Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応しております。
故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応いたします。
裏面発光／OBIRCH解析による故障箇所特定
SiC MOSFET
裏面532nm-OBIRCH解析
SiC MOSFET
裏面発光解析(SI-CCD)
OBIRCH解析では1300nm・532nmレーザーを、発光解析ではInGaAs・SI-CCDの超高感度カメラにより、Siだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応します。
故障箇所への高精度位置特定、FIB加工
・故障箇所の位置情報取得。
・信号箇所や電気特性から、FIBのアプローチ検討。
・マーキングによる高精度な位置だし。
素子表面側からFIB加工
裏面の基板側からFIB加工
表裏どちらからでもFIB加工可能です。
不良箇所のFIB／LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価
LV-SEMによる拡散層の観察
PN接合の内蔵電位に影響を受けた二次電子(SE2)をIn-Lens検出器で検出します。
EBICによる空乏層の観察
電子ビーム照射により、空乏層の内部電界で誘起された電流を2次元のマッピングを取得
することで、PN接合部に形成された空乏層を可視化します。
TEM観察による結晶構造観察、元素分析
高精度な位置だしと400kVのTEMにより試料厚が厚めでも鮮明な像が得られ、不良を
可視化する確率が上がります。
EDS、EELS分析といった元素分析も対応いたします。
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析・化学分析までスルー対応いたします！