FIB-SEM Helios 5 UC 導入のお知らせ

パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスやMLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の断面観察・分析を高スループットで実現。

FIB-SEM複合装置概要

複合装置概要

・垂直方向にSEMカラム、斜め方向にFIBカラムを搭載。

・FIB加工中の様子をSEMでリアルタイムに観察が可能。  

・加工位置精度の向上。

・大気非暴露で観察、分析可能。

装置仕様

・装置名          :Helios 5 UC

                      (Thermo Fisher Scientific社)

・SEM分解能  :0.7nm @ 1kV

                       0.6nm @ 2 – 15kV

・FIBイオン源:Ga+ (Tomahawk H)

・FIB分解能   :2.5nm @ 30kV

・FIB電流      :0.1pA – 100nA

・FIB加速電圧:0.5kV – 30kV

・ステージXY :X 150mm   Y 150mm

         6inch Wafer可

         ピエゾ駆動

Helios 5 UCの主な特長

高速・大面積FIB加工

最大100nAの質の良いビームにより、大面積を高速加工。

低加速仕上げによるダメージ層低減

damage-reduction

FIBを低加速で仕上げることによりダメージ層の少ない高品質の試料作製が可能。

Cryo-FIB加工

冷却によるダメージレス加工やソフトマテリアルの断面作製も実現。

3Dイメージング

3Dイメージング

自動でFIB加工とSEMを繰り返し3D再構築が可能。

TEM試料加工の完全自動化

完全自動化
完全自動化2

FIB粗加工~TEM試料薄片化仕上げまでオートで実現。

短納期での結果ご提供も可能。

11月サービス開始予定!

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株式会社アイテス 品質技術部
TEL:077-599-5020