パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスやMLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の断面観察・分析を高スループットで実現。
FIB-SEM複合装置概要
・垂直方向にSEMカラム、斜め方向にFIBカラムを搭載。
・FIB加工中の様子をSEMでリアルタイムに観察が可能。
・加工位置精度の向上。
装置仕様
・装置名 ：Helios 5 UC
(Thermo Fisher Scientific社)
・SEM分解能 ：0.7nm @ 1kV
0.6nm @ 2 – 15kV
・FIBイオン源：Ga+ (Tomahawk H)
・FIB分解能 ：2.5nm @ 30kV
・FIB電流 ：0.1pA – 100nA
・FIB加速電圧：0.5kV – 30kV
・ステージXY ：X 150mm Y 150mm
6inch Wafer可
ピエゾ駆動
Helios 5 UCの主な特長
高速・大面積FIB加工
最大100nAの質の良いビームにより、大面積を高速加工。
低加速仕上げによるダメージ層低減
FIBを低加速で仕上げることによりダメージ層の少ない高品質の試料作製が可能。
Cryo-FIB加工
冷却によるダメージレス加工やソフトマテリアルの断面作製も実現。
3Dイメージング
自動でFIB加工とSEMを繰り返し3D再構築が可能。
TEM試料加工の完全自動化
FIB粗加工～TEM試料薄片化仕上げまでオートで実現。
短納期での結果ご提供も可能。
11月サービス開始予定!