貫通電極(TSV：Through Silicon Via)は、半導体チップ等を垂直に貫通する電極で、３次元実装を行うのに重要な要素です。
貫通電極（TSV）を使用した実装品の信頼性試験では、常時測定（In-Situ）を行うことにより不良発生の検出・故障時間の把握が可能です。
さらに、物理解析により不良モードを特定することもできます。
TSVの信頼性試験
信頼性試験と評価対象例
- In-Situ TC
- 熱ストレスによるTSVへの機械的な破壊評価
- In-Situ THB
- TSV間の絶縁性を評価
- TSV周辺配線の剥離・絶縁性評価
- プリコンディショニング
- TSVへの機械的な破壊
- TSV周辺配線の剥離・絶縁性評価
- In-Situ EM
- 高温保存試験
TSVの信頼性試験 （In-Situ TC）
物理解析例
信頼性試験後の断面観察により、TSV下部において、TSVとランドの界面部が破断していることが観察された例。（機械研磨後の断面SEM観察）