埋め込み特性(コンフォーマリティ)を持ちます。この膜は、層間絶縁膜やキャップ層、平坦化膜として利用され、微細配線技術や3D構造の製造に適しています。また、低温成膜が可能なため、熱に敏感な基板にも対応できます。高品質な絶縁性とプロセス制御の容易さから、次世代半導体デバイスにおける重要な材料となっています。
LP-TEOS
(LPCVD TEOS)

10,000Å
オレンジ
LP-CVD(低圧CVD)によるTEOS膜は、四エトキシシラン(TEOS)を原料として高温で形成される酸化シリコン膜で、高い膜密度と優れた均一性が特長です。プロセス温度が高いため、膜質が緻密で、機械的強度や耐湿性が優れています。この膜は、半導体デバイスの層間絶縁膜、キャップ層、バリア層として利用されるほか、平坦化膜としても使用されます。また、高温プロセスにより応力制御が可能で、多層構造や微細パターンにも対応可能です。特に、膜厚の精密制御と量産性の高さが要求されるプロセスに適しています。
HDP

6,500Å
中心 紫
外周 緑
HDP(High Density Plasma)膜は、高密度プラズマCVDを用いて成膜される酸化シリコン膜で、優れた埋め込み性と膜質が特長です。成膜と同時にプラズマエッチングを行う効果により、微細構造の溝や配線間のギャップを効率的に埋め込むことができます。この特性から、半導体の層間絶縁膜や多層配線構造でのギャップフィリング用途に適しています。また、膜の緻密性が高く、低欠陥で機械的強度や耐湿性にも優れるため、デバイスの信頼性向上に寄与します。高性能な微細加工技術が必要な次世代半導体製造において重要な役割を果たします。
PSG
NoImage
PSG(Phosphosilicate Glass)膜は、リン(P)をドープした酸化シリコン膜で、優れた耐湿性やストレス緩和特性が特長です。リンを含むことで、吸湿を防ぎつつ膜内応力を軽減し、基板と膜の密着性を向上させます。この特性により、層間絶縁膜や平坦化膜として半導体デバイス製造に広く使用されます。また、リンの拡散性を利用して、半導体の拡散ソース膜やパッシベーション膜としても利用可能です。膜質やプロセス条件の調整が比較的容易で、量産性の高い用途に適しています。
BPSG

6,000Å
赤紫
BPSG(Boron Phosphosilicate Glass)膜は、ボロン(B)とリン(P)をドープした酸化シリコン膜で、優れた耐湿性、応力緩和性、平坦化特性が特長です。ボロンとリンの両方を含むことで、膜内応力がさらに低減され、基板への密着性が向上します。この特性により、層間絶縁膜や平坦化膜として、特に多層配線構造における基板の平坦性確保に使用されます。また、熱処理による流動性が高いため、微細構造のギャップフィリングにも適しています。デバイスの高性能化や微細化が進む中で、信頼性向上に寄与する重要な材料です。
P-SiN
(PECVD SiN)

2,000Å
青
プラズマCVDによるSiN(シリコン窒化膜)は、シラン(SiH₄)とアンモニア(NH₃)などを原料とし、低温で成膜可能な窒化シリコン膜です。この膜は高い絶縁性と耐湿性、化学的安定性を備えており、パッシベーション膜や保護膜、絶縁膜として広く使用されます。また、優れた膜密着性により、半導体デバイスの層間絶縁やストレス緩和用途にも適しています。さらに、膜厚の均一性やプロセス制御が容易で、MEMSや光学デバイスなど幅広い応用分野に対応可能です。低温プロセスの利点により、熱に敏感な基板にも適用できます。
LP-SiN
(LPCVD SiN)

1,360Å
黄色
LP-CVD(低圧化学気相成長)によるSiN(シリコン窒化膜)は、シラン(SiH₄)とアンモニア(NH₃)を原料に低圧下で成膜される窒化シリコン膜で、高い密着性と均一性を持ちます。この膜は、優れた絶縁性、耐湿性、機械的強度を有し、主に層間絶縁膜やパッシベーション膜として使用されます。特に、半導体デバイスの保護膜や、デバイスの信頼性向上に貢献する用途に広く利用されます。また、膜の応力や厚さを精密に調整できるため、高性能なデバイス製造に最適です。
Poly-Si
(Un-doped)

5,000Å
Si色
LP-CVD(低圧化学気相成長)によるポリシリコン(Poly-Si)膜は、シラン(SiH₄)を原料に低圧下で成膜される多結晶シリコン膜です。この膜は、高い導電性と機械的強度を持ち、半導体デバイスにおいて重要な役割を果たします。ポリシリコン膜は、主にトランジスタのゲート電極やソース・ドレイン領域、そしてメモリデバイスのフローティングゲートとして使用されます。また、薄膜トランジスタや光学デバイスにも利用され、薄膜技術を活かした高精度な製造が可能です。膜の品質や厚さを制御しやすいため、精密なプロセス要求にも対応できます。
W-CVD

6,500Å
白濁
W(タングステン)-CVD膜は、化学気相成長(CVD)法を用いてタングステンを薄膜として成膜したもので、優れた導電性と耐熱性が特長です。タングステンは高い融点を持ち、金属層として高温環境下でも安定性を維持します。この特性により、主に半導体デバイスの配線やバリアメタル、接続部分に使用されます。特に、ミニチュア化が進む集積回路(IC)の多層配線や、アンダーバンプメタル(UBM)層としても重要です。また、高い密着性と均一性を持ち、微細加工における要求に適しています。
Al-Cu
(Cu 0.5wt%)

3,300Å
金属色
Al-Cu(アルミニウム-銅)膜は、スパッタリング法を用いて成膜される合金膜で、優れた導電性と機械的強度を持っています。アルミニウムに銅を少量添加することで、膜の耐熱性や耐食性が向上し、またエレクトリカルパフォーマンスの安定性も高まります。この膜は、主に半導体デバイスの配線層や接続部材として使用され、特に高密度配線や低抵抗の要求に対応します。スパッタリングによる均一な膜形成と良好な密着性が特長で、微細な配線において信頼性を提供します。また、薄膜トランジスタや集積回路の製造にも適用されます。
Ti

4,500Å
金属色
Ti(チタン)-スパッタ膜は、高い耐食性、良好な密着性、及び導電性を持つ金属膜です。スパッタリング法で成膜され、半導体デバイスの接続層やバリアメタルとして広く使用されます。チタン膜は、アルミニウム配線と基板間の反応を防ぐバリア層として重要で、特に集積回路の製造において欠かせない材料です。また、優れた耐酸化性を持つため、酸化を抑制し、デバイスの信頼性向上に寄与します。さらに、Ti膜は薄膜トランジスタやMEMSデバイスの製造にも使用されます。
TiN

500Å
黄金色
TiN(チタン窒化物)-スパッタ膜は、優れた耐食性、耐摩耗性、及び高い密着性を持つ金属窒化物膜です。スパッタリング法を用いて成膜され、主に半導体デバイスのバリアメタルや接続層として利用されます。TiN膜は、アルミニウム配線と基板間の反応を防ぐバリア層として重要で、高温環境下でも安定した特性を発揮します。また、高い導電性と耐酸化性を持ち、メモリデバイスやCMOSプロセスで広く使用されます。さらに、光学デバイスや硬質コーティングなどの用途にも適しています。
熱酸化膜
(SiO2)

4.500Å
紫
半導体の熱酸化膜は、主にシリコン基板の表面を酸化させて形成される絶縁膜です。シリコンウェハを酸素または水蒸気雰囲気で高温処理(約800~1200℃)することで生成され、二酸化シリコン(SiO₂)で構成されます。この膜は、MOSトランジスタやキャパシタの絶縁層として利用され、優れた電気絶縁性や化学的安定性を持っています。また、ウェハの表面を保護する役割や拡散バリアとしても機能します。加工精度が高く、微細プロセスでの重要な材料です。

500Å
透明(シリコンよりも暗い)
また、薄膜熱酸化膜(Rapid Thermal Oxide: RTO)は、半導体製造プロセスにおいて迅速に形成される酸化シリコン膜です。RTOは、高温短時間のプロセスで形成されるため、膜質が均一で、界面特性が良好なことが特長です。この薄膜は、主にゲート酸化膜やトンネル酸化膜として用いられ、デバイスの高性能化や信頼性向上に寄与します。また、膜厚が薄いため、電気的特性を精密に制御する必要がある用途に適しています。
P-SiO2(SiH4-OX)
(PECVD SiO2)
NoImage
プラズマCVDによるSiO₂(SiH₄-OX)は、シラン(SiH₄)と酸素を反応させて形成される酸化シリコン膜で、低温プロセスが可能なことが特長です。プラズマの助けにより堆積温度を抑えられるため、低耐熱基板や層間絶縁膜の形成に適しています。この膜は高い絶縁性と化学的安定性を持ち、半導体デバイスの層間絶縁や保護膜、平坦化膜として広く使用されます。また、膜厚や特性の制御が容易で、多層配線構造に対応可能です。成膜プロセスが比較的簡便で、生産効率が高いことも利点です。
P-TEOS
(PECVD TEOS)

3,000Å
青
プラズマCVDによるTEOS膜は、四エトキシシラン(TEOS: Tetraethyl Orthosilicate)を原料とする酸化シリコン膜で、高い膜均一性と密着性が特長です。プラズマを用いることで低温で成膜可能なため、熱に弱い基板や複雑な形状の表面にも適用できます。この膜は、半導体製造における層間絶縁膜やキャップ層、バリア層として使用され、高い絶縁性と機械的安定性を提供します。また、微細構造の充填性が優れているため、デバイスの高密度化や多層配線構造に適しています。プロセスの汎用性が高く、幅広い用途に対応可能です。
O3-TEOS
(オゾンTEOS)

2,500Å
赤紫
O₃(オゾン)TEOS膜は、四エトキシシラン(TEOS)とオゾン(O₃)を反応させて形成される酸化シリコン膜で、優れた膜質と均一性が特長です。オゾンの強い酸化力により、高密度で低欠陥な膜が得られ、特に微細構造への優れた埋め込み特性(コンフォーマリティ)を持ちます。この膜は、層間絶縁膜やキャップ層、平坦化膜として利用され、微細配線技術や3D構造の製造に適しています。また、低温成膜が可能なため、熱に敏感な基板にも対応できます。高品質な絶縁性とプロセス制御の容易さから、次世代半導体デバイスにおける重要な材料となっています。
LP-TEOS
(LPCVD TEOS)

10,000Å
オレンジ
LP-CVD(低圧CVD)によるTEOS膜は、四エトキシシラン(TEOS)を原料として高温で形成される酸化シリコン膜で、高い膜密度と優れた均一性が特長です。プロセス温度が高いため、膜質が緻密で、機械的強度や耐湿性が優れています。この膜は、半導体デバイスの層間絶縁膜、キャップ層、バリア層として利用されるほか、平坦化膜としても使用されます。また、高温プロセスにより応力制御が可能で、多層構造や微細パターンにも対応可能です。特に、膜厚の精密制御と量産性の高さが要求されるプロセスに適しています。
HDP

6,500Å
中心 紫
外周 緑
HDP(High Density Plasma)膜は、高密度プラズマCVDを用いて成膜される酸化シリコン膜で、優れた埋め込み性と膜質が特長です。成膜と同時にプラズマエッチングを行う効果により、微細構造の溝や配線間のギャップを効率的に埋め込むことができます。この特性から、半導体の層間絶縁膜や多層配線構造でのギャップフィリング用途に適しています。また、膜の緻密性が高く、低欠陥で機械的強度や耐湿性にも優れるため、デバイスの信頼性向上に寄与します。高性能な微細加工技術が必要な次世代半導体製造において重要な役割を果たします。
PSG
NoImage
PSG(Phosphosilicate Glass)膜は、リン(P)をドープした酸化シリコン膜で、優れた耐湿性やストレス緩和特性が特長です。リンを含むことで、吸湿を防ぎつつ膜内応力を軽減し、基板と膜の密着性を向上させます。この特性により、層間絶縁膜や平坦化膜として半導体デバイス製造に広く使用されます。また、リンの拡散性を利用して、半導体の拡散ソース膜やパッシベーション膜としても利用可能です。膜質やプロセス条件の調整が比較的容易で、量産性の高い用途に適しています。
BPSG

6,000Å
赤紫
BPSG(Boron Phosphosilicate Glass)膜は、ボロン(B)とリン(P)をドープした酸化シリコン膜で、優れた耐湿性、応力緩和性、平坦化特性が特長です。ボロンとリンの両方を含むことで、膜内応力がさらに低減され、基板への密着性が向上します。この特性により、層間絶縁膜や平坦化膜として、特に多層配線構造における基板の平坦性確保に使用されます。また、熱処理による流動性が高いため、微細構造のギャップフィリングにも適しています。デバイスの高性能化や微細化が進む中で、信頼性向上に寄与する重要な材料です。
P-SiN
(PECVD SiN)

2,000Å
青
プラズマCVDによるSiN(シリコン窒化膜)は、シラン(SiH₄)とアンモニア(NH₃)などを原料とし、低温で成膜可能な窒化シリコン膜です。この膜は高い絶縁性と耐湿性、化学的安定性を備えており、パッシベーション膜や保護膜、絶縁膜として広く使用されます。また、優れた膜密着性により、半導体デバイスの層間絶縁やストレス緩和用途にも適しています。さらに、膜厚の均一性やプロセス制御が容易で、MEMSや光学デバイスなど幅広い応用分野に対応可能です。低温プロセスの利点により、熱に敏感な基板にも適用できます。
LP-SiN
(LPCVD SiN)

1,360Å
黄色
LP-CVD(低圧化学気相成長)によるSiN(シリコン窒化膜)は、シラン(SiH₄)とアンモニア(NH₃)を原料に低圧下で成膜される窒化シリコン膜で、高い密着性と均一性を持ちます。この膜は、優れた絶縁性、耐湿性、機械的強度を有し、主に層間絶縁膜やパッシベーション膜として使用されます。特に、半導体デバイスの保護膜や、デバイスの信頼性向上に貢献する用途に広く利用されます。また、膜の応力や厚さを精密に調整できるため、高性能なデバイス製造に最適です。
Poly-Si
(Un-doped)

5,000Å
Si色
LP-CVD(低圧化学気相成長)によるポリシリコン(Poly-Si)膜は、シラン(SiH₄)を原料に低圧下で成膜される多結晶シリコン膜です。この膜は、高い導電性と機械的強度を持ち、半導体デバイスにおいて重要な役割を果たします。ポリシリコン膜は、主にトランジスタのゲート電極やソース・ドレイン領域、そしてメモリデバイスのフローティングゲートとして使用されます。また、薄膜トランジスタや光学デバイスにも利用され、薄膜技術を活かした高精度な製造が可能です。膜の品質や厚さを制御しやすいため、精密なプロセス要求にも対応できます。
W-CVD

6,500Å
白濁
W(タングステン)-CVD膜は、化学気相成長(CVD)法を用いてタングステンを薄膜として成膜したもので、優れた導電性と耐熱性が特長です。タングステンは高い融点を持ち、金属層として高温環境下でも安定性を維持します。この特性により、主に半導体デバイスの配線やバリアメタル、接続部分に使用されます。特に、ミニチュア化が進む集積回路(IC)の多層配線や、アンダーバンプメタル(UBM)層としても重要です。また、高い密着性と均一性を持ち、微細加工における要求に適しています。
Al-Cu
(Cu 0.5wt%)

3,300Å
金属色
Al-Cu(アルミニウム-銅)膜は、スパッタリング法を用いて成膜される合金膜で、優れた導電性と機械的強度を持っています。アルミニウムに銅を少量添加することで、膜の耐熱性や耐食性が向上し、またエレクトリカルパフォーマンスの安定性も高まります。この膜は、主に半導体デバイスの配線層や接続部材として使用され、特に高密度配線や低抵抗の要求に対応します。スパッタリングによる均一な膜形成と良好な密着性が特長で、微細な配線において信頼性を提供します。また、薄膜トランジスタや集積回路の製造にも適用されます。
Ti

4,500Å
金属色
Ti(チタン)-スパッタ膜は、高い耐食性、良好な密着性、及び導電性を持つ金属膜です。スパッタリング法で成膜され、半導体デバイスの接続層やバリアメタルとして広く使用されます。チタン膜は、アルミニウム配線と基板間の反応を防ぐバリア層として重要で、特に集積回路の製造において欠かせない材料です。また、優れた耐酸化性を持つため、酸化を抑制し、デバイスの信頼性向上に寄与します。さらに、Ti膜は薄膜トランジスタやMEMSデバイスの製造にも使用されます。
TiN

500Å
黄金色
TiN(チタン窒化物)-スパッタ膜は、優れた耐食性、耐摩耗性、及び高い密着性を持つ金属窒化物膜です。スパッタリング法を用いて成膜され、主に半導体デバイスのバリアメタルや接続層として利用されます。TiN膜は、アルミニウム配線と基板間の反応を防ぐバリア層として重要で、高温環境下でも安定した特性を発揮します。また、高い導電性と耐酸化性を持ち、メモリデバイスやCMOSプロセスで広く使用されます。さらに、光学デバイスや硬質コーティングなどの用途にも適しています。
Polyimide

63,000Å
透明
ポリイミド(Polyimide)膜は、高い耐熱性、絶縁性、機械的強度を持つ高性能プラスチック膜です。非常に広い温度範囲で安定しており、耐熱性が高いため、エレクトロニクスや航空宇宙産業で重要な材料です。この膜は、主にフレキシブル基板、絶縁層、パッケージング材料として使用され、特に柔軟性を活かした電子デバイスの製造に利用されます。さらに、耐薬品性や電気的絶縁性が求められる環境での使用にも適しています。多層構造や微細加工にも対応でき、次世代デバイスの材料として注目されています。
Resist
(i線/KrF)

12,000Å
透明に近い青っぽい色
レジスト膜は、フォトリソグラフィー工程で使用される感光性材料で、紫外線や電子線を照射することで化学的性質が変化します。感光性によって、露光後に選択的にエッチングや成膜が可能となり、高精度なパターン転写を実現します。主に半導体製造や液晶パネル、MEMSデバイスなどの微細加工で利用され、回路パターンの作成に不可欠です。レジスト膜は、正、負の型があり、用途に応じて選択されます。高解像度や精密なパターン形成が求められる場合に特に重要な材料です。