信頼性試験から、故障解析までの一貫した解析をする事で、サンプルが規格を満たしているか確認すると共に、Failしたサンプルの不良箇所の特定及び観察をする事が可能となります。
信頼性試験による半導体素子のスペック確認
試験機：ESD・ラッチアップテスター
M7000/東京電子交易製
対象サンプル：SiC MOSFET PKG
印加規格：HBM（100pF/1.5kΩ）
GS間で1uA/11Vのリークが発生
ESD試験でサンプルが本来の規格を満たしているか確認したところ、ゲート-ソース間でリークが確認されました。
・サービス内容
HBM試験（C=100pF, R=1.5kΩ）+5～±4500V
MM試験（C=200pF, R=0Ω）+5～2000V
512ピンまでのICモジュール、電子部品等様々な製品に対して、国内外の主要規格に対応した試験を提供しております。
不良箇所特定～TEMによる故障箇所の観察
EMS/OBIRCH解析による不良箇所特定
ESD試験により発生したリーク箇所を特定するため、EMS/OBIRCH解析を実施致しました。この解析により、半導体の不良箇所をサブミクロンレベルで特定する事が可能です。また、独自の前処理加工技術により様々な状態のサンプルに対して解析を実施できます。
TEMによる故障箇所の観察
使用装置：
JEOL JEM-4000FX
加速電圧：400kV
特定したリーク箇所に対し、独自の位置出し技術を駆使する事で、光学像では認識できない極微小な不良でも、高い確率でSEM, TEMで可視化する事が可能となります。
お客様のご要望、目的に応じた試験や解析をご提案, 実施し、原因究明～問題解決までのお手伝いを致します。